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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進入絕緣柵雙極管(igbt)技術社區(qū)

IGBT柵極驅(qū)動設計，關鍵元件該怎么選？

  • 柵極驅(qū)動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關損耗。柵極驅(qū)動中最關鍵的時刻是IGBT的開啟和關閉。我們的目標是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開啟時噪音和振鈴最小。不過，上升/下降時間過快可能會導致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時間過慢會增加IGBT的開關損耗。圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動組件上圖展示的是來自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)
  • 關鍵字： DigiKey  IGBT  

IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？

  • 提到軟開關技術，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。今天我就來嘮一嘮IGBT在軟開關拓撲中的應用，IGBT是否能用于ZVS以及IGBT是否更適用于ZCS。長期以來，IGBT給人的印象就如農(nóng)
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

如何抑制IGBT集電極過壓尖峰

  • 在過去的文章中，我們曾經(jīng)討論過IGBT在關斷的時候，集電極會產(chǎn)生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？）。IGBT關斷時，集電極電流Ic迅速減小到0，急劇變化的di/dt流經(jīng)在系統(tǒng)雜散電感，產(chǎn)生感應電壓ΔV。ΔV疊加在母線電壓上，使IGBT承受高于平常的電壓應力。哪怕這電壓尖峰時間很短，也可能對IGBT造成永久性損壞。di/dt與IGBT芯片特性有關，也與關斷時器件電流有關。當器件在短路或者過流狀態(tài)下關斷時，集電極電壓過沖會格外大，有可能超過額定值，從而損壞IGBT。所以如何抑制
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  

功率半導體冷知識之二：IGBT短路時的損耗

  • IGBT主要用于電機驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運行和安全的保障之一，短路保護可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實現(xiàn)。IGBT是允許短路的，完全有這樣的底氣，EconoDUAL?3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的數(shù)據(jù)手冊是這樣描述短路能力的，在驅(qū)動電壓不超過15V時，短路電流典型值是2400A，只要在10us內(nèi)成功關斷短路電流，器件不會損壞。IGBT的短路承受能力為短路保護贏得時間，驅(qū)動保護電路可以從容安全地關斷短路電流。短路能力不是免費的器
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  功率半導體  

具有故障存儲功能的數(shù)字化IGBT驅(qū)動器的設計

  • 摘要：針對軌道交通領域IGBT的使用要求，設計了一款基于可編程邏輯器件并具有故障存儲功能的數(shù)字化 驅(qū)動器。文章介紹了驅(qū)動器總體方案，設計了多電壓軌電源系統(tǒng)；分析了異常驅(qū)動信號對IGBT正常工作的危 害，并通過軟件算法實現(xiàn)了短脈沖抑制與超頻保護；電源欠壓會導致IGBT開關異常，使用欠壓檢測芯片進行 檢測并在發(fā)生欠壓故障時進行脈沖封鎖；針對短路故障，使用退飽和電路檢測并結合軟件時序進行保護；詳細 分析了IGBT開關過程各階段的不同特性，設計了可優(yōu)化開關性能的多等級開關電路；通過存儲芯片與可編程 邏輯
  • 關鍵字： 202206  存儲  數(shù)字化  IGBT  驅(qū)動器  

驅(qū)動電機控制器IGBT驅(qū)動電源設計與驗證

  • 摘要：本文介紹了一種新能源電動汽車上用驅(qū)動電機控制器IGBT驅(qū)動電源方案的設計分析及其驗證，通過 對基本Buck-boost拓撲研究變換到Flyback電路，通過對LTC1871電流驅(qū)動芯片的應用設計、分析，設計反激變 壓器參數(shù)目標需求匹配驅(qū)動電路，通過PWM供電、NMOS驅(qū)動、電流檢測、反饋輸出電壓跟蹤閉環(huán)調(diào)節(jié)，實 現(xiàn)滿足一款Infineon的驅(qū)動芯片1ED020I12芯片的驅(qū)動電路系統(tǒng)，本方案通過原理設計、電路仿真及電路臺架測 試，驗證了系統(tǒng)性能、安全性高，同時可以通過較少的外圍電路實現(xiàn)可靠的
  • 關鍵字： 202206  升降壓變換器  反激  反激變壓器  IGBT  脈寬調(diào)制  

英搏爾率先采用英飛凌750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2組件

  • 海英搏爾電氣股份有限公司，率先引入英飛凌科技股份有限公司最新推出750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2兩款型號。 這款分立式IGBT EDT2組件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現(xiàn)系統(tǒng)整合。英搏爾MCU技術總監(jiān)劉宏鑫表示：「英搏爾堅定不移地遵循使用分立式組件設計電機控制單元（MCU）的技術路線，不斷開發(fā)出高性價比的產(chǎn)品，從而始終保持
  • 關鍵字： 英搏爾  英飛凌  IGBT  EDT2組件  

英搏爾率先采用英飛凌最新推出的 750 V車規(guī)級分立式IGBT EDT2器件

  • 中國領先的車載逆變器供應商珠海英搏爾電氣股份有限公司率先引入了英飛凌科技股份公司（FSE代碼:IFX / OTCQX代碼: IFNNY）最新推出的750 V車規(guī)級IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關的性能，并節(jié)約系統(tǒng)成本。除此之外，它們還能夠為設計師提供更大的自由度，有助于實現(xiàn)系統(tǒng)集成。?? ? ? ? &
  • 關鍵字： 英博爾  英飛凌  IGBT  

英飛凌推出超可靠的壓接式IGBT,進一步壯大Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容

  • Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有內(nèi)部續(xù)流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI），進一步壯大其高功率Prime Switch系列的產(chǎn)品陣容。該PPI專為輸配電應用而設計，是大電流模塊化多電平轉(zhuǎn)換器（MMC）、中壓驅(qū)動器、直流電網(wǎng)斷路器、風電變流器和牽引系統(tǒng)的理想選擇。Prime Switch IGBT的阻斷電壓為4.5 kV，不帶有FWD的型號電流為3000 A，帶有FWD的型號為 2000 A。英飛凌為3000
  • 關鍵字： IGBT  FWD  

英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊,大幅提升逆變器的功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了采用EconoDUAL? 3標準工業(yè)封裝的全新1700 V TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風電、電機驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器（SVG）等應用。與過去采用IGBT4芯片組的模塊相比，基于TRENCHSTOP IGBT7芯片的FF900R17ME7_B11模塊在相同的封裝尺寸下，可將逆變器的輸出電流值提高40%。全新的1700 V I
  • 關鍵字： 逆變器  IGBT  

IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀

  • IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關續(xù)流時反向恢復特性也會變快。什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著I
  • 關鍵字： 英飛凌  IGBT  窄脈沖  

e絡盟現(xiàn)貨開售Power Integrations系列高功率產(chǎn)品

  • 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡盟近日引入Power Integrations系列高功率柵極驅(qū)動器，進一步擴大其功率產(chǎn)品陣容，均可快速交付。Power Integrations高功率產(chǎn)品系列包括：●? ?SCALE?-2：即插即用●? ?ISO5125I：DC-DC電源●? ?SCALE-2：Driver Core驅(qū)動核●? ?SCALE-2+：Driver Core 驅(qū)動核●? ?SCAL
  • 關鍵字： 高功率  IGBT  

晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

  • 　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟，不能控制關閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據(jù)所學及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管　　1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開關，觸發(fā)電流>50毫安　　2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率　　3、主要應用領域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
  • 關鍵字： IGBT  晶體管  MOS管  

突發(fā)！傳IGBT大廠停止接單

  • 　　IGBT市場缺口高達50%，安森美已不再接單?！　‰S著新能源汽車發(fā)展，IGBT需求量水漲船高，同時疊加持續(xù)一年有余的全球缺芯大背景，車規(guī)級IGBT依舊在苦苦掙扎。今年2月，業(yè)內(nèi)已發(fā)出預警稱，今年下半年IGBT或?qū)⒊蔀樾履茉雌嚿a(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過MCU?！　∪缃襁~入5月，IGBT供不應求已有愈演愈烈之勢。目前IGBT交貨周期已全線拉長到50周以上，個別料號周期甚至更長。需求高漲下，IGBT訂單與交貨能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真實需求訂單，預計真實需求是實際供貨能力的1.5倍，這也意
  • 關鍵字： IGBT  

全球第一IGBT企業(yè)，訂單與交貨量2:1，交貨周期長達50周

  • 　　IGBT作為一種常用的半導體芯片，我們生活中的家用電器、汽車等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影響，IGBT目前也處于緊缺狀態(tài)，尤其是車規(guī)級IGBT更是缺貨嚴重，缺口最大的時候已經(jīng)超過50%。全球最大的IGBT企業(yè)依然缺貨　　芯片巨頭英飛凌是全球最大的IGBT供應商，整個IGBT市場英飛凌占據(jù)三分之一份額，訂單量、出貨量都是遙遙領先，就是這樣規(guī)模的企業(yè)同樣面臨著巨大的供需缺口，目前合作伙伴訂單量和交貨量比例大約為2：1，而且交貨周期長達50周，尤其是車規(guī)及IGBT供需缺口還有進一步擴大趨
  • 關鍵字： IGBT  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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