Diodes優(yōu)化互補式MOSFET提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設計針對負載點轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標應用包括以太網(wǎng)絡控制器、路由器、網(wǎng)絡接口控制器、交換機、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務器和機頂盒等設備的處理器。

　　降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來提升設計靈活性，同時從開關(guān)元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能，可盡量提高3.3V到1V降壓轉(zhuǎn)換器的效率，并驅(qū)動高達3A的負載。這些優(yōu)化性能包括針對在三分之二的開關(guān)周期都處于導通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低導通電阻，還有為P通道MOSFET而設，Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷，從而把開關(guān)損耗減到最低。

　　DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側(cè)開關(guān)元件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡化設計及減少元件數(shù)量。與采用了相同尺寸封裝的獨立MOSFET相比，這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補式雙 MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。

　　新產(chǎn)品以三千個為出貨批量。如欲了解進一步產(chǎn)品信息，請訪問www.diodes.com。