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美國新型太陽能電池問世

  • 　　美國桑迪亞國家實驗室(Sandia National Laboratories)最近發(fā)明了新型太陽能電池，金色雪花形狀的新型太陽能電池 　　該新型太陽能電池用硅晶制成微粒子，并使用微電子和微型機電系統(tǒng)技術(shù)，不僅具有雪花般的形狀，更重要的是，它比傳統(tǒng)太陽能電池節(jié)省100倍的材料費。
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監(jiān)控用CMOS與CCD圖像傳感器技術(shù)對比

  • CCD（ChargeCoupledDevice）圖像傳感器（以下簡稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOSImageSensor以下簡稱CIS）的主要...
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威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器

  • 　　威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 　　USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進。 　　VIA VL810由威盛集團全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設(shè)備從而擴展了計算機的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
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ADI 公司完成制造工廠戰(zhàn)略性升級改造計劃

  • 　　ADI最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS(微機電系統(tǒng))制造工藝技術(shù)的升級和改進，目的是降低成本，提高晶圓制造效率。美國馬薩諸塞州威明頓工廠的改造已于11月1日完成，而在今年早期，位于愛爾蘭利默瑞克的工廠也完成了改造計劃，這是 ADI 公司之前宣布的一項確保客戶享有高性價比和靈活的全球制造基礎(chǔ)設(shè)施的長期規(guī)劃的一部分。 　　威明頓工廠主要制造射頻、線性和其它模擬產(chǎn)品，并已計劃生產(chǎn) ADI 的 MEMS 產(chǎn)品。利默瑞克工廠則全部轉(zhuǎn)換成 ADI 公司的高產(chǎn)能8英寸晶圓代工廠。產(chǎn)能的擴張和業(yè)務(wù)效率
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研究人員開發(fā)基于MEMS設(shè)備 用于供電無線感應(yīng)器節(jié)點

  • 　　Holst Centre，一家專注為無線自治傳感器方案開發(fā)共用性技術(shù)的研發(fā)機構(gòu)，已經(jīng)開發(fā)一套新能量收集應(yīng)用，可生成高達 85 微瓦的功率。這種壓電式能量收集采用微機電系統(tǒng) (MEMS) - 可結(jié)合機械件、感應(yīng)器、螺線管和電子器件的小硅芯片。 　　MEMS 在過去幾十年被用于各類物品，從噴墨式打印機到汽車安全氣囊的加速度計。包裝收集器將振動轉(zhuǎn)化成能量，再收集和存儲能量，用于供電無線感應(yīng)器節(jié)點。Holst Centre工微動力生成和存儲項目的研究人員開發(fā)壓電收集方案，對溫度感應(yīng)器電，使之可以全自治方式無
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路

  • 0 引 言
    隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計中必不可少的一部分。本文在CSMC 0．5／μm CMOS工藝下，
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  • 　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。 　　在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
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兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計與研究

  • 鎖相環(huán)在通訊技術(shù)中具有重要的地位，在調(diào)制、解調(diào)、時鐘恢復、頻率合成中都扮演著不可替代的角色?？煽卣袷幤魇擎i相環(huán)的核心部分。最近，鑒于對集成電路低功耗和高集成度的追求，越來越多的研究人員投人到基于CMOS工
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中國發(fā)布首款“動芯”打破國外壟斷

  • 　　玩動感游戲時，Wii總是能精準地偵測到玩家各種動作;無論如何顛倒手中iPhone，手機屏幕都會隨之正確顯示……實現(xiàn)Wii和iPhone“運動傳感”的關(guān)鍵器件就是陀螺儀。日前，國內(nèi)首家研發(fā)商用陀螺儀系列慣性傳感器的MEMS芯片設(shè)計公司深迪半導體，發(fā)布了第一款陀螺儀產(chǎn)品SSZ030CG，這標志著第一款具有中國自主知識產(chǎn)權(quán)的商用MEMS陀螺儀誕生，同時也將打破國內(nèi)眾多消費電子廠商一直以來100%依賴進口陀螺儀芯片的局面。 　　陀螺儀是一種用來感測和維持方
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10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計

  • 1 引言
    隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模
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2013年MEMS麥克風出貨量將上升到10億個

  • 　　由于受到手機和其他應(yīng)用的青睞，2008-2013年微機電系統(tǒng)(MEMS)麥克風的全球出貨量有望增長兩倍以上。 　　預計2013年全球MEMS麥克風出貨量將達到11億個，遠高于2008年時的3.285億個。雖然這種增長前景非常強勁，但預計2009年出貨量增長減速且全球營業(yè)收入下降，這將是該市場歷史上的首次收縮。 　　MEMS麥克風是通過微機電技術(shù)在半導體上蝕刻壓力感測膜片而制成的微型麥克風，普遍應(yīng)用在手機、耳機、筆記本電腦、攝像機和汽車。 　　“在MEMS市場中，MEMS麥克風確實是最
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東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破

  • 　　東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導體技術(shù)會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進行改善，實現(xiàn)了這次突破。 　　在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動性降低，通常認為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
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高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設(shè)計

  • 0 引言
    電源管理技術(shù)近幾年已大量應(yīng)用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個基
  • 關(guān)鍵字： 穩(wěn)壓器  設(shè)計  線性  CMOS  集成  高性能  
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