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2013中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇即將盛大開(kāi)幕

- 2013年11月8日,中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇組委會(huì)在上海召開(kāi)新聞發(fā)布會(huì),向行業(yè)各界人士、媒體介紹將于2013年11月13日至15日在上海新國(guó)際博覽中心W5館舉辦的2013中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)暨高峰論壇。
- 關(guān)鍵字: IC設(shè)計(jì) 物聯(lián)網(wǎng) 3D
第三次工業(yè)革命與當(dāng)代中國(guó):3D打印重組世界
- 3D打印(3DPrinting)技術(shù),又稱“添加制造”(AdditiveManufacturing)技術(shù)。根據(jù)美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì)(ASTM)2009年成立的添加制造技術(shù)子委員會(huì)F42公布的定義,“添加制造”技術(shù)是“一種與傳統(tǒng)的材料去除加工方法相反的,基于三維數(shù)字模型的,通常采用逐層制造方式將材料結(jié)合起來(lái)的工藝,同義詞包括添加成型、添加工藝、添加技術(shù)、添加分層制造、分層制造,以及無(wú)模成型”。不過(guò),為與現(xiàn)下流行的“3D&r
- 關(guān)鍵字: 3D 打印
10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲
- 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期,第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩,10月合約價(jià)看漲。 集邦科技表示,海力士(Hynix)中國(guó)大陸無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)意外,不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲,同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 集邦科技指出,盡管NANDFlash市場(chǎng)銷售并無(wú)好轉(zhuǎn)跡象,不過(guò),海力士無(wú)錫廠復(fù)工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。 集邦預(yù)期,近期1至2個(gè)月
- 關(guān)鍵字: 快閃存儲(chǔ)器 NAND
TSMC和Cadence合作開(kāi)發(fā)3D-IC參考流程以實(shí)現(xiàn)真正的3D堆疊
- ? 新參考流程增強(qiáng)了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計(jì) ? 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲(chǔ)器進(jìn)行過(guò)流程驗(yàn)證 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ:CDNS)今天宣布,臺(tái)積電與Cadence合作開(kāi)發(fā)出了3D-IC參考流程,該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過(guò)基于Wide I/O接口的3D堆疊,在邏輯搭載存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)上進(jìn)行了驗(yàn)證 ,可實(shí)現(xiàn)多塊模的整合。它將臺(tái)積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合,包
- 關(guān)鍵字: Cadence 3D-IC
達(dá)索系統(tǒng)發(fā)布SOLIDWORKS 2014版本
- 全球3D設(shè)計(jì)、3D數(shù)字樣機(jī)、產(chǎn)品全生命周期管理(PLM)解決方案和3D體驗(yàn)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)索系統(tǒng)(Dassault Systèmes)(巴黎歐洲證券交易所:#13065, DSY.PA)今日發(fā)布了SOLIDWORKS® 2014 3D軟件產(chǎn)品組合,涵蓋了3D CAD、仿真、產(chǎn)品數(shù)據(jù)管理、技術(shù)溝通和電氣設(shè)計(jì),助力企業(yè)突破限制,實(shí)現(xiàn)更多創(chuàng)新設(shè)計(jì)。 全新發(fā)布的SOLIDWORKS 2014版本提供了卓越的生產(chǎn)效率和可用性,使得企業(yè)可以更專注于知識(shí)密集型任務(wù),從而推動(dòng)產(chǎn)品的創(chuàng)新。
- 關(guān)鍵字: SOLIDWORKS 3D
半導(dǎo)體領(lǐng)域“3D”技術(shù)日益重要
- 最近,“三維”一詞在半導(dǎo)體領(lǐng)域出現(xiàn)得十分頻繁。比如,英特爾采用22nm工藝制造的采用立體通道結(jié)構(gòu)的“三維晶體管”、8月份三星電子宣布量產(chǎn)的“三維NAND閃存”,以及利用TSV(硅通孔)來(lái)層疊并連接半導(dǎo)體芯片的“三維LSI”等。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,原來(lái)的二維微細(xì)化(定標(biāo),Scaling)已逐步接近極限,各種三維技術(shù)變得十分必要。三維晶體管已廣泛應(yīng)用于微處理器,三維NAND閃存也有望在2014年以后、以服務(wù)器
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 3D
3d-nand介紹
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