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3d-ic 文章 進(jìn)入3d-ic技術(shù)社區(qū)
美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

- 美光公司日前開(kāi)始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫(xiě)入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動(dòng)器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價(jià)為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項(xiàng),而且我們發(fā)現(xiàn)有越來(lái)越多的電腦設(shè)備開(kāi)始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場(chǎng)所淘汰,不過(guò)必須承認(rèn)的
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
三星3D V-NAND固態(tài)盤(pán)加速企業(yè)閃存進(jìn)化
- 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級(jí)應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤(pán)存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤(pán)。最新用于固態(tài)盤(pán)V-NAND技術(shù)帶來(lái)性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
- 關(guān)鍵字: 三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤(pán)
SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。5月14日,Intel Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop,I
- 關(guān)鍵字: 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)
IR多功能IRS2983控制IC 為高性能調(diào)光應(yīng)用簡(jiǎn)化而設(shè)
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 (International R
- 關(guān)鍵字: LED 驅(qū)動(dòng) IR IC
3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言,存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前,我國(guó)筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國(guó)產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購(gòu)規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購(gòu)規(guī)模為66.7億美元
- 關(guān)鍵字: 3D NAND DRAM
如何判定電路中IC的是否工作?
- 如何準(zhǔn)確判斷電路中集成電路IC的是否工作,是好是壞是修理電視、音響、錄像設(shè)備的一個(gè)重要內(nèi)容,判斷不準(zhǔn),往往花大力氣換上新集成電路而故障依然存在,所以要對(duì)集成電路作出正確判斷。 1、首先要掌握該電路中IC的用途、內(nèi)部結(jié)構(gòu)原理、主要電特性等,必要時(shí)還要分析內(nèi)部電原理圖。除了這些,如果再有各引腳對(duì)地直流電壓、波形、對(duì)地正反向直流電阻值,那么,對(duì)檢查前判斷提供了更有利條件; 2、然后按故障現(xiàn)象判斷其部位,再按部位查找故障元件。有時(shí)需要多種判斷方法去證明該器件是否確屬損壞。 3、一般對(duì)電路中I
- 關(guān)鍵字: IC 集成電路
臺(tái)媒:再不開(kāi)放陸資,臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)危矣
- 社會(huì)高度關(guān)注政客民意調(diào)查的“死亡交叉”,卻少有人注意到另一個(gè)死亡交叉的出現(xiàn),臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的營(yíng)收在今年已被大陸超越。蔡政府迫于情勢(shì),近日傳出有意“默許”業(yè)者轉(zhuǎn)經(jīng)第三地赴大陸投資。 臺(tái)IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值 被陸超越 IC設(shè)計(jì)繞過(guò)審查登陸 蔡默許不管 我們認(rèn)為,政府這種思維與作法只能以“一錯(cuò)再錯(cuò)”名之,先錯(cuò)估產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)與需求,強(qiáng)硬阻擋兩岸IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)合作,確定情勢(shì)不利后,竟不肯“開(kāi)大門(mén),走大道”,
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu),成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
能與IC整合的超小尺寸光探測(cè)器

- 德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT)研究人員成功開(kāi)發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器,占位面積不到100平方微米… 玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時(shí)代的傳輸高速公路──德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (Karlsruhe Institute of Technology,KIT)研究人員成功開(kāi)發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器(photo detector),是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),研究人員聲稱其占位面積不到100平
- 關(guān)鍵字: IC 光探測(cè)器
3d-ic介紹
3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]
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