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3d nand 文章 最新資訊

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

  • 據(jù)媒體報道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實驗進行的。根據(jù)報道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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NAND價格能否“觸底反彈”？

  • 全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應(yīng)對這一不利局面，廠商開始減產(chǎn)以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。
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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關(guān)計劃，可能長期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動：第一，需求疲軟
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應(yīng)對降價：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

  • 1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對全球NAND供應(yīng)過剩導(dǎo)致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產(chǎn)品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時
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李飛飛對計算機視覺的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能

  • 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個類別的物體和動物。2012 年，一個名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠遠超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開發(fā)和量產(chǎn)部門，任命首席開發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  • 12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開發(fā)部門整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動世界

  • 12月5日消息，美國當(dāng)?shù)貢r間周三，谷歌旗下人工智能研究機構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個可愛的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個交互式的實時場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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3Q24 NAND Flash營收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復(fù)蘇

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷售單價（ASP）上漲7%，帶動產(chǎn)業(yè)整體營收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價格走勢在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價格季增近15%，消費級SSD價格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產(chǎn)品因中國手機品牌嚴(yán)守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響，合約價反
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Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

  • Teledyne DALSA推出在線3D機器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

  • 據(jù)韓媒報道，三星近期將開始銷售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國西安的NAND工廠。報道稱，三星近期正在半導(dǎo)體部門（DS）實施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計出售程序?qū)⒂诿髂暾介_始，銷售的設(shè)備大部分是100級3D NAND設(shè)備。自去年以來，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

  •  10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce：預(yù)計 Q4 NAND Flash 合約價將下調(diào) 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產(chǎn)品銷售不如預(yù)期，采購策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計新標(biāo)準(zhǔn)

  • 臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r間25日展開，除表揚包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設(shè)計構(gòu)建管理處負責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

  • 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款A(yù)M9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負責(zé)人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動駕駛汽車廠商合作，為這些企業(yè)提
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3d nand介紹

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