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TTL和CMOS電平總結(jié)

  •   1，TTL電平(什么是TTL電平)：  輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。   2，CMOS電平：  1邏輯電平電壓接近于電源電壓，0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。   3，電平轉(zhuǎn)換電路：  因為TTL和COMS的高低電平
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產(chǎn)生低失真正弦波的CMOS六角反相器

  • 　　本設計實例提供了一種可作為微控制器替代品的簡單、廉價及便攜式設備電路，來為音頻電路設計與調(diào)試提供各種低失真正弦波信號源。盡管從直接數(shù)字合成器 (dds) 產(chǎn)生的正弦波具有更高的穩(wěn)定性及更少的諧波成分和其他寄生頻率成分，但這是一種能讓設計人員采用凌特科技公司ltspice 免費件并磨礪其電路仿真技能的更具“顛覆性”的方法。振蕩器包括一個頻率測定網(wǎng)絡以及一種用于防止電路飽和、波形削波及諧波產(chǎn)生的振蕩幅度限制方法。許多音頻振蕩器設計均采用經(jīng)典維氏電橋帶通濾波器拓撲，并將白熾燈、熱敏電阻器或jfet 電路作為
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新型傳感器研發(fā)呈現(xiàn)的五大特點

  • 　　當今世界發(fā)達國家對傳感器技術(shù)發(fā)展極為重視，視為涉及國家安全、經(jīng)濟發(fā)展和科技進步的關(guān)鍵技術(shù)之一，將其列入國家科技發(fā)展戰(zhàn)略計劃之中。因此，近年來傳感技術(shù)迅速發(fā)展，傳感器新原理、新材料和新技術(shù)的研究更加深入、廣泛，傳感器新品種、新結(jié)構(gòu)、新應用不斷涌現(xiàn)、層出不窮。 　　微型化速度加快 　　值得特別關(guān)注的是近年來隨著集成微電子機械加工技術(shù)的日趨成熟，傳感器制作技術(shù)進入了一個展新階段。微電子技術(shù)和微機械技術(shù)相結(jié)合，器件結(jié)構(gòu)從二維到三維，實現(xiàn)進一步微型化、微功耗，并研究把傳感器送入人體，進入血管，研究稱分子的重
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加速度計與MEMS明日之星

  • 　　微機電系統(tǒng)(MEMS)在發(fā)展了近四十年后，近來因為游戲機(Wii、PS3)、手機(iPhone)、MP3(iPod touch)等消費性電子產(chǎn)品的應用，終于劃下時代性的一刻，成功打入產(chǎn)量最大的消費性市場。這對于微機電產(chǎn)業(yè)來說無疑是值得慶賀的時刻，因為有太多的研發(fā)心力已投入這項將微機械與微電子工程融合的微機電設計訴求之上，如今總算看到令人欣慰的一些成果。 　　當然，這仍然只是MEMS進軍更廣泛市場的一個開端，打開這個市場的功臣即是加速度計(accelerometer)。在本文中將會對加速度計的技術(shù)及應
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CMOS邏輯門電路

  • 　　CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。 1.組成結(jié)構(gòu) 　　CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路的英文字頭縮寫。它由絕緣場效應晶體管組成。由于只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路。其基本結(jié)構(gòu)是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管，如圖1所示。由于兩管柵極工作電壓極性相反，故將兩管柵極相連作為輸入端，兩個漏極相連作為輸出端，如圖1(a)所示，則兩管正好互為負載，處于互補工作狀態(tài)。 圖1 CMOS電路基本結(jié)構(gòu)示意圖
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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

  • 　　賽普拉斯宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清(HD)圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。最終的數(shù)字圖像與35毫米膠片的景深相同，同時允許電影制作人能將觀眾的注意力引導至畫面的特定部分，這種功能是一種極具創(chuàng)意價值的講述故事的手段。 　　OSCAR CMOS圖像傳感器賦予D-20攝像機以
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ST 4 x 4mm模擬輸出加速計自由度更高

  • 世界領先的微機電系統(tǒng)（MEMS）器件供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）今天公布一個新的三軸模擬輸出傳感器解決方案，進一步加強了該公司的尺寸極小的“低g”線性加速計的產(chǎn)品陣容。新產(chǎn)品LIS344AL是一個注重成本的MEMS解決方案，在電路板上的占位面積非常小，功耗低，特別適合電池供電和空間受限制的便攜設備，如手機、便攜媒體播放器、PDA或遙控器。 新產(chǎn)品在一個封裝內(nèi)整合了一個強健的三軸MEMS傳感器和一個CMOS接口芯片，不論設備的方位如何，三軸傳感功能都能提供傾斜和運動的信息。 LIS344A
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賽普拉斯CMOS圖像傳感器將膠片和數(shù)字視頻結(jié)合用于電影拍攝

  • 定制圖像器材成為ARRI公司ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀的核心 2007年12月26日，北京訊，—賽普拉斯半導體公司（紐交所代碼CY）于近日宣布其OSCAR定制CMOS圖像傳感器被整合至ARRI公司的ARRIFLEX D-20數(shù)字電影攝像機和ARRISCAN膠片掃描儀之中。這款600萬像素的傳感器與Super 35毫米膠片光圈的尺寸相同，這使得D-20攝像機在拍攝高清（HD）圖像時，能使用與35毫米膠片攝像機相同的定焦、變焦和特制鏡頭。
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基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescopic放大器設計

  • 　　近年來，軟件無線電(Software Radio)的技術(shù)受到廣泛的關(guān)注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣，但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高，技術(shù)上所限難以實現(xiàn)，而多采用中頻采樣的方法。而對于百兆赫茲的射頻段，可以直接射頻帶通采樣，這就要求采樣系統(tǒng)有高的分辨率，而且其Nyquist頻率要求比較高。本文設計的用于軟件無線電臺12 b A/D轉(zhuǎn)換器中的高精度，高速運算放大器，采用了增益提高電路，在不影響頻率響應的同時，得到普通運放所達不到的高增益。 　　1 高精度，高速度
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凌力爾特擴大RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 擴大了 RS422/RS485 收發(fā)器產(chǎn)品系列，推出為高溫應用設計的“H 級”器件。LTC285xH 系列器件具有 -40oC 至 125oC 的擴展工作溫度范圍以及這些應用傳統(tǒng)上所需的屬性。這些新溫度級器件拓寬了凌力爾特公司業(yè)界標準低功率 CMOS 收發(fā)器產(chǎn)品線，有助于在汽車應用中常見的嚴酷環(huán)境條件下確?？煽繑?shù)據(jù)傳輸。 　　凌力爾特公司的 LTC285xH 系列收發(fā)器有多種選擇。精選版本具有轉(zhuǎn)換率限制，同時其它版本具有接
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意法半導體（ST）芯片向先進的45nm CMOS 射頻技術(shù)升級

  • 　　意法半導體宣布該公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射頻 (RF)制造技術(shù)的功能芯片。這項先端技術(shù)對于下一代無線局域網(wǎng)(WLAN)應用產(chǎn)品至關(guān)重要。 　　這些系統(tǒng)級芯片(SoC)是在ST的法國Crolles 300mm 晶圓生產(chǎn)線制造的，原型產(chǎn)品集成了從初級RF信號檢測到下一步信號處理需要的數(shù)字數(shù)據(jù)輸出的全部功能鏈。這些原型芯片具有最先進的性能和最高的密度(低噪放大器、混頻器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器和濾波器都工作在1.1V下，整個電路僅占用0.45mm2)。 　　ST的半導體成就歸功于公司開發(fā)CM
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MEMS振蕩器101(圖)

2007年12月10日，ST推出采用CMOS 45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片

  • 　　2007年12月10日，意法半導體宣布成功地推出第一批采用CMOS45nm射頻制造技術(shù)的功能芯片。 ?
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CMOS集成電路設計中電阻設計方法的研究

  • 討論了集成電路設計中多晶硅條電阻、MOS管電阻和電容電阻等3種電阻器的實現(xiàn)方法，論述了他們各自的優(yōu)點、缺點及其不同的作用
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以有源電感為負載的CMOS寬帶LNA設計

  • 本文設計了一個基于數(shù)字CMOS工藝的以有源電感為負載的寬帶低噪聲放大器，其中包括了級聯(lián)型有源電感的優(yōu)化設計。
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