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世界最小 東芝宣布15nm制程NAND閃存

  • 　　東芝今天宣布世界上最小的嵌入式NAND快閃記憶體產品--15nm制程的NAND閃存芯片，這款新品符合最新的eMMC規(guī)范，可以廣泛運用在消費類數(shù)碼產品，包括智能手機，平板電腦和可穿戴設備的設計上。今天開始就有16GB容量的樣片出貨，而8/32/64/128GB容量的芯片將在隨后發(fā)售。 　　15nm NAND制程帶來了比同類產品小26%的封裝尺寸，還帶來了基礎芯片性能的提升，從而讓讀性能快大約8%，寫速快20%。預計這種芯片將在2015年開始量產，明年一季度開始鋪貨。
  • 關鍵字： 東芝  15nm  

東芝開始生產15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

  • 　　半導體行業(yè)的閃存制造工藝進步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲性能，同時也意味著SSD固態(tài)存儲設備價格的下降。過去幾年中SSD的降價幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲驅動器每GB的價格不到50美分，未來價格還將降得更低。東芝(Toshiba)當前已經(jīng)開始量產15nm工藝的MLC NAND，東芝表示這種128Gb(16GB)芯片已經(jīng)達到“全球最小級別的芯片尺寸”。 　　新型NAND閃存芯片的制造將由日本三重縣(Mie Prefecture)四日市業(yè)務部(Yokkaichi
  • 關鍵字： 東芝  15nm  

CMOS技術將迎來轉折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術意向。LSI的制造技術發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。 　　元件材料及曝光技術也會出現(xiàn)轉折 　　“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
  • 關鍵字： CMOS  15nm  立體晶體管  

Global Foundries宣布2015年將在15nm制程節(jié)點正式啟用EUV光刻技術

  • 　　在最近召開的SemiCon West產業(yè)會議上， Global Foundries 公司宣布他們將在15nm制程節(jié)點開始啟用EUV極紫外光刻技術制造半導體芯片。 Global Foundries 公司負責制程技術研發(fā)的高級副總裁Greg Bartlett還表示，公司將在紐約Fab8工廠建成后馬上開始在這家工廠部署EUV光刻設備，按之前 Global Foundries公布的計劃，這個時間點大概是在2012年下半年，與之巧合的是，光刻設備廠商ASML公司也將于這個時間點開始上市EUV光刻設備。 　　由
  • 關鍵字： GlobalFoundries  15nm  光刻  

Intel、IBM 22/15nm制程部分關鍵制造技術前瞻

  • 　　半導體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關這個問題，業(yè)界已經(jīng)討論了很久?，F(xiàn)在，決定半導體制造技術發(fā)展方向的歷史拐點即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發(fā)展方式上會有各自不同的風格和路線，但雙方均已表態(tài)稱在15nm級別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術幾乎已成定局，同時他們也都已經(jīng)在認真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結構晶體管)制造技術如三門晶體管，finFET等投入實用。 　　   　　據(jù)In
  • 關鍵字： Intel  22nm  15nm  

Intel 2013年第四季度轉向15nm制程技術?

  • 　　在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術，兩年后的2014年他們計劃轉向15nm制程。盡管有 科學家聲稱15nm制程技術尚處在研發(fā)階段，有關的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預計Intel 啟用15nm制程技術的年份會在2013年左右。
  • 關鍵字： Intel  15nm  22nm  制程技術  
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