cmos-mems 文章 進(jìn)入cmos-mems技術(shù)社區(qū)
CMOS數(shù)字IC的端子不能空置
- 在電路板上,有時(shí)可觸摸到燙手的數(shù)字IC,或發(fā)現(xiàn)數(shù)字IC突然損壞。因?yàn)閿?shù)字IC的功耗很低。出現(xiàn)上述狀況讓人不可思議。 圖1是標(biāo)準(zhǔn)化的CMOS數(shù)字IC輸出級。不論是在"H"或"L"狀態(tài),總有一個(gè)輸出管(Q1或Q2)處于關(guān)斷狀態(tài)。但如果輸入電壓vin處于門限值1/2Vdd附近,就可能出現(xiàn)Q1和Q2都導(dǎo)通的狀態(tài),這時(shí)在IC中將流過較大的電流而發(fā)熱,圖2是CMOS數(shù)字IC輸入電壓和輸出電流的關(guān)系。 如果CMOS數(shù)字IC的
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0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置,其性能指針的好壞對接收機(jī)整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻(xiàn)[1],對于由多級放大器組成的接收系統(tǒng),其整機(jī)噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)。典型地,接收機(jī)接收的信號強(qiáng)度在-120~-20 dBm之間,因而為了滿足系統(tǒng)要求,對LNA主要有以下要求: (1) 提供合適的增益放大信號,以減小后續(xù)電路對系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
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嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術(shù)
- 提出了CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術(shù),通過設(shè)計(jì)軟件驅(qū)動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動采集。
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凌力爾特推出CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運(yùn)算放大器 LTC6081 和 LTC6082,這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個(gè)溫度范圍內(nèi)以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級,實(shí)現(xiàn)了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時(shí)最大為 1pA 的低輸入偏置電流,非常適用于精密儀器。 LTC6081 和 LTC6082
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射頻芯片:工藝成本功耗是永恒熱點(diǎn)
- 支持手機(jī)功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年,國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片,一舉彌補(bǔ)了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后,銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝,與此
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SiTime推出370微米超薄可編程振蕩器
- MEMS時(shí)鐘產(chǎn)品提供商SiTime公司,日前推出厚度僅為370微米的SiTime’sUltra-Thin獨(dú)立振蕩器。SiT8002UT可應(yīng)用于對高度有嚴(yán)格限制的場合。 SiT8002UT介紹 SiT8002UT系列可提供從1MHz~125MHz范圍內(nèi)的任何頻率,其精度在工業(yè)級溫度范圍內(nèi)(-40℃~+85℃)為+/-100ppm。它的封裝尺寸為3.0
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安森美推出便攜設(shè)備電源穩(wěn)壓應(yīng)用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導(dǎo)體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝,非常適合電池供電的消費(fèi)類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應(yīng)用,如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達(dá)300毫安(mA)的電流,特別結(jié)合了工藝與架構(gòu),能夠提供快速的客戶反應(yīng)和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容,或在空載條件下,NCP590都能穩(wěn)定工作。
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安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes
- Avago Technologies(安華高科技)宣布,已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位,Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達(dá)25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數(shù)的SerDes總出貨量,Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀(jì)錄,現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗(yàn)證的17 Gbps SerDes性能將
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德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列
- 日前,德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級,先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過程控制,但是也廣泛適用于多種應(yīng)用,其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測試與測量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍,能夠?yàn)锳DC提供精確的電壓基準(zhǔn),而無需額外運(yùn)放緩沖器。高精度(0.05%最大
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Akustica推模擬MEMS麥克風(fēng)單芯片方案
- Akustica公司發(fā)布宣稱是全球最小的麥克風(fēng)。這款僅有1-mm2大小的麥克風(fēng)采用了一個(gè)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)振膜和芯片上互補(bǔ)型CMOS模擬電路。該整合芯片占位面積據(jù)稱只有其它雙芯片MEMS麥克風(fēng)競爭產(chǎn)品的25%。 “Akustica的這種小型模擬MEMS麥克風(fēng)非常適用于手機(jī),”SemicoResearch公司技術(shù)長TonyMassimini表示?!岸遥捎脝涡酒漠a(chǎn)品可說是意義重大,畢竟在封裝時(shí)會占用較多的空間,而采用單芯片解決方案將使用戶能
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 Akustica MEMS 麥克風(fēng) 消費(fèi)電子
Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)
- 日前,Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān),這些器件將高開關(guān)速度與高信號帶寬進(jìn)行了完美結(jié)合,可用于眾多開關(guān)應(yīng)用,其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個(gè)可獨(dú)立選擇的 44V SPST 開關(guān),每個(gè)均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度,這兩個(gè)參數(shù)是低失真音頻信號開關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
- 關(guān)鍵字: Vishay SPST CMOS 開關(guān)
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