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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

IGBT直流穩(wěn)壓大功率電源設(shè)計(jì)之電路設(shè)計(jì)方案

  • 直流大功率電源是目前工業(yè)、照明等領(lǐng)域中不可或缺的重要組成部分，也是很多工程師的重點(diǎn)設(shè)計(jì)方向之一。此前我們?cè)?jīng)分享過(guò)幾種穩(wěn)壓直流大功率電源的設(shè)
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IGBT是什么東西，有神馬作用？

  • 　　IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。　　IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析

  • 電源技術(shù)不斷進(jìn)步，這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對(duì)現(xiàn)如今的產(chǎn)品。最典型的例子就是隨著應(yīng)急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術(shù)開(kāi)始走俏起
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系

  • 現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí)，大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái)，IGBT的可靠性直接關(guān)系到
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IGBT電源中關(guān)于過(guò)流保護(hù)的講解

  • IGBT模塊對(duì)不間斷電源技術(shù)提供了技術(shù)保證，正在成為不間斷電源技術(shù)中的主流技術(shù)。在IGBT模塊電源技術(shù)中，對(duì)于電路的保護(hù)是非常必要的。本文就將對(duì)IGBT
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IGBT失效 都是變壓器結(jié)電容惹的禍

  • 隨著人們對(duì)電源及電子設(shè)備的功能要求越來(lái)越高，為各種設(shè)備提供電源時(shí)需要進(jìn)行的改動(dòng)就越來(lái)越多。IGBT就是其中一種，然而在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，很多朋友
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基于SPWM技術(shù)的逆變電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析

  • 與常見(jiàn)的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應(yīng)用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機(jī)領(lǐng)域中應(yīng)用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機(jī)SPWM逆
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門(mén)

  • 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
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避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)

  • IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合，要在這些場(chǎng)合應(yīng)用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上
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大功率電源IGBT損壞的問(wèn)題成因探討

  • 隨著市場(chǎng)對(duì)大功率供電設(shè)備需求日益激增，IGBT不間斷電源開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。IGBT設(shè)備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來(lái)說(shuō)，較為
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通過(guò)對(duì)耦合電流路徑改造提升IGBT可靠性

  • 隨著大功率與特種電源逐漸在市場(chǎng)上盛行，IGBT技術(shù)也隨著時(shí)間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能，因此人們總是想通過(guò)各
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如何依靠輸出邏輯提升IGBT的可靠性

  • 隨著現(xiàn)代電科技設(shè)備的日趨復(fù)雜，原有的電源已經(jīng)無(wú)法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應(yīng)運(yùn)而生，而其中較為重要的，就是IGBT技術(shù)。如果想要全面穩(wěn)妥
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從連接器與電容入手提高IGBT可靠性

  • 隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域地位變得越來(lái)越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關(guān)IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度
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分享：IGBT的檢測(cè)方法

  • IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)
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如何通過(guò)器件選用與環(huán)境溫度提升IGBT性能

  • 隨著不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)開(kāi)始走進(jìn)人們的生活。而對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，對(duì)于IGBT的相關(guān)知識(shí)進(jìn)行學(xué)習(xí)并不困難，困難的是理解這種技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中的一
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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