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GLOBALFOUNDRIES聯(lián)盟SVTC加速MEMS量產(chǎn)
- GLOBALFOUNDRIES今天宣布與SVTC 技術(shù)公司結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟,加速進(jìn)行微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的量產(chǎn)制造。這項合作著重于技術(shù)開發(fā)合作,將有助GLOBALFOUNDRIES達(dá)成目標(biāo),成為MEMS晶圓廠的領(lǐng)導(dǎo)者。
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MEMS應(yīng)用和發(fā)展前景廣闊
- 在二十世紀(jì)90年代早期,汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中,MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間,MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用,產(chǎn)品種類逐漸增多,相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者,并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計,汽車傳感器市場在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美元。2004至2009年間,全球汽車傳感器市場的年復(fù)合增長率已經(jīng)達(dá)到了9%左右。而今,第三次MEMS應(yīng)用浪潮正在逼近,越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術(shù)領(lǐng)域。
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傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段
- 近年來,傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造,而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè),是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長點。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 微電子機(jī)械加工技術(shù),包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 MEMS的發(fā)展,把傳感器的微型化、智能化、多功能化
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傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段
- 近年來,傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造,而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè),是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長點。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 微電子機(jī)械加工技術(shù),包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 MEMS的發(fā)展,把傳感器的微型化、智能化、多功能化
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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計
- 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性,對PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動態(tài)電流反饋補償,設(shè)計了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25~+120℃范圍的溫度系數(shù)為7.427pp-m/℃,在27℃時電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計令該產(chǎn)品可實現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì),除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外,新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù)),新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR),而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
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MEMS加速汽車電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展
- 在二十世紀(jì)90年代早期,汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中,MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間,MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用,產(chǎn)品種類逐漸增多,相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者,并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計,汽車傳感器市場在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美元。2004至2009年間,全球汽車傳感器市場的年復(fù)合增長率已經(jīng)達(dá)到了9%左右。而今,第三次MEMS應(yīng)用浪潮正在逼近,越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術(shù)領(lǐng)域。 第三次應(yīng)用浪潮的臨近
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CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后,估計也會對各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 “估計一多半的半導(dǎo)體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)?!霸?0nm以
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SiTime 擴(kuò)展時鐘產(chǎn)品系列,新增業(yè)界第一款千赫可編程全硅MEMS振蕩器
- 全硅MEMS時鐘方案領(lǐng)導(dǎo)公司SiTime Corporation今天針對音響,微控制器和工控醫(yī)療等高可靠性應(yīng)用領(lǐng)先推出業(yè)界第一款編號為SiT8503的千赫(kHz)可編程全硅MEMS振蕩器。SiTime具有業(yè)界最為完整的全硅MEMS兆赫(megahertz, 或MHz)頻率時鐘產(chǎn)品系列, 包括了差分振蕩器(differential oscillators), 時鐘產(chǎn)生器(clock generators), 壓控振蕩器(VCXOs), 擴(kuò)頻時鐘產(chǎn)品(spread spectrum timing pro
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意法半導(dǎo)體:MEMS傳感器年底出貨拚10億只大關(guān)
- 意法半導(dǎo)體積極將MEMS技術(shù)拓展至醫(yī)療、工業(yè)與汽車電子等其他領(lǐng)域,意法半導(dǎo)體事業(yè)部副總裁MEMS、傳感器和高性能模擬產(chǎn)品部總經(jīng)理Benedetto Vigna表示,公司為首家以三軸數(shù)字陀螺儀打入手機(jī)市場的公司,預(yù)計用于各種領(lǐng)域的MEMS傳感器于2010年底前突破累計10億只出貨量。 游戲平臺Wii和智能型手機(jī)iPhone帶動帶動MEMS技術(shù)、產(chǎn)品及應(yīng)用的發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)iSuppli最新報告顯示,MEMS市場在2010年將持續(xù)成長,預(yù)計2010年將會締造15億美金市場,2014年更將大幅成長至
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