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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體?！　“采腊雽?dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
關(guān)鍵字：肖特基二極，SiC

工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來(lái)使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽(yáng)能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢(shì)且設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、性價(jià)比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
關(guān)鍵字： SiC，MOSFET

為什么汽車電子行業(yè)的工程師偏愛(ài)這款示波器？

　　張涵予說(shuō)，你選擇的車，讓別人看到你的樣子，你的經(jīng)歷，甚至你的未來(lái)。對(duì)于汽車電子行業(yè)的工程師來(lái)說(shuō)，選擇一款稱手的示波器也是如此。今天來(lái)聊如何用示波器盡可能地“侵入”汽車內(nèi)部?　　如今，汽車已經(jīng)成為人類生活中最主要的交通工具?？粗蠼稚蠐矶碌钠嚕鞔髲S商各顯其招。將當(dāng)下最熱門的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用于汽車上，也就是“車聯(lián)網(wǎng)”。例如國(guó)內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)巨頭阿里巴巴聯(lián)手上汽，將其萬(wàn)物互聯(lián)的概念覆蓋到汽車領(lǐng)域?！　【湍壳皝?lái)說(shuō)，大多廠商的“車聯(lián)網(wǎng)”僅是基于傳統(tǒng)的OBD接口作為獲取車載狀態(tài)的接入點(diǎn)。并不能獲取汽車的所有通信數(shù)據(jù)。那么汽
關(guān)鍵字： CAN 車聯(lián)網(wǎng)

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)?！　≈袊?guó)電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
關(guān)鍵字： SiC

我國(guó)半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

　　6月5日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長(zhǎng)。　　中國(guó)電科二所第一事業(yè)部主任李斌說(shuō)：“這100臺(tái)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄　iC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性，成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
關(guān)鍵字： SiC

安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級(jí)SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢(shì)?！　iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒(méi)有反向恢復(fù)電流，開(kāi)關(guān)性能與溫度無(wú)關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
關(guān)鍵字：安森美 SiC

為什么主機(jī)廠愈來(lái)愈重視CAN一致性測(cè)試？

　　CAN一致性測(cè)試，就是要求整車CAN網(wǎng)絡(luò)中的節(jié)點(diǎn)都滿足CAN總線節(jié)點(diǎn)規(guī)范要求，縮小CAN網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)差異，保證CAN網(wǎng)絡(luò)的環(huán)境穩(wěn)定，有效提高CAN網(wǎng)絡(luò)的抗干擾能力?！　∧侵鳈C(jī)廠為什么愈來(lái)愈重視CAN一致性測(cè)試呢?　　一、整車CAN網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)　　以往的傳統(tǒng)車的CAN總線網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)較少，如儀表、發(fā)動(dòng)機(jī)ECU等。但隨著新能源汽車行業(yè)發(fā)展，整車CAN網(wǎng)絡(luò)中的節(jié)點(diǎn)演變得極為復(fù)雜，現(xiàn)在新能源汽車內(nèi)部CAN節(jié)點(diǎn)已經(jīng)高達(dá)60個(gè)，細(xì)分為多個(gè)CAN網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，如車身部含有空調(diào)、車門、導(dǎo)航等節(jié)點(diǎn)，安全系統(tǒng)又含有氣囊、引爆管等節(jié)點(diǎn)。
關(guān)鍵字： CAN CANScope

如何解決CAN/RS-485總線通訊異常問(wèn)題？

　　您在使用CAN或RS-485總線進(jìn)行調(diào)試時(shí)，是否遇到過(guò)偶爾通信出錯(cuò)?或者接收不到數(shù)據(jù)?一直正常使用的總線，突然出現(xiàn)大范圍的錯(cuò)誤，或者節(jié)點(diǎn)損壞?您還在為這些問(wèn)題不知所措，摸不著頭腦嗎?使用總線隔離，或許能輕易幫您解決問(wèn)題。　　實(shí)際總線應(yīng)用中，您是否遇到過(guò)以下問(wèn)題：　　1. 設(shè)備及人身安全——潛在的高壓危險(xiǎn)　　CAN、RS-485總線的使用環(huán)境非常復(fù)雜，一些惡劣的使用場(chǎng)合會(huì)存在高壓。極容易產(chǎn)生觸電危險(xiǎn)，危及人身或設(shè)備安全?！　?.遠(yuǎn)端無(wú)法接收到數(shù)據(jù)——地電勢(shì)差存在　　許多實(shí)際應(yīng)用中，通信距離可達(dá)幾千米，節(jié)
關(guān)鍵字： CAN RS-485

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號(hào)展廳318展臺(tái)展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
關(guān)鍵字：美高森美 SiC

CAN收發(fā)器發(fā)展歷程

　　在CAN通信中，收發(fā)器起到了十分相當(dāng)特別的作用。目前市面的收發(fā)器型號(hào)也是不計(jì)其數(shù)，本文則是根據(jù)收發(fā)器的發(fā)展，簡(jiǎn)單介紹幾款收發(fā)器的特點(diǎn)。　　很多年前，NXP的CAN收發(fā)器幾乎在每一個(gè)CAN節(jié)點(diǎn)上都看的到，當(dāng)時(shí)最常見(jiàn)的型號(hào)就是PCA82C250?！　≡泄こ處熭^為全面的總結(jié)了一下PCA82C250的主要特點(diǎn)，1、高速率(1Mbit/s);2、能夠完全兼容ISO11898;3、有低電流待機(jī)模式且存在過(guò)熱保護(hù);4、采用斜率控制，降低射頻干擾;5、總線上至少可掛110個(gè)節(jié)點(diǎn)，且節(jié)點(diǎn)未上電時(shí)不會(huì)干擾總線?！　『髞?lái)
關(guān)鍵字： NXP CAN

ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡?，F(xiàn)在，具體設(shè)計(jì)工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計(jì)將于2019年動(dòng)工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開(kāi)始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來(lái)，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
關(guān)鍵字： ROHM SiC

CANScope充電樁行業(yè)應(yīng)用方案

　　一、充電樁結(jié)構(gòu)　　充電樁內(nèi)部主要有充電樁控制器、計(jì)費(fèi)單元、充電機(jī)等模塊組成，主要采用CAN總線通訊。其中充電控制器與外部BMS進(jìn)行通訊，主要完成充電握手等充電過(guò)程?！　D1?充電樁內(nèi)部架構(gòu)　　二、充電樁行業(yè)CAN總線測(cè)試要求　　1、協(xié)議一致性　　充電機(jī)控制器與BMS之間CAN總線通訊必須滿足《34658-2017電動(dòng)汽車非車載傳導(dǎo)式充電機(jī)與電池管理系統(tǒng)之間的協(xié)議一致性測(cè)試》，以此驗(yàn)證充電功能是否正常。　　如果沒(méi)有通過(guò)該項(xiàng)目測(cè)試，將導(dǎo)致車樁充電時(shí)出現(xiàn)充電故障，充不上電乃至更大程度的安全隱患問(wèn)題
關(guān)鍵字：充電樁 CAN

ROHM炫動(dòng)慕展，為汽車車載帶來(lái)一大波方案

　　ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海電子展"，并占據(jù)館內(nèi)的入口人氣位置，以炫動(dòng)的賽車和動(dòng)感十足的汽車產(chǎn)品，吸引觀眾的眼球。那么，這次ROHM重點(diǎn)帶來(lái)了什么汽車新品?　　據(jù)悉，此次展會(huì)圍繞“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”，重點(diǎn)展示了功率電源產(chǎn)品及解決方案?！　D：ROHM展臺(tái)設(shè)在展館入口處，動(dòng)感賽車吸引眼球　　賽車性能突破極限，因?yàn)橛蠸iC　　視頻上吸睛的車隊(duì)是文圖瑞電動(dòng)方程式車隊(duì)?(Venturi?Formula?E?Team)?，RO
關(guān)鍵字： ROHM SiC

SiC和GaN產(chǎn)品市場(chǎng)趨勢(shì)及力特提供的產(chǎn)品

硅半導(dǎo)體器件在過(guò)去數(shù)十年間長(zhǎng)期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應(yīng)用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無(wú)法克服的優(yōu)勢(shì)正在日益普及。
關(guān)鍵字：力特，SiC，GaN

新一代功率器件動(dòng)向：SiC和GaN

更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實(shí)施更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達(dá)到最高能效。
關(guān)鍵字：安森美，SiC，GaN