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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極管(igbt)

更高性能!更低成本!青銅劍科技力推新能源車用IGBT驅(qū)動系列方案

  •   一、 概 述  近年來,在國家政策支持下,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅猛。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù),2017年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成63.9萬輛和60.9萬輛,同比分別增長49.7%和51.4%;受益于行業(yè)的迅猛發(fā)展,新能源汽車電機(jī)控制器市場異常火爆,作為電機(jī)控制器核心部件的IGBT模塊和IGBT驅(qū)動器產(chǎn)品的應(yīng)用和發(fā)展也非常迅速?! ∫弧?nbsp;簡 介  為了滿足新能源汽車行業(yè)對于高性能汽車電子元器件的需求,青銅劍科技推出多款應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器的IG
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中國中車技術(shù)專家蒞臨青銅劍科技考察交流

  •   12月20日,冬日暖陽惹人醉,青銅劍科技又迎來一批遠(yuǎn)道而來的客人,株洲中車時代電動汽車股份有限公司陳竹部長和張旭輝博士等嘉賓蒞臨青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士、副總裁傅俊寅等公司領(lǐng)導(dǎo)與來訪嘉賓暢談交流,現(xiàn)場氣氛熱烈?! ⊙邪l(fā)總監(jiān)黃輝向嘉賓介紹了青銅劍科技發(fā)展歷史,自2009年成立以來公司專注于電力電子器件領(lǐng)域,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、國防軍工等六大領(lǐng)域,服務(wù)超過300家客戶,截至2017年底IGBT驅(qū)動光伏裝機(jī)容量達(dá)到30GW,現(xiàn)已發(fā)展成為國
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Power Integrations推出全新5A峰值電流門極驅(qū)動器,可降低系統(tǒng)復(fù)雜度及成本

  •   中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門極驅(qū)動器。新器件具有5 A峰值驅(qū)動電流,在不使用推動級的情況下可驅(qū)動300 A開關(guān)器件;可以使用外部推動級以高性價比的方式將門極電流增大到60 A峰值。該器件可同時為下管和上管推動級MOSFET開關(guān)提供N溝道驅(qū)動,從而降低系統(tǒng)成本、減小開
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測

  •   MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?  1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測圖  一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計?! ??   圖?1開關(guān)管工作的功
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IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計圖集錦 —電路圖天天讀(189)

  • IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計圖集錦 —電路圖天天讀(189)-IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,它既有功率MOSFET易于驅(qū)動,控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn),又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低,通態(tài)電流大,損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  •   電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?! ∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增,晶圓結(jié)溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導(dǎo)致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區(qū)?! ∫?、什么是安全工作區(qū)?  安全工作區(qū):SOA(Safe operating&nb
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功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升

  • 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計必須能負(fù)荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán),同時得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時故障成本也會是一個很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加,汽車功率電子設(shè)備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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關(guān)于變頻器控制電機(jī)有漏電問題的解決方案

  • 關(guān)于變頻器控制電機(jī)有漏電問題的解決方案-  有的現(xiàn)場使用變頻器控制電機(jī),會出現(xiàn)漏電問題,漏電電壓有幾十伏到二百伏電壓不等。針對這個問題,在這里特對此故障產(chǎn)生的原因進(jìn)行理論的分析和說明如下。
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法

  • 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
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三種IGBT驅(qū)動電路和保護(hù)方法詳解

  • 三種IGBT驅(qū)動電路和保護(hù)方法詳解-本文著重介紹三個IGBT驅(qū)動電路。驅(qū)動電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大,以驅(qū)動IGBT,保證IGBT的可靠工作,驅(qū)動電路起著至關(guān)重要的作用,以及對IGBT驅(qū)動電路的基本要求。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  驅(qū)動電路  2SD315  

IGBT式感應(yīng)加熱電源常見缺陷簡要分析

  • IGBT式感應(yīng)加熱電源常見缺陷簡要分析-目前國內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源,這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長時間高效工作,且安全性比較高,因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。
  • 關(guān)鍵字: IGBT  電源管理  變壓器  

幾種IGBT驅(qū)動電路的保護(hù)電路原理圖

  • 幾種IGBT驅(qū)動電路的保護(hù)電路原理圖-本文為您介紹幾種常見的IGBT驅(qū)動電路原理及其保護(hù)電路,EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動電路、2SD315A集成驅(qū)動模塊,并附上電路原理圖。
  • 關(guān)鍵字: igbt  驅(qū)動電路  電路圖  

IGBT在逆變電路中的測試與仿真,IGBT逆變器緩沖定律

  • IGBT在逆變電路中的測試與仿真,IGBT逆變器緩沖定律-在設(shè)計緩沖電路時,應(yīng)考慮到緩沖二極管內(nèi)部和緩沖電容引線的寄生電感。利用小二級管和小電容并聯(lián)比用單只二極管和單只電容的等效寄生電感小,并盡量采用低感或無感電容。另外,緩沖電路的設(shè)計應(yīng)盡可能近地聯(lián)接在lGBT模塊上。以上措施有助于減小緩沖電路的寄生電感。
  • 關(guān)鍵字: igbt  電容  電阻  

雙電壓整流電路設(shè)計,IGBT模塊適用于整流電路嗎?

  • 雙電壓整流電路設(shè)計,IGBT模塊適用于整流電路嗎?-不用兩個整流橋。用一個即可,把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端,把變壓器抽頭0伏接地線(線路板的地線),整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波,電容器2個串聯(lián)之后正極接整流橋正極+,電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-,2個串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線,也就是雙18伏交流的抽頭。這樣就可以在直流輸出端得到正負(fù)20伏的雙電源了。
  • 關(guān)鍵字: 整流電路  晶閘管  igbt  

什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?

  • 什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
  • 關(guān)鍵字: igbt  散熱器  新能源汽車  
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹

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