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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

4μA IQ 熱插拔控制器保護電池免受電壓和電流故障損壞

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部 N 溝道 MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。器件在正常工作時靜態(tài)電流僅為 4µA，在停機模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作，欠壓和過壓阻性分壓器連接至一個選通接地，
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英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車級電機控制集成芯片

  • 　　摘要：本文介紹了常見的幾種在汽車車身上的電機應用，包括直流有刷電機控制，有霍爾/無霍爾直流無刷電機控制和永磁同步電機控制，不論是哪一種電機控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。 　　引言 　　隨著電機在汽車上的廣泛應用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統(tǒng)的電動油泵、電動水泵和散熱風扇由繼電器控制直流電機的開通或者關(guān)斷，不能進行調(diào)速，在怠速狀況時電機仍然高速運轉(zhuǎn)，如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機或者三相電機，則可以在不同的工況
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  ARM  電機控制  MOSFET  微控制器  201409  

SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢

  • 　　矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場的調(diào)查結(jié)果。 　　全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) 　　2013年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長，但2013年中國市場的需求恢復、汽車領(lǐng)域的穩(wěn)步增長以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴大等起到了推動作用。 　　預計2014年仍將繼續(xù)增長，2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測，2020年全球功率半導體市場規(guī)
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如何成為一個優(yōu)秀的硬件設(shè)計師

  • 　　啟動一個硬件開發(fā)項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統(tǒng)架構(gòu)的需要，應用軟件部門的功能實現(xiàn)需要，提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統(tǒng)的設(shè)計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內(nèi)部的一個高層軟件小組，他們在實際當中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿足要求，從而對于系統(tǒng)的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據(jù)這個目標，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網(wǎng)絡(luò)處理器，然后還
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超薄雙管MOSFET

  • 　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。 　　計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應用設(shè)計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設(shè)計出盡可能小的外形尺寸?，F(xiàn)在，設(shè)計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時實現(xiàn)高效率、低導通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。 　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時還可
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SiC對醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇，三菱電機展示高頻功率模塊

  • 　　三菱電機開發(fā)出了支持50kHz左右高頻開關(guān)動作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導體模塊，并在7月23～25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢壘二極管)，從2014年5月開始樣品供貨。 　　據(jù)介紹，新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備，尤其適合經(jīng)常采用高開關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種，耐壓均為1200V，額定電流為100A～600A不等。通過采
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應

  • 　　氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。 　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣
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DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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具高級輸入和負載保護功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： 降壓型穩(wěn)壓器  負載保護  MOSFET  LTM4641  μModule  

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動。　　SBD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！　iC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等?！　∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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美國阿肯色大學設(shè)計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

  • 　　美國阿肯色大學研究人員已經(jīng)設(shè)計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運行。 　　阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設(shè)計了性能優(yōu)越的信號處理電路模
  • 關(guān)鍵字： SiC  集成電路  

東芝擴大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

  • 　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動?！　BD適合各種應用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。　　SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩(wěn)定的運行，即便是在高電壓
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美國阿肯色大學設(shè)計工作溫度超過350°C的SiC基集成電路

  • 美國設(shè)計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設(shè)備......
  • 關(guān)鍵字： SiC  集成電路  

新日本無線變身綜合電子元器件供應商

  • 　　]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。 　　記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略，而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。 　　電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85% 　　縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發(fā)展歷程，可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨特的模擬技術(shù)和微
  • 關(guān)鍵字： MEMS  MOSFET  濾波器  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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