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GLOBALFOUNDRIES聯(lián)盟SVTC加速M(fèi)EMS量產(chǎn)
- GLOBALFOUNDRIES今天宣布與SVTC 技術(shù)公司結(jié)成戰(zhàn)略聯(lián)盟,加速進(jìn)行微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的量產(chǎn)制造。這項(xiàng)合作著重于技術(shù)開(kāi)發(fā)合作,將有助GLOBALFOUNDRIES達(dá)成目標(biāo),成為MEMS晶圓廠的領(lǐng)導(dǎo)者。
- 關(guān)鍵字: GLOBALFOUNDRIES MEMS
MEMS應(yīng)用和發(fā)展前景廣闊
- 在二十世紀(jì)90年代早期,汽車(chē)安全氣囊系統(tǒng)就開(kāi)始大量采用MEMS加速度計(jì)。在其后的十年中,MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間,MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用,產(chǎn)品種類(lèi)逐漸增多,相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者,并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計(jì),汽車(chē)傳感器市場(chǎng)在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美元。2004至2009年間,全球汽車(chē)傳感器市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率已經(jīng)達(dá)到了9%左右。而今,第三次MEMS應(yīng)用浪潮正在逼近,越來(lái)越多的MEMS加速度計(jì)和陀螺儀將被用于更多更新的技術(shù)領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字: MEMS 汽車(chē)傳感器
傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段
- 近年來(lái),傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點(diǎn)是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造,而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè),是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 微電子機(jī)械加工技術(shù),包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 MEMS的發(fā)展,把傳感器的微型化、智能化、多功能化
- 關(guān)鍵字: 傳感器 MEMS
傳感器處于傳統(tǒng)型向新型轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段
- 近年來(lái),傳感器正處于傳統(tǒng)型向新型傳感器轉(zhuǎn)型的發(fā)展階段。新型傳感器的特點(diǎn)是微型化、數(shù)字化、智能化、多功能化、系統(tǒng)化、網(wǎng)絡(luò)化,它不僅促進(jìn)了傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的改造,而且可導(dǎo)致建立新型工業(yè),是21世紀(jì)新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。微型化是建立在微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基礎(chǔ)上的,目前已成功應(yīng)用在硅器件上形成硅壓力傳感器。 微電子機(jī)械加工技術(shù),包括體微機(jī)械加工技術(shù)、表面微機(jī)械加工技術(shù)、LIGA技術(shù)(X光深層光刻、微電鑄和微復(fù)制技術(shù))、激光微加工技術(shù)和微型封裝技術(shù)等。 MEMS的發(fā)展,把傳感器的微型化、智能化、多功能化
- 關(guān)鍵字: 傳感器 MEMS
一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
- 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源,工作電壓為5~10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性,對(duì)PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償,設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1.3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25~+120℃范圍的溫度系數(shù)為7.427pp-m/℃,在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0.022 mm2,適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字: CMOS 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
全新APS C格式1600萬(wàn)像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場(chǎng)
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬(wàn)像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計(jì)令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專(zhuān)業(yè)攝影師所要求的高畫(huà)質(zhì),除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬(wàn)像素的靜態(tài)圖像以外,新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù)),新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR),而無(wú)需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
- 關(guān)鍵字: 圖像傳感器 CMOS
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