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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d x-dram

SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

  • 2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶(hù)公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長(zhǎng)，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿(mǎn)足
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利基型DRAM市場(chǎng)Q2回穩(wěn)

  • 據(jù)媒體報(bào)道，盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶(hù)洽談合約價(jià)格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)、制造與銷(xiāo)售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲(chǔ)器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲(chǔ)器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)3月30日調(diào)查指出，即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
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2023年內(nèi)存芯片趨勢(shì)

  • 2023 年，存儲(chǔ)芯片的跌勢(shì)仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
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第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見(jiàn)止跌訊號(hào)

  • TrendForce集邦咨詢(xún)表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過(guò)，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見(jiàn)終止，在目前原廠庫(kù)存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買(mǎi)方已連續(xù)三季大減采購(gòu)量，目前買(mǎi)方的PC DRAM庫(kù)存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
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DRAM市況何時(shí)回溫？存儲(chǔ)廠商這樣說(shuō)

  • 當(dāng)前，由于消費(fèi)電子市場(chǎng)需求持續(xù)疲弱，當(dāng)前存儲(chǔ)器賣(mài)方面臨庫(kù)存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下探。為避免存儲(chǔ)器產(chǎn)品再出現(xiàn)大幅跌價(jià)，多家供應(yīng)商已經(jīng)開(kāi)始積極減產(chǎn)，盡管2023年第一季價(jià)格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢(xún)?nèi)灶A(yù)估當(dāng)季DRAM價(jià)格跌幅將達(dá)13~18%，NAND Flash均價(jià)跌幅為10~15%。對(duì)于第二季DRAM產(chǎn)業(yè)市況發(fā)展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉(zhuǎn)南亞科總經(jīng)理李培英認(rèn)為，受高通貨膨脹與供應(yīng)鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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內(nèi)存雙雄：市況否極泰來(lái)

  • 華邦消費(fèi)性電子應(yīng)用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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存儲(chǔ)器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價(jià)格續(xù)跌，加上庫(kù)存水位過(guò)高，終端消費(fèi)支出持續(xù)放緩，據(jù)外電消息，韓國(guó)三星電子及SK海力士本季度的芯片業(yè)務(wù)恐因提列庫(kù)存損失而面臨數(shù)十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產(chǎn)及跌價(jià)導(dǎo)致?tīng)I(yíng)收及毛利率持續(xù)下滑，第一季本業(yè)虧損恐將在所難免。據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，三星電子3月19日提交給韓國(guó)金融監(jiān)督院的申報(bào)文件中指出，截至去年第四季，整體庫(kù)存資產(chǎn)達(dá)到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠(yuǎn)高于2021年的41.4兆韓元并創(chuàng)下歷史新高。其中，占三星營(yíng)收比重最高的半導(dǎo)
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平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱(chēng)，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱(chēng)這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
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三大存儲(chǔ)模組廠商談產(chǎn)業(yè)前景

  • 存儲(chǔ)模組大廠威剛認(rèn)為，以供給面而言，DRAM供給相對(duì)單純且市場(chǎng)庫(kù)存水位較低，看好DRAM價(jià)格回溫時(shí)間可望早于NAND Flash。目前消費(fèi)性需求尚未全面復(fù)蘇，第一季DRAM與NAND Flash合約價(jià)仍有小幅下跌壓力，但存儲(chǔ)器中下游業(yè)者庫(kù)存調(diào)整已歷經(jīng)近一年時(shí)間，并也降至相對(duì)健康水位，因此只要存儲(chǔ)器價(jià)格明確落底，市場(chǎng)備貨需求將可望快速啟動(dòng)，加速產(chǎn)業(yè)供需平衡。威剛預(yù)估，第一季營(yíng)收走勢(shì)可望逐月走升，第二季優(yōu)于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認(rèn)為，DRAM上半年仍會(huì)處于供過(guò)于求，但在原廠減產(chǎn)、減少資本支
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)模組  威剛  宇瞻  DRAM  

外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開(kāi)發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線(xiàn)寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
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TrendForce：2023 年 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重將達(dá) 37.6%，超越 Mobile DRAM

  • IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今日發(fā)布報(bào)告稱(chēng)，2023 年的 Server DRAM 位元產(chǎn)出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢(xún)報(bào)告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續(xù)將原先配置給 Mobile DRAM 的產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至前景相對(duì)強(qiáng)勁穩(wěn)健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機(jī)出貨增長(zhǎng)率與平均搭載容量成長(zhǎng)率仍保守，原廠的
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威剛：內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季度起恢復(fù)增長(zhǎng)動(dòng)能

  • IT之家 2 月 10 日消息，據(jù)威剛官方消息，威剛 1 月合并營(yíng)收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺(tái)幣。威剛表示，公司短期內(nèi)仍將維持彈性且謹(jǐn)慎的庫(kù)存策略，并隨時(shí)掌握產(chǎn)業(yè)變化，預(yù)期內(nèi)存產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈庫(kù)存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費(fèi)性需求回籠，以及各項(xiàng)產(chǎn)品單機(jī)內(nèi)存搭載容量快速成長(zhǎng)，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)需求有望從第三季起恢復(fù)成長(zhǎng)動(dòng)能。威剛董事長(zhǎng)陳立白進(jìn)一步指出，目前公司對(duì)內(nèi)存景氣展望不變，預(yù)期本季內(nèi)存價(jià)格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應(yīng)商獲利不再且投片態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守，DRAM 與 NAND
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存儲(chǔ)設(shè)備庫(kù)存擠壓嚴(yán)重，各類(lèi)儲(chǔ)存卡、SSD 價(jià)格暴跌：最低 3.59 元起

  • 2023 年 2 月 7 日消息，據(jù) DT 報(bào)道稱(chēng)主要存儲(chǔ)廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲(chǔ)大廠們的芯片庫(kù)存仍在不斷膨脹擠壓中，庫(kù)存壓力巨大。不斷增長(zhǎng)的庫(kù)存壓力也讓供銷(xiāo)商對(duì)終端出貨的預(yù)期保持謹(jǐn)慎，甚至預(yù)測(cè)到 2023 年第四季度才能回暖。價(jià)格方面，目前 DRAM 內(nèi)存芯片價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價(jià)格預(yù)計(jì)一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲(chǔ)存卡、固態(tài)硬盤(pán) SSD 的用戶(hù)，近期好價(jià)可以選擇入手！
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TrendForce：預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器 DRAM 價(jià)格跌幅約 20%-25%

  • IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)最新報(bào)告指出，全球經(jīng)濟(jì)持續(xù)疲軟，促使北美四大云服務(wù)供應(yīng)商下修 2023 年服務(wù)器采購(gòu)量，且數(shù)字可能持續(xù)下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)預(yù)計(jì)，四家廠商服務(wù)器采購(gòu)量由原先預(yù)估的同比增長(zhǎng) 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務(wù)器整機(jī)出貨年增率下降到 1.87%，進(jìn)一步加劇 Server DRAM 供
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3d x-dram介紹

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