中國(guó)CXMT和YMTC推動(dòng)DRAM和NAND生產(chǎn)

中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技 （CXMT） 和長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 （YMTC） 正在加強(qiáng)其在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。

自去年以來(lái)，中國(guó)內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場(chǎng)中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求和政府補(bǔ)貼的推動(dòng)下，中國(guó)內(nèi)存正在提高其競(jìng)爭(zhēng)力。此外，它還對(duì)高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進(jìn)產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。

根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia 最新報(bào)告，CXMT 的 DRAM 產(chǎn)能（基于晶圓輸入）從去年同期的 420,000 片晶圓增長(zhǎng)到第三季度的 720,000 片，增長(zhǎng)了約 70%。按年計(jì)算，CXMT 的 DRAM 晶圓產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從去年的 162 萬(wàn)片增長(zhǎng)到今年的 273 萬(wàn)片。

就在 2 到 3 年前，CXMT 在全球 DRAM 市場(chǎng)的份額微不足道，無(wú)法用數(shù)字來(lái)衡量，但它正在短時(shí)間內(nèi)迅速增加生產(chǎn)線和出貨量。根據(jù) Omdia 對(duì)明年的出貨量預(yù)測(cè)，CXMT 的 DRAM 出貨量預(yù)計(jì)將接近業(yè)內(nèi)第三大公司美光。這就是為什么有人預(yù)測(cè)目前 DRAM 領(lǐng)域的三家公司主導(dǎo)地位（三星電子、SK 海力士、美光）將轉(zhuǎn)變?yōu)樗募夜镜慕Y(jié)構(gòu)。

由于 YMTC 產(chǎn)量的快速增長(zhǎng)，NAND 閃存在市場(chǎng)上也出現(xiàn)了供過(guò)于求的情況。雖然三星電子、SK 海力士、鎧俠和美光等大公司因 NAND 閃存價(jià)格下跌而繼續(xù)減產(chǎn)，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)自去年第一季度以來(lái)已大幅提高其武漢二期工廠的產(chǎn)量。今年第二季度，長(zhǎng)江醫(yī)療武漢二期生產(chǎn)線的 NAND 產(chǎn)量達(dá)到 130,000 片，比去年同期的 60,000 片增加了一倍多。與去年同期相比，長(zhǎng)江科技的 NAND 總產(chǎn)量也增長(zhǎng)了 42%。

兩家公司不僅在通用和傳統(tǒng)存儲(chǔ)器方面擴(kuò)展了他們的產(chǎn)品組合，而且還在擴(kuò)展了先進(jìn)的產(chǎn)品。CXMT 在由 SK 海力士引領(lǐng)的高帶寬內(nèi)存 （HBM） 市場(chǎng)的發(fā)展速度快于預(yù)期。CXMT 計(jì)劃在今年年底前完成其第四代 HBM 產(chǎn)品 HBM3 的量產(chǎn)認(rèn)證流程。

一位半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)負(fù)責(zé)人指出，“CXMT 正在積極擴(kuò)建其在北京和合肥的工廠，預(yù)計(jì)未來(lái)將投資 HBM 封裝設(shè)施”，并解釋說(shuō)“CXMT 已經(jīng)設(shè)定了一個(gè)內(nèi)部目標(biāo)，即在兩年內(nèi)開始量產(chǎn)最先進(jìn)的第五代 HBM （HBM3E），目前由 SK 海力士和美光主導(dǎo)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還專注于通過(guò)增加 3D NAND 閃存的層數(shù)來(lái)推進(jìn)其技術(shù)。層數(shù)越多，性能越好。就像建造高層公寓一樣，隨著層數(shù)的增加，可以存儲(chǔ)和處理更多的數(shù)據(jù)。目前，量產(chǎn) NAND 的最高層數(shù)是 SK 海力士的 321 層，其次是三星電子的 286 層和 YMTC 的 270 層。雖然仍低于三星電子和 SK 海力士，但正在趕上可比水平。市場(chǎng)研究公司 TechInsights 評(píng)估稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得了重大進(jìn)展，達(dá)到了 NAND 的性能指標(biāo)每平方毫米 （?） 20.47 Gb。

與此同時(shí)，NAND市場(chǎng)全年一直處于供過(guò)于求的狀態(tài)。據(jù)估計(jì)，三星電子在今年第二季度報(bào)告了 NAND 業(yè)務(wù)的虧損，盡管長(zhǎng)期進(jìn)入減產(chǎn)狀態(tài)，而其他存儲(chǔ)器公司也因價(jià)格持續(xù)下跌而盈利能力惡化。此前，市場(chǎng)研究公司TrendForce集邦咨詢已將NAND閃存需求的年度增長(zhǎng)預(yù)測(cè)從30%下調(diào)至10-15%。