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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？兩座NAND工廠開工率提高至100%

  • 據(jù)日經(jīng)新聞報道，鑒于市場正在復(fù)蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個月的減產(chǎn)行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對需求低迷的市場環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會繼續(xù)根據(jù)
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Omdia：2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
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三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

  • 據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標，靠它實現(xiàn)？

  • 三星電子計劃實現(xiàn)“PB級”存儲器目標。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實現(xiàn)目標，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現(xiàn)超過1000 TB的存儲容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

  • · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

  • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當時從合約價先行指標的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%

  • 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

  • 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計今年量產(chǎn)

  • 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)，并在部分?Crucial?英睿達固態(tài)硬盤（SSD）中出貨。與此同時，美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級存儲客戶量產(chǎn)，并向?PC OEM?廠商出樣。這些進展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動
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如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

  • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
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Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體，最先進的點云

  • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發(fā)布中，我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質(zhì)量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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3d nand介紹

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