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IBM將與法國(guó)LETI聯(lián)手開發(fā)22nm制程技術(shù)

  •   IBM與法國(guó)原子能署下屬的電子資訊科技實(shí)驗(yàn)室(CEA/LETI)近日宣布將合作研究開發(fā)半導(dǎo)體與納米電子相關(guān)技術(shù)。雙方將就22nm制程工藝有關(guān)的高級(jí)材料,設(shè)備及制造工藝方面進(jìn)行合作,合約期為5年。   研究工作將在IBM公司在東Fishkill的300mm工廠,Nanotech/意法半導(dǎo)體公司在法國(guó)Crolles的工廠以及CEA/LETI位于Grenoble的300mm設(shè)施中展開。而來(lái)自CEA/LETI的一支研究團(tuán)隊(duì)則將在Albany Nanotech公司開展這項(xiàng)研究工作。CEA/LETI將不會(huì)加入I
  • 關(guān)鍵字: IBM  CMOS  22nm  

IC業(yè)在拐點(diǎn)生存

  • 分析了IC業(yè)的眾多特點(diǎn),例如從90nm向65nm、45nm、32nm、22nm等拐點(diǎn)演進(jìn)的困難,以及ESL、DFM拐點(diǎn),制造是設(shè)計(jì)的拐點(diǎn),F(xiàn)PGA與ASIC之間的拐點(diǎn)等熱門問題。
  • 關(guān)鍵字: EDA  65nm  45nm  22nm  光刻  處理器  FPGA  ASIC  200808  
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22nm介紹

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