首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> cmos-mems

cmos-mems 文章 最新資訊

Rudolph Technologies獲MEMS檢測設(shè)備訂單

  • 　　工藝表征設(shè)備和軟件供應(yīng)商Rudolph Technologies宣布，其NSX Series Macro Inspection System獲得了來自德國ISIT的訂單，用于先進(jìn)MEMS工藝的開發(fā)。該設(shè)備將于今年夏天安裝于ISIT的先進(jìn)200mm MEMS試水線上。
  • 關(guān)鍵字： MEMS  200mm  

將MEMS傳感器用于各種創(chuàng)新的消費(fèi)類產(chǎn)品設(shè)計(jì)

  • 　MEMS即微機(jī)電系統(tǒng)，是利用微米級立體結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)感應(yīng)和執(zhí)行功能的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。其中，微米級立體結(jié)構(gòu)是利用被稱為“微加工”的特殊工藝實(shí)現(xiàn)的微米大小的立體機(jī)械結(jié)構(gòu)。　　因?yàn)榧夹g(shù)和經(jīng)濟(jì)的原因，MEMS傳感器曾經(jīng)被局
  • 關(guān)鍵字： 消費(fèi)類  產(chǎn)品設(shè)計(jì)  創(chuàng)新  各種  傳感器  用于  MEMS  

MEMS傳感器價格一路下跌

  • 　　MEMS傳感器的種類繁多，包括單軸、雙軸和振動傳感器等High-g(重力加速度)加速計(jì)，以及單軸、雙軸和三軸的low-g加速計(jì)，另外有角速度陀螺儀和多重傳感器方案等。 　　在采購MEMS傳感器，尤其是應(yīng)用于消費(fèi)性電子產(chǎn)品中時，MEMS傳感器的價格、體積和功耗可說是最重要的三個關(guān)鍵。在價格方面，過去MEMS傳感器多用于汽車領(lǐng)域，然而近幾年，由于技術(shù)的進(jìn)步，MEMS使用于消費(fèi)性電子產(chǎn)品已越來越常見，且由于消費(fèi)性電子產(chǎn)品，例如手機(jī)的價格敏感度極高，因此MEMS組件的價格呈現(xiàn)快速下降趨勢。以MEMS傳感器的
  • 關(guān)鍵字： MEMS  傳感器  

MEMS流體陀螺的研究進(jìn)展

  • 本文根據(jù)微流體陀螺的不同原理介紹了幾種常見的MEMS微流體陀螺，并對它們的基本原理、優(yōu)缺點(diǎn)和應(yīng)用前景進(jìn)行了簡單的介紹
  • 關(guān)鍵字： 研究進(jìn)展  陀螺  流體  MEMS  

MEMS壓力傳感器及其應(yīng)用

  • 　　MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機(jī)電系統(tǒng)。 　　MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路(IC)設(shè)計(jì)技術(shù)和制造工藝，進(jìn)行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費(fèi)電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。傳統(tǒng)的機(jī)械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形，由機(jī)械量彈性變形到電量轉(zhuǎn)換輸出，因此它不可能如MEMS壓力傳感器那樣做得像IC那么微小，成本也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MEMS壓力傳感器。相對于傳
  • 關(guān)鍵字： 華潤矽威  MEMS  

MEMS 建模—從設(shè)計(jì)到制造

  • 　　微機(jī)電系統(tǒng) (MEMS) 將很快成為智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)和構(gòu)造不可或缺的部分。這些器件縮短了物理世界和電子世界之間的差距，它們用于眾多應(yīng)用，涉及各種細(xì)分市場。在眾多細(xì)分市場中，價格降低、準(zhǔn)確度要求提高和快速面市需求將對設(shè)計(jì)和制造性能提出新的約束條件。企業(yè)要獲得成功必須找到新的方法來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。 　　這種產(chǎn)品的日益增加的復(fù)雜性需要設(shè)計(jì)流程允許工程師在構(gòu)造實(shí)際硅片之前模擬整個制造分布、所有環(huán)境和操作條件的整個多模系統(tǒng)。這使工程師能夠快速、積極地優(yōu)化設(shè)計(jì)，以便最大限度地提高系統(tǒng)準(zhǔn)確性和可靠性，同時最大限度地減少
  • 關(guān)鍵字： MEMS  傳感器  

電腦病的克星

  • 針對電腦逐漸普及，電腦病對人類的影響越來越嚴(yán)重的情況，本文設(shè)計(jì)了以MEMS三軸加速度傳感器作為主要的坐姿檢測傳感器，以8位MCU MXT8051作為控制芯片，以XBee作為無線傳輸介質(zhì)的坐姿糾正系統(tǒng)。本文重點(diǎn)介紹了坐姿糾正系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)，該系統(tǒng)具有較高的創(chuàng)新性和實(shí)用型強(qiáng)等特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字： 時代民芯  MEMS  加速度傳感器  Zigbee  

iMouse多功能空中鼠標(biāo)

  • 本文設(shè)計(jì)并實(shí)施了一款基于最新MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的可以空中使用的鼠標(biāo)產(chǎn)品，以滿足當(dāng)前計(jì)算機(jī)快速家電化、娛樂化的需求。本設(shè)計(jì)集成了先進(jìn)的微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(shù)(2.4G/RF)、USB接口技術(shù)以及實(shí)時多任務(wù)操作系統(tǒng)uC/OS技術(shù)。本產(chǎn)品可以讓鼠標(biāo)脫離桌面環(huán)境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計(jì)算機(jī)操作體驗(yàn)，是一款真正“可以飛的鼠標(biāo)”。同時，其所用的技術(shù)還可以滲透到其他傳統(tǒng)的遙控器中，以大幅提升用戶體驗(yàn)。
  • 關(guān)鍵字： 時代民芯  MEMS  空中鼠標(biāo)  2.4G  RF  

MEMS汽車傳感器將在2010年出現(xiàn)短期反彈

  • 　　預(yù)計(jì)2010年全球汽車MEMS傳感器出貨量將達(dá)到5.912億個，比2009年的5.020億勁增17.8%。2009年MEMS傳感器市場劇烈波動，年初的時候由于經(jīng)濟(jì)衰退的影響，傳感器公司的訂單幾乎枯竭，但第四季度出貨量迅速上升，甚至超過了2007年創(chuàng)下的高點(diǎn)。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，2010年該市場剛剛恢復(fù)元?dú)猓瑢㈤_始一段繁榮時期，至少會持續(xù)到2014年的預(yù)測期終點(diǎn)。 　　汽車MEMS市場重現(xiàn)活力，從MEMS壓力傳感器的強(qiáng)勁表現(xiàn)中可見一斑。MEMS壓力傳感器用于關(guān)鍵應(yīng)用之中，測量壓力和發(fā)動機(jī)狀況
  • 關(guān)鍵字： 汽車傳感器  MEMS  

意法半導(dǎo)體THELMA制程和低成本封裝方法

  • 意法半導(dǎo)體公司推出一系列慣性傳感器，極具誘惑力的價格配合卓越的產(chǎn)品性能，讓意法半導(dǎo)體迅速擴(kuò)大了在消費(fèi)電子...
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  ST  THELMA  MEMS  

MEMS汽車傳感器將在2010年反彈

  • 　　據(jù)iSuppli公司的最新調(diào)研，在經(jīng)歷了近年來最糟糕的一年之后，微機(jī)電(MEMS)汽車傳感器將在2010年強(qiáng)勁反彈，但銷售持續(xù)紅火可能在今年稍晚的時候?qū)е率袌鲞^熱，進(jìn)而把該產(chǎn)業(yè)拖回到衰退之中。 　　預(yù)計(jì)2010年全球汽車MEMS傳感器出貨量將達(dá)到5.912億個，比2009年的5.020億勁增17.8%。2009年MEMS傳感器市場劇烈波動，年初的時候由于經(jīng)濟(jì)衰退的影響，傳感器公司的訂單幾乎枯竭，但第四季度出貨量迅速上升，甚至超過了2007年創(chuàng)下的高點(diǎn)。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，2010年該市場剛
  • 關(guān)鍵字： MEMS  傳感器  

瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù)，可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品，該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM，并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。 　　在So
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩電子  SRAM  CMOS  

Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術(shù)

  • 　　全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進(jìn)無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議，共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司，Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項(xiàng)目，共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： Qualcomm  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

  • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產(chǎn)生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環(huán)增益，62°的相位裕度，高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
  • 關(guān)鍵字： CMOS  0.5  um  電流反饋    

TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

  • 用來計(jì)算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
    R=端接電阻的有效值
    VHI=高電平輸出（通常等于VT）
    VLO=低電平輸出
    VEE=輸出晶體管的射極（或源極
  • 關(guān)鍵字： CMOS  TTL  集電極開路  功耗    
共2414條 125/161 |‹ « 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 » ›|

cmos-mems介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條cmos-mems!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對cmos-mems的理解，并與今后在此搜索cmos-mems的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473