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如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警

  • 　如何建立一個更簡單的CMOS單防區(qū)報警器說明　　這是一個簡單的單區(qū)防盜報警電路。它的功能包括自動出入境延誤和定時貝爾/警報器停產(chǎn)。它的設(shè)計是與常閉類型的輸入設(shè)備的正常使用，例如 - 磁簧聯(lián)系方式 - 微動開關(guān)
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如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器

  • 　如何構(gòu)建基于一個CMOS單防區(qū)報警器　　說明　　該電路具有自動出入延誤 - 計時鐘切斷 - 和系統(tǒng)重置。它為常開和常閉開關(guān)提供 - 并將滿足通常的輸入設(shè)備(壓力墊，磁簧接觸，鋁箔膠帶，PIRs和慣性傳感器)?！　∪绻G
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全硅MEMS振蕩器和傳統(tǒng)石英的區(qū)別

  • 　　如果說很多人把MCU或SoC主芯片比喻為現(xiàn)代電子系統(tǒng)的大腦，那么時鐘組件當(dāng)之無愧是其心臟。無論是電子工程師還是元器件采購者，在選擇時鐘組件時都會經(jīng)過全面嚴(yán)謹(jǐn)?shù)脑u估。因?yàn)橐活w健康、穩(wěn)定、持久的“心臟
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智能手機(jī)帶動MEMS傳感器市場

  • 　　智能手機(jī)應(yīng)用軟件日益龐大的生態(tài)系統(tǒng)很大程度上要?dú)w功于MEMS傳感器。事實(shí)上，由于智能手機(jī)永遠(yuǎn)在線的互聯(lián)網(wǎng)訪問和傳感器技術(shù)的不斷發(fā)展，智能手機(jī)正在快速變成地球上最大的無線傳感器網(wǎng)絡(luò)。 　　
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GLOBALFOUNDRIES聯(lián)盟SVTC加速M(fèi)EMS量產(chǎn)

  • 　　GLOBALFOUNDRIES今天宣布與SVTC 技術(shù)公司結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟，加速進(jìn)行微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的量產(chǎn)制造。這項(xiàng)合作著重于技術(shù)開發(fā)合作，將有助GLOBALFOUNDRIES達(dá)成目標(biāo)，成為MEMS晶圓廠的領(lǐng)導(dǎo)者。 　
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MEMS應(yīng)用和發(fā)展前景廣闊

  • 　　在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者，并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計，汽車傳感器市場在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美元。2004至2009年間，全球汽車傳感器市場的年復(fù)合增長率已經(jīng)達(dá)到了9%左右。而今，第三次MEMS應(yīng)用浪潮正在逼近，越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術(shù)領(lǐng)域。 　
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傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段

  • 　　近年來，傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點(diǎn)是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化，它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造，而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè)，是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的，目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 　　微電子機(jī)械加工技術(shù)，包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 　　MEMS的發(fā)展，把傳感器的微型化、智能化、多功能化
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采用單一CMOS的電感測試儀的制作方案

  • 這個測試儀的基礎(chǔ)是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區(qū)域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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日立將使用MEMS技術(shù)制造平板顯示器

  • 　　Hitachi Displays今天在日本CEATEC展會公布了新的顯示屏技術(shù)MEMS，日立展示了一款2.5英寸320x240分辨率的原型產(chǎn)品，它結(jié)合了TFT技術(shù)和MEMS數(shù)字微快門技術(shù)，提供更高的顯示效率和較小的能源消耗，功耗約為傳統(tǒng)液晶顯示器的一半并擁有更寬的色域，除此之外新的技術(shù)還淘汰了一些成本較高的液晶顯示器所需材料和部件，包括彩色濾光片，偏光片等。預(yù)計這種顯示器將在2012年年初出貨。
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傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段

  • 　　近年來，傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點(diǎn)是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化，它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造，而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè)，是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的，目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 　　微電子機(jī)械加工技術(shù)，包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 　　MEMS的發(fā)展，把傳感器的微型化、智能化、多功能化
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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計

  • 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
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全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場

  • 　　CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
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MEMS加速汽車電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

  • 　　在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者，并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計，汽車傳感器市場在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美元。2004至2009年間，全球汽車傳感器市場的年復(fù)合增長率已經(jīng)達(dá)到了9%左右。而今，第三次MEMS應(yīng)用浪潮正在逼近，越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術(shù)領(lǐng)域。 　　第三次應(yīng)用浪潮的臨近
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CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡

  • 　　邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細(xì)化競爭帶來影響。 　　元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 　　“估計一多半的半導(dǎo)體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
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