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盧超群:往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭

- 臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(TSIA)理事長(zhǎng)暨鈺創(chuàng)科技董事長(zhǎng)盧超群表示,今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年,3D IC元年最快明年來(lái)臨,往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭,重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)的爆發(fā)性成長(zhǎng)。 隨著矽元件趨近納米極限,摩爾定律開(kāi)始遭遇瓶頸,各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律 存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)公司鈺創(chuàng)董事長(zhǎng)盧超群上半年接任臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)理事長(zhǎng),他希望透過(guò)協(xié)會(huì)的影響力,帶領(lǐng)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項(xiàng)國(guó)際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì),并讓國(guó)內(nèi)外科技投
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國(guó)際半導(dǎo)體展 聚焦3D IC綠色制程
- SEMICON Taiwan 2013國(guó)際半導(dǎo)體展下月起跑,今年將以3D IC(3-Dimensional Integrated Circuit,立體堆疊晶片)、綠色制程、精密機(jī)械及系統(tǒng)級(jí)封裝等為主題,另有LED(Light Emitting Diode,發(fā)光二極體)制程特展,同時(shí)也將舉辦15場(chǎng)國(guó)際論壇及邀請(qǐng)多家知名企業(yè)主參與,預(yù)料將成注目焦點(diǎn)。 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,今
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搞定晶圓貼合/堆疊材料 3D IC量產(chǎn)制程就位
- 三維晶片(3DIC)商用量產(chǎn)設(shè)備與材料逐一到位。3DIC晶圓貼合與堆疊制程極為復(fù)雜且成本高昂,導(dǎo)致晶圓廠與封測(cè)業(yè)者遲遲難以導(dǎo)入量產(chǎn)。不過(guò),近期半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)者已陸續(xù)發(fā)布新一代3DIC制程設(shè)備與材料解決方案,有助突破3DIC生產(chǎn)瓶頸,并減低晶圓薄化、貼合和堆疊的損壞率,讓成本盡快達(dá)到市場(chǎng)甜蜜點(diǎn)。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍強(qiáng)調(diào),3DIC材料占整體制程成本三成以上,足見(jiàn)其對(duì)終端晶片價(jià)格的影響性。 工研院材化所高寬頻先進(jìn)構(gòu)裝材料研究室研究員鄭志龍表示,高昂成本向來(lái)是3DIC
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)
- 不讓韓國(guó)三星專美于前,日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。 這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后,東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定,因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。 研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì),去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
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半導(dǎo)體廠談3D IC應(yīng)用
- 半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,集成不同芯片堆疊而成的3D IC將成為主流發(fā)展趨勢(shì)。2.5D IC從設(shè)計(jì)工具、制造、封裝測(cè)試等所有流程的解決方案大致已準(zhǔn)備就緒,今年最重要的課題即在于如何提升其量產(chǎn)能力,以期2014年能讓2.5D IC正式進(jìn)入量產(chǎn)。 SiP Global Summit 2013(系統(tǒng)級(jí)封測(cè)國(guó)際高峰論壇)將于9月5日至6日與臺(tái)灣最大半導(dǎo)體專業(yè)展覽SEMICON Taiwan 2013(國(guó)際半導(dǎo)體展)同期登場(chǎng),特別邀請(qǐng)臺(tái)積電、日月光、矽品、欣興電子、Amkor、Qualcomm、STATS C
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SEMI:3D IC最快明年可望正式量產(chǎn)
- 國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI)指出,半導(dǎo)體技術(shù)走向系統(tǒng)化,整合不同晶片堆疊而成的3D IC(立體堆疊晶片)將成為主流發(fā)展趨勢(shì),2.5D IC從設(shè)計(jì)工具、制造、封裝測(cè)試等所有流程的解決方案大致已準(zhǔn)備就緒,以期2014年能讓2.5D IC正式進(jìn)入量產(chǎn)。 SEMI臺(tái)灣暨東南亞區(qū)總裁曹世綸表示,2.5D及3D IC制程解決方案已經(jīng)逐漸成熟,產(chǎn)業(yè)界目前面臨最大的挑戰(zhàn)是量產(chǎn)能力如何提升,業(yè)界預(yù)估明后
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Stratasys主席兼CIO獲制造工程師學(xué)會(huì)頒發(fā)的行業(yè)杰出成就獎(jiǎng)

- 全球 3D 打印領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)、快速原型與快速制造的引領(lǐng)者—Stratasys公司(納斯達(dá)克代碼:SSYS)非常榮幸地宣布其董事會(huì)主席兼研發(fā)負(fù)責(zé)人Scott Crump于6月12日被制造工程師學(xué)會(huì)(Society of Manufacturing Engineers SME)授予快速成型技術(shù)及增材制造(RTAM)行業(yè)杰出成就獎(jiǎng)(the Rapid Technologies and Additive Manufacturing Industry Achievement Award)。
- 關(guān)鍵字: Stratasys 3D
芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,芯片廠商尚未打破增長(zhǎng)-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是,盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(zhǎng)的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。 SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì),2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè),2014年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將猛增21%。 當(dāng)然,SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營(yíng)收作出過(guò)高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營(yíng)收將增長(zhǎng)約1
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d-nand的理解,并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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