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ADI推出高性能 MEMS 麥克風(fēng)

  • 　　當(dāng)前許多便攜式電子設(shè)備正處于音頻變革的前鋒。雖然近年來設(shè)計(jì)師一直致力于開發(fā)一些令人激動(dòng)的新功能，如無線互聯(lián)網(wǎng)訪問和移動(dòng)電視接收，但音頻功能的發(fā)展始終落在后頭。Analog Devices, Inc.，全球領(lǐng)先的超高性能音頻信號處理技術(shù)提供商，最新推出兩款 MEMS 麥克風(fēng)，用于向便攜式電子產(chǎn)品提供先進(jìn)的音頻功能。這些功能包括高保真音頻/視頻回放、免提通信、內(nèi)置風(fēng)噪抑制功能的語音識別以及符合 TIA-920 標(biāo)準(zhǔn)的 VoIP。 　　新推出的 ADMP 404 和 ADMP405 iMEMS(R) 麥克
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全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開發(fā)完成

  • 　　日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內(nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆?？晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 　　爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
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低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用

  • 低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學(xué)技術(shù)的推動(dòng)作用, 醫(yī)學(xué)技術(shù)一直是CCD(電荷耦合設(shè)備)圖像傳感器的重要應(yīng)用領(lǐng)域之一?，F(xiàn)在，CMOS傳感器已進(jìn)入高速發(fā)展時(shí)期。究其原因，首先，CMOS圖像質(zhì)量可與CCS圖像相媲美。其次，利用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝，CMOS傳感器在價(jià)格方面占據(jù)很
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臺積電讓大家感到驚奇的7件事

  • 　　象過去多年來一樣, 在今年的會(huì)上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術(shù)。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領(lǐng)域。以下是在一天的會(huì)中對于會(huì)議的觀察及感受; 　　1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時(shí)正值全球IC業(yè)混亂時(shí)代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會(huì)上見到張時(shí)仍是如1990年首次見到它時(shí)那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經(jīng)歷40nm的風(fēng)波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認(rèn)為至今年底公司將從今日的2
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三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

  • 韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強(qiáng)合作

  • 　　臺積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。 　　在近期舉行的臺積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高，因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。 　　它對于大家說,此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開始, 并相信未來臺積電會(huì)做得更好。 　　它同時(shí)指出，加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構(gòu)成大的威脅。 　　非常幸運(yùn), 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

  • 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

  • 　摘 要： 基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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CMOS集成CD4013觸摸開關(guān)

  • 這個(gè)電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個(gè)單穩(wěn)態(tài)電路和一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對觸摸信號進(jìn)行脈波寬度整形，保證每次觸摸動(dòng)作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅(qū)動(dòng)晶體管Q1的開通或關(guān)閉，進(jìn)而控
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采用PC的IC工具降低MEMS設(shè)計(jì)方法

  • 鑒于MEMS工藝源自光刻微電子工藝，所以人們很自然會(huì)考慮用IC設(shè)計(jì)工具來創(chuàng)建MEMS器件的掩膜。然而，IC設(shè)計(jì)與MEMS設(shè)計(jì)之間存在著根本的區(qū)別，從版圖特性、驗(yàn)證或仿真類型，到最重要的構(gòu)造問題。 盡管針對MEMS設(shè)計(jì)
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

  • 摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
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人性化感測技術(shù) 創(chuàng)造車用安全藝術(shù)

  • 　　中心議題： 　　車用安全應(yīng)用檢測技術(shù) 　　解決方案： 　　無線感測技術(shù)　提供個(gè)人化服務(wù) 　　MEMS Sensor敏感稱王扮車體安全關(guān)鍵角色 　　影像感測加紅外線　開車停車無顧慮 　　安全為車輛發(fā)展之母，感測技術(shù)則是牢牢把關(guān)新一代車輛安全的優(yōu)等生。自汽車發(fā)明以來，陸上交通事故有增無減，雖然汽車工業(yè)被喻為封閉且較為傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)，各家汽車大廠長久以來莫不朝向安全、舒適的方向努力不輟。電子產(chǎn)業(yè)廠商也明白這個(gè)趨勢，針對車用安全等相關(guān)應(yīng)用，提出許多感測技
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CMOS探測器在射線檢測中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

  • 概述：以CMOS探測器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測技術(shù)，檢測精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測器探測單元排成線陣列，需要在檢測時(shí)進(jìn)行相對掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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基于單晶片CMOS語音合成的ASIC設(shè)計(jì)

  • 引言　　近年語音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應(yīng)范圍越越廣，自動(dòng)售貨機(jī)、ATM柜員機(jī)，部直通電話機(jī)以及玩具等方面應(yīng)量語音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號確還原成模擬信號，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；
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淺析：視頻監(jiān)控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場動(dòng)向

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