貿(mào)澤開售STMicroelectronics MDmesh M6高效超結(jié)MOSFET

　　專注于引入新品的全球半導體與電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨STMicroelectronics (ST) 的MDmesh? M6系列 超結(jié)晶體管。MDmesh M6系列MOSFET針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓撲能效而設(shè)計，可提高電池充電器、電源適配器、PC電源、LED照明驅(qū)動器、電信和服務器電源以及太陽能 微型逆變器等設(shè)備的功率密度。

　　貿(mào)澤電子供應的ST MDmesh M6 MOSFET提供高能效，從而增加功率密度。該系列最低18 奈庫倫 (nC) 的柵極電荷 (Qg) ，以及經(jīng)優(yōu)化的電容電壓曲線可幫助功率轉(zhuǎn)換應用中的新拓撲實現(xiàn)高開關(guān)效率。ST的 M6超結(jié)技術(shù)有助于將RDS(ON) 降低到0.036歐姆，從而提高效率。

　　提供8 A到72 A的額定電流，以及600 V到700 V的擊穿電壓，MOSFET針對軟開關(guān)技術(shù)優(yōu)化的閾值電壓使新型晶體管非常適用于節(jié)能應用中的LLC諧振轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。ST MDmesh M6系列MOSFET提供多種封裝選項，包括無引線TO-LL封裝解決方案。與其他封裝相比，TO-LL封裝的面積降低30%，同時實現(xiàn)高效熱管理。