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張忠謀公開臺積電20nm制程技術(shù)部分細節(jié)

  • 　　臺積電公司宣布他們將于28nm制程之后跳過22nm全代制程，直接開發(fā)20nm半代制程技術(shù)。在臺積電公司日前舉辦的技術(shù)會展上，臺積電公司展示了部分 20nm半代制程的一些技術(shù)細節(jié)，20nm制程將是繼28nm制程之后臺積電的下一個主要制程平臺，另外，20nm之后，臺積電還會跳過18nm制程。 　　根據(jù)臺積電會上展示的信息顯示，他們的20nm制程將采用10層金屬互聯(lián)技術(shù)，并仍然采用平面型晶體管結(jié)構(gòu)，增強技術(shù)方面則會使用HKMG/應(yīng)變硅和較新的“low-r”技術(shù)(即由銅+low-
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)溫和成長　搶先進制程時效成勝負關(guān)鍵

  • 　　臺積電董事長張忠謀在近來的多次演講中，皆提及未來 2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)溫和成長態(tài)勢。惟晶圓廠之間先進制程技術(shù)競賽不停歇，臺積電甫于2月底宣布切入22奈米，然而在美西時間13日的臺積電技術(shù)論壇上，突然表態(tài)將跳過22奈米，直接切入20奈米，預(yù)計2012年第3季導(dǎo)入生產(chǎn)。雖然此舉是臺積電基于替客戶創(chuàng)造價值而作的決定，但外界認為，這也是為了拉大與競爭對手Global Foundries的技術(shù)差距。 　　延續(xù)張忠謀對先進制程的看法，臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義隨后在會中的演講中表示，該公司將
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張忠謀：臺積電將向14nm以下工藝挺進

  • 　　臺積電CEO兼董事長張忠謀近日在加州圣何塞的一次技術(shù)會議上表示，臺積電將會和整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一起，向14nm以下的制造工藝進軍。 　　張忠謀認為，2011-2014年間的全球半導(dǎo)體市場的發(fā)展速度不會很快，原因有很多，其中之一就是受摩爾定律制約，技術(shù)發(fā)展的速度會趨于緩慢。 　　張忠謀表示，2xnm時代眼下很快就要到來，1xnm時代也會在可預(yù)見的未來內(nèi)成為現(xiàn)實，而臺積電或許無法在他的任期內(nèi)走向1xnm，但肯定會竭盡全力將半導(dǎo)體制造技術(shù)帶向新的水平。 　　臺積電2010年間的資本支出預(yù)算高達48億美元，
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Intel 22nm光刻工藝背后的故事

  • 　　去年九月底的舊金山秋季IDF 2009論壇上，Intel第一次向世人展示了22nm工藝晶圓，并宣布將在2011年下半年發(fā)布相關(guān)產(chǎn)品。 　　當然了，新型半導(dǎo)體工藝的實現(xiàn)并不是Intel一家就能做到的，背后默默貢獻半導(dǎo)體設(shè)備的功臣卻往往不為人所知。Arete Research LLC公司的分析師Jagadish Iyer在一份報告中指出，Intel即將最終決定22nm光刻工藝設(shè)備的供應(yīng)商，最終入圍的是荷蘭ASML Holding NV和日本尼康兩家。 　　其實在更早的45nm世代，ASML和尼康也曾雙
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GlobalFoundries德國Dresden工廠將投產(chǎn)22nm CMOS制程

  • 　　GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發(fā)，并計劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。 　　此前，F(xiàn)ab 1被認為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠，而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。 　　“22nm制程已在Fab 1開動，F(xiàn)ab 1將試產(chǎn)22nm，并投入部分量產(chǎn)?！盕ab 1總經(jīng)理Ud
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Intel、IBM 22/15nm制程部分關(guān)鍵制造技術(shù)前瞻

  • 　　半導(dǎo)體特征尺寸正在向22/15nm的等級不斷縮小，傳統(tǒng)的平面型晶體管還能滿足要求嗎?有關(guān)這個問題，業(yè)界已經(jīng)討論了很久。現(xiàn)在，決定半導(dǎo)體制造技術(shù)發(fā)展方向的歷史拐點即將到來，盡管IBM和Intel兩大陣營在發(fā)展方式上會有各自不同的風(fēng)格和路線，但雙方均已表態(tài)稱在15nm級別制程啟用全耗盡型晶體管(FD:Fully Depleted)技術(shù)幾乎已成定局，同時他們也都已經(jīng)在認真考慮下一步要不要將垂直型晶體管(即立體結(jié)構(gòu)晶體管)制造技術(shù)如三門晶體管，finFET等投入實用。 　　   　　據(jù)In
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)

  • 　　IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。 　　在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 　　該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 　　該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
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EUV: 一場輸不起的賭局

  • 　　2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術(shù)，用其
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臺積電聯(lián)手IMEC公司開發(fā)22nm制程技術(shù)

  • 　　最近芯片制造業(yè)各大巨頭連連作出合并動作，繼不久前GF的大股東ATIC買下新加坡特許半導(dǎo)體之后，最近臺積電與比利時IMEC公司也正式簽署了合作開發(fā) 協(xié)議，雙方將協(xié)力進行混合信號IC,3D,MEMS以及BiCMOS等有關(guān)技術(shù)產(chǎn)品的研發(fā)工作。此前兩家公司實際上已經(jīng)開始在進行緊密協(xié)作，不過這次的協(xié) 議簽訂則令雙方的合作關(guān)系由“同居”轉(zhuǎn)為“正式結(jié)婚”。 　　雙方合作過程中，IMEC公司將主要負責(zé)研發(fā)設(shè)計方面，而臺積電則將負責(zé)產(chǎn)品的實際生產(chǎn)。為此，IMEC公司已經(jīng)
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Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?

  • 　　在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來，不過按照Intel“tick-tock”的進程推算，預(yù)計Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會在2013年左右。
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瑞薩和NEC合并明確目標 更多關(guān)注SoC

  • 　　NEC與瑞薩合并后會提出未來的工藝發(fā)展問題。NEC是屬于IBM體系來發(fā)展32/28nm節(jié)點。而瑞薩是與松下的技術(shù)合作體系來發(fā)展32/28nm。未來22nm怎么辦? 　　新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關(guān)22nm將由新公司來決定。 　　在問到合并后公司的基本方向時，瑞薩歐洲區(qū)總裁Trowbridge認為新公司試圖建成能服務(wù)于21世紀電子工業(yè)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)。然而這個基礎(chǔ)現(xiàn)在可能不太穩(wěn)固，因為按iSuppli收集的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體工業(yè)在2008到2009年期間總共虧損達220億美元
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瑞薩和NEC合并后思考22nm

  • 　　NEC與瑞薩合并后會提出未來的工藝發(fā)展問題。NEC是屬于IBM體系來發(fā)展32/28nm節(jié)點。而瑞薩是與松下的技術(shù)合作體系來發(fā)展32/28nm。未來22nm怎么辦? 　　新公司稱作瑞薩電子，于2010年4月正式合并成立，所以有關(guān)22nm將由新公司來決定。 　　在問到合并后公司的基本方向時，瑞薩歐洲區(qū)總裁Trowbridge認為新公司試圖建成能服務(wù)于21世紀電子工業(yè)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)。然而這個基礎(chǔ)現(xiàn)在可能不太穩(wěn)固，因為按iSuppli收集的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體工業(yè)在2008到2009年期間總共虧損達220億美元
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“芯”路歷程 45nm時代還能維持多久？

  • 　　納米技術(shù)在芯片界中的發(fā)展速度相當可觀，而對于目前企業(yè)級處理器發(fā)展領(lǐng)域中主要還是靠45nm獨當一面，而隨著45nm工藝的日趨成熟，各個芯片廠商卻早已開始瞄向32nm工藝和22nm工藝。而按照工藝路線，接下來的處理器將指向32nm工藝。早在08年末的國際電子組件會議(IEDM)上，主要的會議切入點集中放在了32nm工藝之上，并且英特爾(Intel)公司在此次會議中，對32nm制程技術(shù)的細節(jié)進行闡述，并計劃于2009年第四季投產(chǎn)，以推出更大能源效率、更高密度、效能更強的晶體管。 　　從最早的1965年英特
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自信心爆棚：Globalfoundries首腦稱Fab3工廠項目近期出臺

  • 　　最近Globalfoundries公司可謂喜事連連，繼紐約Fab2工廠正式奠基后，又與意法半導(dǎo)體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法，他們現(xiàn)在已經(jīng)開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術(shù)生產(chǎn)晶圓，建成初期的2012年，將采用 28nm制程技術(shù)進行生產(chǎn)，隨后轉(zhuǎn)向22nm制程。   　　目前外界很難猜測Fab3項目的細節(jié)，更不用說興建計劃的日期了。不過此舉至少說明GF對自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心，并對公司的發(fā)展前景非常樂觀。
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ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

  • 　　意法半導(dǎo)體和法國電子信息技術(shù)實驗室CEA-LETI宣布，法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長，以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開發(fā)協(xié)議。 　　Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持，旨
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