絕緣柵雙極管(igbt) 文章 進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)
更高性能!更低成本!青銅劍科技力推新能源車用IGBT驅(qū)動系列方案

- 一、 概 述 近年來,在國家政策支持下,新能源汽車行業(yè)發(fā)展迅猛。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會公布的數(shù)據(jù),2017年1-11月,新能源汽車產(chǎn)銷分別完成63.9萬輛和60.9萬輛,同比分別增長49.7%和51.4%;受益于行業(yè)的迅猛發(fā)展,新能源汽車電機(jī)控制器市場異常火爆,作為電機(jī)控制器核心部件的IGBT模塊和IGBT驅(qū)動器產(chǎn)品的應(yīng)用和發(fā)展也非常迅速?! ∫弧?nbsp;簡 介 為了滿足新能源汽車行業(yè)對于高性能汽車電子元器件的需求,青銅劍科技推出多款應(yīng)用于新能源汽車電機(jī)控制器的IG
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中國中車技術(shù)專家蒞臨青銅劍科技考察交流

- 12月20日,冬日暖陽惹人醉,青銅劍科技又迎來一批遠(yuǎn)道而來的客人,株洲中車時代電動汽車股份有限公司陳竹部長和張旭輝博士等嘉賓蒞臨青銅劍科技,董事長汪之涵博士、總工程師高躍博士、副總裁傅俊寅等公司領(lǐng)導(dǎo)與來訪嘉賓暢談交流,現(xiàn)場氣氛熱烈?! ⊙邪l(fā)總監(jiān)黃輝向嘉賓介紹了青銅劍科技發(fā)展歷史,自2009年成立以來公司專注于電力電子器件領(lǐng)域,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車、工業(yè)節(jié)能、國防軍工等六大領(lǐng)域,服務(wù)超過300家客戶,截至2017年底IGBT驅(qū)動光伏裝機(jī)容量達(dá)到30GW,現(xiàn)已發(fā)展成為國
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Power Integrations推出全新5A峰值電流門極驅(qū)動器,可降低系統(tǒng)復(fù)雜度及成本

- 中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出SCALE-iDriver™ IC家族最新成員SID1102K —— 采用寬體eSOP封裝的單通道隔離型IGBT和MOSFET門極驅(qū)動器。新器件具有5 A峰值驅(qū)動電流,在不使用推動級的情況下可驅(qū)動300 A開關(guān)器件;可以使用外部推動級以高性價比的方式將門極電流增大到60 A峰值。該器件可同時為下管和上管推動級MOSFET開關(guān)提供N溝道驅(qū)動,從而降低系統(tǒng)成本、減小開
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測

- MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認(rèn)知上,PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測圖 一般來說,開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示,主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”,小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計?! ?? 圖?1開關(guān)管工作的功
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)

- 電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?! ∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài),承受著很大的功耗,一但過壓或過流就會導(dǎo)致功耗大增,晶圓結(jié)溫急劇上升,如果散熱不及時,就會導(dǎo)致器件損壞,甚至可能會伴隨爆炸,非常危險。這里就衍生一個概念,安全工作區(qū)?! ∫?、什么是安全工作區(qū)? 安全工作區(qū):SOA(Safe operating&nb
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功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升
- 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件(例如IGBT)的設(shè)計必須能負(fù)荷數(shù)千小時的工作時間和上百萬次的功率循環(huán),同時得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵,而同時故障成本也會是一個很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加,汽車功率電子設(shè)備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法
- 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是:更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸,以及更低的熱容量和短路耐受時間。這凸顯了柵極驅(qū)動器電路以及過流檢測 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
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什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?
- 什么是IGBT?如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”,IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何?-IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。
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絕緣柵雙極管(igbt)介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條絕緣柵雙極管(igbt)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對絕緣柵雙極管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極管(igbt)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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