絕緣柵雙極管(igbt) 文章進(jìn)入絕緣柵雙極管(igbt)技術(shù)社區(qū)

電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向

節(jié)能環(huán)保離不開高能效、高密度的功率器件、模塊，以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此，本文選取了六大熱門領(lǐng)域：電力電子器件、汽車電源、USB Type-C供受電、無線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源，邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： SiC IGBT 汽車電池 USB Type-C 無線充電能量收集數(shù)據(jù)中心 201604

瑞薩電子推出第8代IGBT，以行業(yè)領(lǐng)先的超低損耗特性，提升系統(tǒng)功率

　　瑞薩第8代IGBT：G8H系列2016年3月10日，日本東京訊——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)，于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的六款新產(chǎn)品，其可將用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器中的轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并減少不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的逆變器應(yīng)用。推出的六種新產(chǎn)品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、4
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淺析IGBT的檢測(cè)方法

　　IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)　　一、用指針式萬用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別　　(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極　　根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個(gè)電極，分別測(cè)出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個(gè)電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時(shí)，則該兩個(gè)電極分別是漏極D和源極S。因?yàn)閷?duì)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表
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【E課題】PWM“死區(qū)”的概念及基本原理

　　死區(qū)就是在上半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開下半橋或在下半橋關(guān)斷后，延遲一段時(shí)間再打開上半橋，從而避免功率元件燒毀?！　WM脈寬調(diào)制　　在電力電子中，最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。以兩電平為例，每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件，比如igbt。這兩個(gè)igbt不能同時(shí)導(dǎo)通，否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。因此，設(shè)計(jì)帶死區(qū)的PWM波可以防止上下兩個(gè)器件同時(shí)導(dǎo)通。也就是說，當(dāng)一個(gè)器件導(dǎo)通后關(guān)閉，再經(jīng)過一段死區(qū)，這時(shí)才能讓另一個(gè)導(dǎo)通?！　∷绤^(qū),簡單解釋　　通常,大功率電機(jī)、變頻器等，末端都是由大功率管
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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包括大型家用電器的驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)以及電動(dòng)自行車和無人駕駛飛機(jī)等以電池供電的運(yùn)載工具。新產(chǎn)品還適用于超過600W的電源，以及燃料電池、太陽能和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用的反相器?！　GD21xx系列具有可自舉到高達(dá)600V的浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，使之適用于在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器及電源常見
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七年 “自主芯”從一片空白到世界一流

愛之深、恨之切，因?yàn)槲覀兲谝鈬镜淖詮?qiáng)，所以才會(huì)怒其不爭，不能憑自己的實(shí)力說話，而是需借助外力，收購也許是最省力的辦法。
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世強(qiáng)簽約國際橋堆領(lǐng)軍企業(yè)新電元共拓工業(yè)汽車領(lǐng)域新版圖

　　全球先進(jìn)電子元件分銷商世強(qiáng)日前與國際橋堆制造領(lǐng)軍企業(yè)Shindengen簽訂分銷協(xié)議，前者正式代理包括橋堆、二極管、電源模塊、可控硅、IGBT、MOS等在內(nèi)的新電元全線產(chǎn)品。　　新電元工業(yè)株式會(huì)社于1949年成立以來，主要從事功率半導(dǎo)體和開關(guān)電源、電裝制品的制造和銷售，并以電力電子技術(shù)為主要領(lǐng)域。旗下的電源用肖特基二極管、橋堆等分立器件產(chǎn)品的市場(chǎng)占有率穩(wěn)居世界前列，在日本國內(nèi)占95%的市場(chǎng)份額。其整流橋在全世界占有接近40%的市場(chǎng)份額，素有“橋王”之稱?！　⌒?nbsp;電元的主打產(chǎn)品——
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Σ-Δ調(diào)制器提高運(yùn)動(dòng)控制效率

　　工業(yè)運(yùn)動(dòng)控制涵蓋一系列應(yīng)用，包括基于逆變器的風(fēng)扇或泵控制、具有更為復(fù)雜的交流驅(qū)動(dòng)控制的工廠自動(dòng)化以及高級(jí)自動(dòng)化應(yīng)用(如具有高級(jí)伺服控制的機(jī)器人)。這些系統(tǒng)需要檢測(cè)多個(gè)變量，例如電機(jī)繞組電流或電壓、直流鏈路電流或電壓、轉(zhuǎn)子位置和速度。變量的選擇和所需的測(cè)量精度取決于終端應(yīng)用需求、系統(tǒng)架構(gòu)、目標(biāo)系統(tǒng)成本或系統(tǒng)復(fù)雜度。還有其他考慮因素，例如狀態(tài)監(jiān)控等增值特性。據(jù)報(bào)道，電機(jī)占全球總能耗的40%，國際法規(guī)越來越注重全體工業(yè)運(yùn)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)效率(參見圖1)?！　?nbsp; 　　圖1：工業(yè)
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模擬信號(hào)的隔離方法有哪些

　　模擬信號(hào)的隔離是非常頭疼的，有時(shí)候不得不需要隔離。大部分基于以下需要：　　1.隔離干擾源;　　2.分隔高電壓?！　「綦x數(shù)字信號(hào)的辦法很多，隔離模擬信號(hào)的辦法卻沒有想象的那么多，關(guān)鍵是隔離的成本，比想象的都要高出許多。特別是要求精確測(cè)量的場(chǎng)合，模擬信號(hào)的隔離，成本高得更加是離譜的無法想象。我從事這種系統(tǒng)開發(fā)多年，對(duì)自己所知道的隔離方法做個(gè)小小的總結(jié)：　　數(shù)字隔離方法：　　1. 光耦;　　2. ADI 的磁隔離芯片,ADuMXXXX(XXXX為數(shù)字代號(hào)，如 I2C的ADuM1250);　　3.自己用變壓器
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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

　　貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品在175°C的溫度下，能夠提供業(yè)界領(lǐng)先的1.60 VCE(sat) 低典型飽和電壓，因此即使在高溫工作條件下，也能保持較高的能效?！　ouser分銷的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了開關(guān)性能，可降低電路復(fù)雜度，此外由于不需要電容與齊納二極管，還可以降低整體系統(tǒng)成本
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IRS2005 HVIC壯大面向中低壓電機(jī)變頻器的英飛凌驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，帶來很高的電源效率并提高系統(tǒng)可靠性

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其200 V驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品陣容，推出支持高壓、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005(S, M)。全新驅(qū)動(dòng)IC能為具有嚴(yán)格空間限制的電機(jī)變頻器應(yīng)用提供全面保護(hù)，比如電動(dòng)園藝設(shè)備、高爾夫球車、電動(dòng)工具及代步車等。IRS200x家族產(chǎn)品包括高邊和低邊驅(qū)動(dòng)以及半橋式驅(qū)動(dòng)，采用英飛凌成熟而強(qiáng)大的高壓結(jié)隔離(HVJI)工藝，以實(shí)現(xiàn)小型封裝，同時(shí)保持對(duì)負(fù)瞬變電壓的耐受性。這種200 V器件專為低壓(24 V、36 V和48 V)和中壓(60 V、80 V和100 V)應(yīng)用量身定制
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最簡單易用的7管封裝IGBT模塊

　　IGBT的優(yōu)勢(shì)在于輸入阻抗很高，開關(guān)速率快，導(dǎo)通態(tài)電壓低，關(guān)斷時(shí)阻斷電壓高，集電極和發(fā)射機(jī)承受電流大的特點(diǎn)，目前已經(jīng)成為電力電子行業(yè)的功率半導(dǎo)體發(fā)展的主流器件。IGBT已經(jīng)由第三代發(fā)展到第五代了，由穿透型發(fā)展到非穿透型。IGBT模塊也在此基礎(chǔ)上同步發(fā)展，單管模塊，半橋模塊，6管模塊，到現(xiàn)在的7管模塊。IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)上比較復(fù)雜，需要考慮較多的因素，諸如合理的選擇驅(qū)動(dòng)電壓Uge和門極驅(qū)動(dòng)電阻Rg，過流過壓保護(hù)等都是很重要的。IGBT模塊廣泛用于UPS，感應(yīng)加熱，逆變焊機(jī)電源，變頻器等領(lǐng)域。　　
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中國高鐵最核心電能芯片成功國產(chǎn)：世界最高難度

IGBT這技術(shù)國內(nèi)確實(shí)不夠，現(xiàn)在量產(chǎn)并使用在高鐵上，也是一大飛躍。
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IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

　　1. 概述　　HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(jī)(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機(jī)上成功投運(yùn)，目前運(yùn)行良好。　　2. IGBT自并激勵(lì)磁系統(tǒng)的組成及主回路原理　　2.1 勵(lì)磁系統(tǒng)組成及接線方式　　自并激勵(lì)磁系統(tǒng)也就
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計(jì)的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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