can sic 文章進(jìn)入can sic技術(shù)社區(qū)

使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)1200 V SiC電源模塊

簡(jiǎn)介電動(dòng)汽車、可再生能源和儲(chǔ)能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器控制這些新型半導(dǎo)體器件開和關(guān)的策略。目前最先進(jìn)的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達(dá)MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動(dòng)器的性能要求，例如，，通過(guò)去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進(jìn)的短路保護(hù)。本應(yīng)用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)，這款單通道器件的輸出驅(qū)動(dòng)能
關(guān)鍵字： DC/DC SiC

CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
關(guān)鍵字： IGBT SiC GaN

SiC MOSFET在汽車和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開關(guān)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對(duì)性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導(dǎo)體

ST進(jìn)軍工業(yè)市場(chǎng)，打造豐富多彩的工業(yè)樂(lè)園

近日，意法半導(dǎo)體（ST）在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站，ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營(yíng)銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場(chǎng)的特點(diǎn)，并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng)，能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對(duì)工業(yè)市場(chǎng)少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點(diǎn)，需要改變消費(fèi)類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式，實(shí)現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地，工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化，即一個(gè)大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用，所以產(chǎn)品會(huì)非標(biāo)準(zhǔn)化，即一個(gè)產(chǎn)品只能針對(duì)某一類小應(yīng)用/小客戶的需
關(guān)鍵字：電機(jī) MCU 電源 SiC

ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

科銳宣布與德?tīng)柛？萍奸_展汽車SiC器件合作

近日，科銳宣布與德?tīng)柛？萍迹―elphi Technologies PLC）開展汽車碳化硅（SiC）器件合作。
關(guān)鍵字：科銳德?tīng)柛？萍?/a> SiC

SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體？

　　王?瑩?（《電子產(chǎn)品世界》編輯，北京?100036）　　SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示，2025年整個(gè)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用?！　〔贿^(guò)，制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)：襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，羅姆等公司已經(jīng)有6英
關(guān)鍵字： 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC

SiC將達(dá)23億美元規(guī)模，技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體，以耐高壓、高溫和高頻，在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢(shì)。在應(yīng)用中，在光伏和服務(wù)器市場(chǎng)最大，正處于發(fā)展中的市場(chǎng)是xEV（電動(dòng)與混動(dòng)汽車）。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好，在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會(huì)得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過(guò)，制約SiC發(fā)展的，最主要的是價(jià)格，主要原因有兩個(gè)，一個(gè)是襯底，一個(gè)是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大，成本也會(huì)相應(yīng)地下降，ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面，眾廠商競(jìng)爭(zhēng)
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

德州儀器推出業(yè)界新款集成了CAN FD控制器和收發(fā)器的系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

CAN FD通信協(xié)議是基于原始CAN總線標(biāo)準(zhǔn)（又稱為“經(jīng)典CAN”）而設(shè)計(jì)的，有助于確保多種車載網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)傳輸率和吞吐量在繼續(xù)演進(jìn)的同時(shí)，汽車微控制器和連接的系統(tǒng)能夠以各種速率高效通信。
關(guān)鍵字：德州儀器 CAN FD控制器系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

看好CAN FD車載網(wǎng)絡(luò)前景，TI發(fā)布系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片

? ? ? CAN FD是一種通信協(xié)議，主要用于車載網(wǎng)絡(luò)，是CAN總線標(biāo)準(zhǔn)的升級(jí)版。自2019年以來(lái)，包括中國(guó)在內(nèi)的車廠、一級(jí)經(jīng)銷商（Tier 1）等，紛紛提出了對(duì)CAN FD芯片的需求。而在2019年以前，CAN FD幾乎無(wú)人問(wèn)津。究其原因，新能源汽車和自動(dòng)駕駛汽車對(duì)總線帶寬的需求不斷上升。照片：TI接口產(chǎn)品部門產(chǎn)品線經(jīng)理Charles Sanna? ? ? CAN FD的芯片用量非?？捎^，如果一輛汽車全部采用CAN FD，可能傳統(tǒng)車需要二十個(gè)
關(guān)鍵字： CAN FD

CAN總線冷知識(shí)-邊沿臺(tái)階是怎么來(lái)的？

你了解CAN總線波形嗎？你知道是什么因素造成CAN信號(hào)不穩(wěn)定的嗎？本文將帶你探究影響CAN波形穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)住呇嘏_(tái)階。阻抗匹配是指信號(hào)源或者傳輸線跟負(fù)載之間達(dá)到一種適合的搭配，阻抗匹配主要為了調(diào)整負(fù)載功率和抑制信號(hào)反射；然而，阻抗不匹配的現(xiàn)象在CAN總線網(wǎng)絡(luò)中隨處可見(jiàn)；如圖1所示，阻抗不匹配的將造成7個(gè)現(xiàn)象，其中最受關(guān)注的為上升沿和下降沿的臺(tái)階；下文將針對(duì)邊沿臺(tái)階的現(xiàn)象做詳細(xì)介紹。圖1 阻抗不匹配波形解釋邊沿臺(tái)階是怎么出現(xiàn)的，如何消除，對(duì)總線有何影響；一、邊沿臺(tái)階的源頭在CAN總線的網(wǎng)絡(luò)布
關(guān)鍵字： CAN 通信致遠(yuǎn)電子

更小體積！SMD封裝CAN/RS485/RS232工業(yè)總線隔離收發(fā)模塊

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介? ? ? 金升陽(yáng)近期推出高性價(jià)比、SMD封裝、小體積CAN/RS485/RS232隔離總線收發(fā)器——TDx31SCANH(FD)、TDx31S485(H/H-E/H-A)、TDx31S232H系列，協(xié)助電力、工控、交通（軌道、汽車）、儀器儀表等行業(yè)的客戶實(shí)現(xiàn)信號(hào)精準(zhǔn)地橋接。該系列進(jìn)行了產(chǎn)品性能的升級(jí)，并提升了工藝制程及可靠性。? ? ? 該系列產(chǎn)品的加工采用全貼片工藝，客戶可輕松實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化加工，大大降低加工成本。產(chǎn)品的體積L*W*H
關(guān)鍵字： SMD封裝金升陽(yáng) CAN/RS485/RS232

基于UDS的CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)設(shè)計(jì)

Design of CAN node software ypdate based on UDS馬建輝 123 ，慕永云 123 ，侯冬冬 123 ，胡代榮 123 ，朱亮 1（1.齊魯工業(yè)大學(xué)（山東省科學(xué)院），山東濟(jì)南，250353；2．山東省科學(xué)院自動(dòng)化研究所，山東濟(jì)南，250014；3．山東省汽車電子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，山東濟(jì)南，250014）?????? 摘要：汽車CAN節(jié)點(diǎn)軟件升級(jí)過(guò)程中大量頻繁的CAN通信造成網(wǎng)絡(luò)負(fù)載率升高，可能導(dǎo)致大
關(guān)鍵字： 201904 CAN節(jié)點(diǎn) 軟件升級(jí) UDS on CAN Bootloader 多幀通信

CAN一致性測(cè)試最重要的幾個(gè)測(cè)試項(xiàng)是什么？

　　CAN一致性測(cè)試在于縮小CAN網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)差異，保證CAN網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境穩(wěn)定，有效提高CAN網(wǎng)絡(luò)的抗干擾能力。因此CAN節(jié)點(diǎn)的一致性測(cè)試就顯得尤為重要。　　　　隨著新能源、智能網(wǎng)聯(lián)等概念發(fā)展，車身CAN總線環(huán)境變得復(fù)雜及紊亂，CAN節(jié)點(diǎn)質(zhì)量不穩(wěn)定給主機(jī)廠安全性帶來(lái)極大威脅。所以，CAN一致性測(cè)試已成為保證CAN網(wǎng)絡(luò)安全運(yùn)行的重要手段，CAN一致性測(cè)試內(nèi)容覆蓋了物理層、鏈路層、應(yīng)用層等測(cè)試需求，如表1 CAN一致性測(cè)試內(nèi)容(節(jié)選)所示;其中包括了輸入閾值、輸出電壓、采樣點(diǎn)、位寬容忍度重點(diǎn)測(cè)試項(xiàng)目?！　”?
關(guān)鍵字： CAN，CANDT

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個(gè)機(jī)型，產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個(gè)機(jī)型，該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2)，而且產(chǎn)品陣容豐富，擁有13個(gè)機(jī)型。　　ROHM于2010年在全球率先成功實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域，ROHM始終在推動(dòng)領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場(chǎng)，ROHM也及時(shí)確立車載品質(zhì)，并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET