矽穿孔文章進(jìn)入矽穿孔技術(shù)社區(qū)

矽穿孔技術(shù)襄助　3D IC提高成本效益

　　應(yīng)用直通矽晶穿孔(TSV)技術(shù)的三維積體電路(3DIC)為半導(dǎo)體業(yè)界提供全新境界的效率、功耗、效能及體積優(yōu)勢(shì)。然而，若要讓3DIC成為主流，還必須執(zhí)行許多基礎(chǔ)的工作。電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)業(yè)者提供周延的解決方案支援3DIC革命，包括類比與數(shù)位設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、封裝與印刷電路板(PCB)設(shè)計(jì)工具。半導(dǎo)體廠可以運(yùn)用這個(gè)解決方案，滿足高效率設(shè)計(jì)應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC的所有需求。　　隨著更高密度、更大頻寬與更低功耗的需求日益增加，許多IC團(tuán)隊(duì)都在期待應(yīng)用TSV技術(shù)的3DIC。3DIC以更小的體積容納豐富的
關(guān)鍵字：矽穿孔 3D

　　國(guó)研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術(shù)，可將訊號(hào)傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預(yù)計(jì)今年便可運(yùn)用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國(guó)內(nèi)記憶體、面板及晶圓代工產(chǎn)業(yè)合作，估計(jì)技轉(zhuǎn)金約需上億元，是國(guó)研院截至目前為止的最高技轉(zhuǎn)金額。　　新世代要求多功能、可攜式智慧行動(dòng)裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理，因此近年來積體電路(IC)制作漸由平面2DIC衍伸出立體結(jié)構(gòu)的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號(hào)傳輸距離。目前半導(dǎo)體廠制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術(shù)」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導(dǎo)線連
關(guān)鍵字：矽穿孔芯片

　　行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品市場(chǎng)持續(xù)朝產(chǎn)品薄化方向設(shè)計(jì)，目前相關(guān)設(shè)計(jì)多使用整合晶片減少元件用量，對(duì)于異質(zhì)核心的封裝整合，若仍使用舊有的封裝技術(shù)將會(huì)造成成品元件仍具一定程度占位面積，必須利用堆疊與更復(fù)雜的3DIC技術(shù)進(jìn)行元件整合的積極微縮設(shè)計(jì)… 　　矽晶片的制程技術(shù)，一直是推進(jìn)行動(dòng)終端產(chǎn)品躍進(jìn)式升級(jí)、改善的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，以往透過SoC(systemonachip)將不同用途的異質(zhì)核心進(jìn)行整合，目前已經(jīng)產(chǎn)生簡(jiǎn)化料件、縮減關(guān)鍵元件占位面積的目的，但隨著使用者對(duì)于行動(dòng)裝置或可攜式裝置的薄化、小型化要求越來越高，
關(guān)鍵字： 3D 制程矽穿孔

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