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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

  • 　　專注于引入新品的全球半導(dǎo)體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務(wù)器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。　　貿(mào)澤電子供應(yīng)的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列
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Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器，提高逆變器級工作效率

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴(kuò)展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率?！　∪涨鞍l(fā)布的光耦采用CMOS技術(shù)，含有集成電路與軌到軌輸出級光學(xué)耦合的AIGaAs LED，為門控設(shè)備提供所需驅(qū)動電壓。VOD3120電壓和電流使
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碳化硅VS氮化鎵，寬禁帶半導(dǎo)體材料雙雄能否帶中國實(shí)現(xiàn)彎道超車？

  • 在現(xiàn)實(shí)世界中，沒有人可以和“半導(dǎo)體”撇清關(guān)系。雖然這個概念聽上去可能顯得有些冰冷，但是你每天用的電腦，手機(jī)以及電視等等，都會用到半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體的重要性自不必說，今天我們來說一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中一個很關(guān)鍵的組成部分，那就是半導(dǎo)體材料。
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Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能達(dá)到業(yè)內(nèi)最佳水平

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n溝道SiHH068N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源應(yīng)用提供高效解決方案，同時，柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo) (FOM)?！　ishay
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穩(wěn)健的汽車40V 功率MOSFET提高汽車安全性

  • 　　Filippo, Scrimizzi, 意法半導(dǎo)體, 意大利, filippo.scrimizzi@st.com　　Giuseppe, Longo, 意法半導(dǎo)體, 意大利, giuseppe-mos.longo@st.com　　Giusy, Gambino, 意法半導(dǎo)體s, 意大利, giusy.gambino@st.com　　摘要　　意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)
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Vishay業(yè)界領(lǐng)先車規(guī)產(chǎn)品將在2019 Automotive World日本展上悉數(shù)亮相

  • 　　2019年1月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將在1月16日-18日于東京有明國際展覽中心舉行的2019 Automotive World日本國際汽車展上，展示其全面豐富的車規(guī)產(chǎn)品。Vishay展位設(shè)在東5號館E47-40，以“Think Automotive, Think Vishay”為主題展示各種車規(guī)產(chǎn)品，包括符合并優(yōu)于AECQ認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的電容器、電阻器、電感器、二極管、MOSFET和光電產(chǎn)品?！　ishay亞
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重磅推出碳化硅MOSFET ，基本半導(dǎo)體參加第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議

  • 　　11月4-7日，由中國電源學(xué)會與IEEE電力電子學(xué)會聯(lián)合主辦的第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重舉行。基本半導(dǎo)體作為本次大會的金牌贊助商，重磅推出碳化硅MOSFET產(chǎn)品，反響熱烈?！　∽鳛槿蛐缘碾娏﹄娮有袠I(yè)盛會，IEEE PEAC 2018可謂大咖云集，來自31個國家和地區(qū)的電力電子學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的800余位代表參加了本次會議。大會主席、中國電源學(xué)會理事長徐德鴻教授主持開幕式并致開幕詞，美國工程院院士、中國工程院外籍院士李澤元教授，中國工程院院
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基本半導(dǎo)體攜碳化硅 MOSFET新品亮相第92屆中國電子展

  • 　　10月31日-11月2日，第92屆中國電子展在上海新國際博覽中心隆重舉行?；景雽?dǎo)體亮相深圳坪山第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園展區(qū)，展示公司自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET和碳化硅肖特基二極管等產(chǎn)品。　　中國電子展是電子行業(yè)的年度盛會，集中展示電子元器件、集成電路、電子制造設(shè)備、測試測量、軍民融合、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等產(chǎn)業(yè)，傾力打造從上游基礎(chǔ)電子元器件到下游產(chǎn)品應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈陣容。本次展會以“信息化帶動工業(yè)化，電子技術(shù)促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級”為主題，共有40000余名買家和專業(yè)觀眾觀展，共同打造了一場電子行業(yè)年度盛會?！?/li>
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基本半導(dǎo)體承辦中日韓第三代半導(dǎo)體技術(shù)研討會

  • 　　11月5日，在第二屆國際電力電子技術(shù)與應(yīng)用會議暨博覽會期間，來自中國、日本和韓國的第三代半導(dǎo)體專家齊聚基本半導(dǎo)體，參加第三代半導(dǎo)體功率器件先進(jìn)應(yīng)用技術(shù)研討會。　　出席會議的嘉賓包括清華大學(xué)孫凱副教授和鄭澤東副教授、上海交通大學(xué)馬柯博士、華中科技大學(xué)蔣棟教授、長岡技術(shù)科學(xué)大學(xué)伊東淳一教授、東京都立大學(xué)和田圭二副教授、韓國亞洲大學(xué)Kyo-Beum Lee教授、奧爾堡大學(xué)王雄飛博士和楊永恒博士等多所知名高校的專家學(xué)者和基本半導(dǎo)體研發(fā)團(tuán)隊。與會嘉賓分享了各自在第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的最新研究主題和方向，
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基本半導(dǎo)體榮獲“2018年度深圳市人才伯樂獎”

  • 　　近日，從深圳市人力資源和社會保障局傳來喜訊，基本半導(dǎo)體憑借在人才引進(jìn)方面的突出成果，獲評“2018年度深圳市人才伯樂獎”?！　∩钲谑腥瞬挪畼藩勈怯缮钲谑姓O(shè)立，旨在鼓勵企事業(yè)單位、人才中介組織等引進(jìn)和舉薦人才，以增強(qiáng)企業(yè)科技創(chuàng)新能力，提升城市核心競爭力。每年市政府通過評選伯樂獎對在本市人才培養(yǎng)、引進(jìn)過程中作出貢獻(xiàn)的單位及個人給予表彰和獎勵?！　』景雽?dǎo)體是第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，從創(chuàng)立之初就非常重視人才的引進(jìn)和培養(yǎng)。作為一家由海歸博士創(chuàng)立的公司，基本半導(dǎo)體依托廣泛的海外資源，成功引進(jìn)了來自英
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半導(dǎo)體發(fā)展經(jīng)歷三代變革 推動社會發(fā)展

  • 第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)正在成為搶占下一代信息技術(shù)、節(jié)能減排及國防安全制高點(diǎn)的最佳途徑之一，是戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的重要組成內(nèi)容。
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高功率單片式 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器 滿足 CISPR 25 Class 5 EMI 限制要求并適合狹小的安放空間

  • 　　隨著汽車中電子系統(tǒng)數(shù)量的成倍增加，車內(nèi)產(chǎn)生電磁干擾的風(fēng)險也大幅升高了。因此，新式車輛中的電子產(chǎn)品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)對傳導(dǎo)型和輻射型 EMI 發(fā)射做了嚴(yán)格的限制。由于其本身的性質(zhì)，開關(guān)電源充斥著 EMI，并在整個汽車中“彌漫擴(kuò)散”。如今，低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起，成為了對汽車電源的一項(xiàng)關(guān)鍵要求。Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器系列可滿足汽車制造商嚴(yán)格的 EMI 要求，同時擁有緊湊的尺寸以及集成化
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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Power Integrations發(fā)布集成了900V MOSFET的高效率反激式開關(guān)電源IC

  • 　　深耕于高壓集成電路高能效電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations公司今日發(fā)集成了900V功率MOSFET的LinkSwitch?-XT2系列離線式開關(guān)電源IC。新IC的功率更大，適合設(shè)計8W以內(nèi)的高效率隔離及非隔離反激式電源應(yīng)用，適用于高達(dá)480VAC輸入三相工業(yè)電源以及專供電網(wǎng)不穩(wěn)定地區(qū)、時常遭受雷擊的熱帶地區(qū)或者經(jīng)常發(fā)生高能振蕩波和浪涌的地區(qū)的高質(zhì)量消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源設(shè)計?！　?00V版LinkSwitch-XT2 IC產(chǎn)品系列可提供高效率，使電源設(shè)計輕松滿足能源相關(guān)產(chǎn)品(ErP
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碳化硅 mosfet介紹

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