3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區(qū)

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

編者按：8月初，Spansion宣布兩項(xiàng)重大舉措：一，完成對(duì)富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購(gòu);二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?jiàn)，Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國(guó)代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對(duì)華戰(zhàn)略如何?
關(guān)鍵字：富士通 Spansion MCU NAND 201309

國(guó)際半導(dǎo)體展聚焦3D IC綠色制程

　　SEMICON Taiwan 2013國(guó)際半導(dǎo)體展下月起跑，今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機(jī)械及系統(tǒng)級(jí)封裝等為主題，另有LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極體)制程特展，同時(shí)也將舉辦15場(chǎng)國(guó)際論壇及邀請(qǐng)多家知名企業(yè)主參與，預(yù)料將成注目焦點(diǎn)。　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，今
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 3D

搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位

　　三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂，導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過(guò)，近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案，有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸，并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率，讓成本盡快達(dá)到市場(chǎng)甜蜜點(diǎn)。　　工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強(qiáng)調(diào)，3DIC材料占整體制程成本三成以上，足見(jiàn)其對(duì)終端晶片價(jià)格的影響性。　　工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示，高昂成本向來(lái)是3DIC
關(guān)鍵字：晶圓 3D

三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND

　　三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

　　不讓韓國(guó)三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

據(jù)IHS公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，今年第一季度中國(guó)低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
關(guān)鍵字： IHS NAND

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級(jí)本與PC平板領(lǐng)域

據(jù)IHS公司的存儲(chǔ)市場(chǎng)追蹤報(bào)告，超薄/超級(jí)本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動(dòng)了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
關(guān)鍵字： IHS SSD NAND HDD

半導(dǎo)體廠談3D IC應(yīng)用

　　半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化，集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢(shì)。2.5D IC從設(shè)計(jì)工具、制造、封裝測(cè)試等所有流程的解決方案大致已準(zhǔn)備就緒，今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力，以期2014年能讓2.5D IC正式進(jìn)入量產(chǎn)。　　SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級(jí)封測(cè)國(guó)際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺(tái)灣最大半導(dǎo)體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國(guó)際半導(dǎo)體展)同期登場(chǎng)，特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 3D

SEMI：3D IC最快明年可望正式量產(chǎn)

　　國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)指出，半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化，整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發(fā)展趨勢(shì)，2.5D IC從設(shè)計(jì)工具、制造、封裝測(cè)試等所有流程的解決方案大致已準(zhǔn)備就緒，以期2014年能讓2.5D IC正式進(jìn)入量產(chǎn)。　　SEMI臺(tái)灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示，2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟，產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升，業(yè)界預(yù)估明后
關(guān)鍵字： 3D IC

Stratasys 3D 打印美履閃耀巴黎時(shí)裝周

全球3D 打印領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領(lǐng)者——Stratasys公司(納斯達(dá)克代碼：SSYS)于日前宣布為巴黎時(shí)裝周帶來(lái)12 雙由 3D打印機(jī)制作的時(shí)裝鞋，亮相著名荷蘭設(shè)計(jì)師艾里斯?范?荷本的“狂野之心”(Wilderness Embodied)系列展。
關(guān)鍵字： Stratasys 3D 打印機(jī)

Stratasys主席兼CIO獲制造工程師學(xué)會(huì)頒發(fā)的行業(yè)杰出成就獎(jiǎng)

全球 3D 打印領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領(lǐng)者—Stratasys公司(納斯達(dá)克代碼：SSYS)非常榮幸地宣布其董事會(huì)主席兼研發(fā)負(fù)責(zé)人Scott Crump于6月12日被制造工程師學(xué)會(huì)(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術(shù)及增材制造(RTAM)行業(yè)杰出成就獎(jiǎng)(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
關(guān)鍵字： Stratasys 3D

Alchimer與CEA-Leti簽署協(xié)作合約

日前，Alchimer, SA 宣布與法國(guó)研究機(jī)構(gòu)CEA-Leti 達(dá)成協(xié)作合約，以評(píng)估和實(shí)施Alchimer為300mm 大批量生產(chǎn)的濕式沉積工藝。該專案將為隔離層、阻擋層和晶種層評(píng)估Alchimer 的Electrografting (eG?) 和Chemicalgrafting (cG?) 制程。
關(guān)鍵字： Alchimer 3D TSV

芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì)，2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè)，2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。　　當(dāng)然，SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過(guò)高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
關(guān)鍵字：芯片制造 NAND

2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷明年會(huì)變好

　　根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收會(huì)增長(zhǎng)10%。　　這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI，這表明此前他們對(duì)2013年的樂(lè)觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始，以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。　　不過(guò)SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
關(guān)鍵字：芯片制造 NAND

中國(guó)廠商成全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)新引擎

　　導(dǎo)語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長(zhǎng)也開(kāi)始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國(guó)移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，以及中國(guó)移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國(guó)力量正成為全球芯片行業(yè)增長(zhǎng)的新引擎。　　以下為文章全文：　　重新掌握主動(dòng) 　　隨著中國(guó)低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國(guó)移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國(guó)目前已取代美國(guó)，成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
關(guān)鍵字： DRAM NAND