3d nand 文章最新資訊

美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認(rèn)證

美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級(jí) NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴(yán)苛環(huán)境使用而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了嚴(yán)格的測(cè)試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動(dòng)態(tài)老化。它還基于美國(guó)軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗(yàn)證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
關(guān)鍵字：美光內(nèi)存 NAND

鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲(chǔ)器開始送樣

全球存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲(chǔ)器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計(jì)劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)的多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
關(guān)鍵字：鎧俠 3D 閃存 TLC存儲(chǔ)器閃存 3D閃存

中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃通過使用國(guó)產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國(guó)制裁

(圖片來源：YMTC)長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)有限公司（YMTC），中國(guó)領(lǐng)先的 NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，這基本上禁止了其獲取先進(jìn)制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計(jì)劃今年擴(kuò)大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲(chǔ)器生產(chǎn)市場(chǎng)的 15%，據(jù)《Digitimes》報(bào)道。該公司還計(jì)劃建設(shè)一條僅使用中國(guó)制造設(shè)備的試驗(yàn)生產(chǎn)線。YMTC 將擴(kuò)大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動(dòng)據(jù) DigiTimes 報(bào)道，預(yù)計(jì)到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達(dá)到每月
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 內(nèi)存

中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技（CXMT）和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國(guó)內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
關(guān)鍵字： CXMT YMTC DRAM NAND

NAND Flash合約價(jià) Q3看漲10%

根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價(jià)格走勢(shì)，預(yù)估平均合約價(jià)將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機(jī)下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場(chǎng)因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強(qiáng)第三季回補(bǔ)動(dòng)能。而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機(jī)潮，以及DeepSeek一體機(jī)熱潮，皆帶動(dòng)client SSD需求。此外，部分原廠積極推動(dòng)大容量QLC產(chǎn)品，帶動(dòng)出貨規(guī)模。綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
關(guān)鍵字： NAND Flash

在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生

從5月29日美國(guó)政府頒布對(duì)華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時(shí)間里中美之間的博弈從未停止，但對(duì)于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實(shí)力。作為芯片設(shè)計(jì)最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計(jì)工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場(chǎng)全球性的競(jìng)賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個(gè)領(lǐng)域。在過去幾個(gè)月美國(guó)四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢(shì)，這些趨
關(guān)鍵字： EDA 3D IC 數(shù)字孿生

美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND

SSD?對(duì)于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗(yàn)和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計(jì)的高性價(jià)比客戶端存儲(chǔ)解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
關(guān)鍵字：美光自適應(yīng)寫入 QLC NAND

西門子EDA推新解決方案，助力簡(jiǎn)化復(fù)雜3D IC的設(shè)計(jì)與分析流程

●? ?全新?Innovator3D IC?套件憑借算力、性能、合規(guī)性及數(shù)據(jù)完整性分析能力，幫助加速設(shè)計(jì)流程●? ?Calibre 3DStress?可在設(shè)計(jì)流程的各個(gè)階段對(duì)芯片封裝交互作用進(jìn)行早期分析與仿真西門子數(shù)字化工業(yè)軟件日前宣布為其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化?(EDA)?產(chǎn)品組合新增兩大解決方案，助力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)攻克?2.5D/3D?集成電路?(IC)?設(shè)計(jì)與制造的復(fù)雜挑戰(zhàn)。西門
關(guān)鍵字：西門子EDA 3D IC

DDR4漲勢(shì)Q4觸頂、NAND持平

TrendForce最新釋出的存儲(chǔ)器市場(chǎng)觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價(jià)格漲勢(shì)，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場(chǎng)雖受惠AI需求帶動(dòng)，但因供需未形成緊張態(tài)勢(shì)，價(jià)格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強(qiáng)勁漲勢(shì)，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場(chǎng)搶貨潮，但這波動(dòng)能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價(jià)格進(jìn)入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價(jià)格趨勢(shì)穩(wěn)定，2025年第二、三季價(jià)格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。不過，部分二線OE
關(guān)鍵字： DDR4 NAND

如何讓QLC技術(shù)成為主流？

縱觀整個(gè)電子行業(yè)，往更高密度的集成電路發(fā)展無疑是主流趨勢(shì)。相對(duì)于邏輯電路追求晶體管密度提升，類似于FLASH NAND這樣的非易失性存儲(chǔ)還需要考慮到電子的穩(wěn)定保存，單純的提升制造工藝并不能很好的解決所有存儲(chǔ)問題，在穩(wěn)定保存的前提下追求更高的存儲(chǔ)密度才能確保新技術(shù)、新產(chǎn)品可持續(xù)發(fā)展，存儲(chǔ)單元向上要空間成為順理成章的事情，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell），TLC（Triple-Level Cell），以及日漸成為主流的QLC（Quad-Lev
關(guān)鍵字： AI推理 QLC NAND Flash

2.5D/3D 芯片技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體封裝發(fā)展

來自日本東京科學(xué)研究所（Science Tokyo）的一組研究人員構(gòu)思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）方法，即使用焊料凸塊將半導(dǎo)體芯片排列在二維平面（2D）中，具有與尺寸相關(guān)的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術(shù)。對(duì)于高性能計(jì)算，研究人員通過采用 3D 堆棧計(jì)算架構(gòu)開發(fā)了一種新穎的電源技術(shù)，該架構(gòu)由直接放置在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器堆棧上方的處理單元組成，標(biāo)志著 3D 芯片封裝的重大進(jìn)步。為了實(shí)現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
關(guān)鍵字： 2.5D/3D 芯片技術(shù) 半導(dǎo)體封裝

HBM 開發(fā)路線圖揭曉：2038 年將推出 HBM8，具有 16,384 位接口和嵌入式 NAND

韓國(guó)頂尖國(guó)家級(jí)研究機(jī)構(gòu) KAIST 發(fā)布了一份 371 頁的論文，詳細(xì)介紹了到 2038 年高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)的演進(jìn)，展示了帶寬、容量、I/O 寬度以及熱量的增加。該路線圖涵蓋了從 HBM4 到 HBM8 的發(fā)展，包括封裝、3D 堆疊、以內(nèi)存為中心的架構(gòu)以及嵌入 NAND 存儲(chǔ)，甚至基于機(jī)器學(xué)習(xí)的方法來控制功耗。請(qǐng)記住，該文件是關(guān)于 HBM 技術(shù)假設(shè)演進(jìn)的，基于當(dāng)前行業(yè)和研究方向，而不是任何商業(yè)公司的實(shí)際路線圖。（圖片來源：KAIST）每堆疊的 HBM 容量將從 288GB 增加到 34
關(guān)鍵字： HBM.NAND

芯片巨頭，「扔掉」這些業(yè)務(wù)

上半年，時(shí)至過半?；仡欉@半年的半導(dǎo)體市場(chǎng)，似是相對(duì)平靜，但是仔細(xì)回想也有不少芯片巨頭在該背景下做了諸多調(diào)整。它們接連「動(dòng)刀」，果斷退出部分產(chǎn)品領(lǐng)域。在這個(gè)過程中會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)造成哪些影響？又有哪些公司同步受益？芯片巨頭，放棄這些芯片存儲(chǔ)三巨頭，計(jì)劃停產(chǎn)?DDR3?和DDR4關(guān)于三星、SK 海力士、美光等主要 DRAM 制造商計(jì)劃停產(chǎn) DDR3 和 DDR4 內(nèi)存的消息，想必業(yè)內(nèi)人士早有耳聞。今年 2 月，這則消息正式傳來，這一決策是由于對(duì)?HBM（高帶寬內(nèi)存）和 DDR5 等
關(guān)鍵字： DDR3 DDR4 NAND HDD

三星將停產(chǎn)MLC NAND，未來聚焦TLC和QLC技術(shù)

據(jù)消息人士透露，三星計(jì)劃在下個(gè)月停止接收MLC NAND芯片的訂單，標(biāo)志著其將逐步退出MLC NAND（多層單元NAND）業(yè)務(wù)。同時(shí)，三星還提高了MLC NAND的價(jià)格，促使部分客戶開始尋找替代供應(yīng)商。LG顯示（LG Display）正是受影響的客戶之一。該公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒體卡）中使用三星的MLC NAND。目前，LG顯示正在尋求其他供應(yīng)商，以填補(bǔ)這一空缺。據(jù)悉，LG顯示此前的eMMC產(chǎn)品還使用了ESMT和鎧俠的產(chǎn)品。其中，ESMT的eMMC采用了三星的MLC
關(guān)鍵字：三星 MLC NAND TLC QLC

臺(tái)積電CoWoS間接讓BT載板基材喊缺？ NAND主控芯片漲價(jià)蠢動(dòng)

業(yè)界傳出，全球BT載板用基材龍頭的日本三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社（MGC），近日向客戶發(fā)出BT材料「延遲交付」通知。隨著原料缺貨日益嚴(yán)峻，載板供應(yīng)中長(zhǎng)期將出現(xiàn)短缺。供應(yīng)鏈業(yè)者同步透露，金價(jià)持續(xù)上漲、產(chǎn)品交期延長(zhǎng)，NAND Flash控制芯片等領(lǐng)域，也可望轉(zhuǎn)嫁成本上漲，包括群聯(lián)、慧榮等主控業(yè)者有機(jī)會(huì)受惠。多家BT載板業(yè)者證實(shí)，確實(shí)2025年5月上旬時(shí)，陸續(xù)接獲日本MGC書面通知，部分高階材料訂單交期將進(jìn)一步拉長(zhǎng)，顯示先前傳出ABF載板材料供不應(yīng)求的情形，已進(jìn)一步向BT載板供應(yīng)鏈蔓延。據(jù)三菱發(fā)出的通知內(nèi)容指出，
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CoWoS BT載板基材 NAND 主控芯片