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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術社區(qū)

Vishay業(yè)界領先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

  • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認證標準的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
  • 關鍵字： Vishay  轉(zhuǎn)換器  MOSFET  

意法半導體高效超結(jié)MOSFET瞄準節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換拓撲

  • 　　意法半導體推出MDmesh?系列600V超結(jié)晶體管，該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關和硬開關轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設計?！　♂槍涢_關技術優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。電容電壓曲線有助于提高輕載能效，最低16 nC的柵極電荷量(Qg)可實現(xiàn)高開關頻率，這兩個優(yōu)點讓MDmesh M6器件在硬開關拓撲結(jié)構(gòu)中也有良好的能效表現(xiàn)。　　此外，意法半導體最先進的M6超結(jié)技術將RDS(ON)電阻降至0.036?，有助于電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)
  • 關鍵字： 意法半導體  MOSFET  

重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導體參加第二屆國際電力電子技術與應用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學會與IEEE電力電子學會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行?；景雽w作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學術界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽w亮相深圳坪山第三代半導體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品。　　中國電子展是電子行業(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎電子元器件到下游產(chǎn)品應用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術促進產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?！?/li>
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體承辦中日韓第三代半導體技術研討會

  • 　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術與應用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導體專家齊聚基本半導體，參加第三代半導體功率器件先進應用技術研討會?！　〕鱿瘯h的嘉賓包括清華大學孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學馬柯博士、華中科技大學蔣棟教授、長岡技術科學大學伊東淳一教授、東京都立大學和田圭二副教授、韓國亞洲大學Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學者和基本半導體研發(fā)團隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導體功率器件領域的最新研究主題和方向，
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

基本半導體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

  • 　　近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導體憑借在人才引進方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！　∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進和舉薦人才，以增強企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進過程中作出貢獻的單位及個人給予表彰和獎勵?！　』景雽w是第三代半導體領域的高新技術企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導體依托廣泛的海外資源，成功引進了來自英
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  第三代半導體  

半導體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

  • 第三代半導體材料技術正在成為搶占下一代信息技術、節(jié)能減排及國防安全制高點的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
  • 關鍵字： 半導體  氮化鎵  碳化硅  

高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

  • 　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準，該標準對傳導型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開關電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
  • 關鍵字： MOSFET，LT8650S   

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關電源IC。新IC的功率更大，適合設計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應用，適用于高達480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費電子產(chǎn)品的電源設計。　　900V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設計輕松滿足能源相關產(chǎn)品(ErP
  • 關鍵字： Power Integrations  MOSFET  

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

  • 　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?！　√蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術帶來的高效性可為諸多要求嚴格的應用提供多
  • 關鍵字： Littelfuse  MOSFET  

CISSOID和泰科天潤（GPT）達成戰(zhàn)略合作協(xié)議， 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應用

  • 　　高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導者泰科天潤半導體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達成戰(zhàn)略合作伙伴關系，將共同開展研發(fā)項目，推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領域尤其是新能源汽車領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用?！　ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤是中國首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時，是高溫半導體解決方案的領導者，專為極端溫
  • 關鍵字： CISSOID  碳化硅  

宜特FSM化學鍍服務本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

  • 　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應求，為填補供應鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導體驗證分析領域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進行量產(chǎn)，在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
  • 關鍵字： 宜特  MOSFET  

MOSFET管并聯(lián)應用時電流分配不均問題探究

  • 1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性，可自動調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應用功率MOSFET管會產(chǎn)生電流分配不均的問題，關于此問題，
  • 關鍵字： MOSFET  并聯(lián)  電流  分配  

應用角：汽車 - 電動汽車電池斷開系統(tǒng)

  • 　　在電動和混合動力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分斷開連接。專門設計的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設計必須支持在負載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點的繼電器來實現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個接觸器：一個用于兩個主要電池導體，另一個更小的版本用于預充電功能。傳統(tǒng)的電池斷開電路圖如圖1所示?！　‰妱悠囍圃焐涕L期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池斷開問題。功率半導
  • 關鍵字： MOSFET，混合動力  
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碳化硅 mosfet介紹

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