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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

大國器重 功率半導體小行業(yè)大機會

  • 在傳統(tǒng)應用領域，功率半導體分立器件引領工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉變，實現家電工業(yè)轉型升級，優(yōu)化產業(yè)結構。而隨著物聯網、云計算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產業(yè)的高速發(fā)展，新興領域成為支撐功率半導體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  

功率MOSFET關斷損耗計算攻略

  • 本文介紹了MOSFET管關斷損耗的計算方式，供大家參考。
  • 關鍵字： MOSFET  關斷損耗  

看懂MOSFET數據表，第1部分―UIS/雪崩額定值

  • 在看到MOSFET數據表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數會十分的含糊不清、模
  • 關鍵字： MOSFET  雪崩  

碳化硅/氮化鎵組件進入商品化 電力電子產業(yè)迎來大革命

  • LinkedIn隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業(yè)的技術大革命已揭開序幕。 這些新組件雖然
  • 關鍵字： 碳化硅  氮化鎵  

傳中興急單ODM/OEM抬價20%搶貨：MOSFET全年漲價30%

  • 　　MOSFET漲價已經很長一段時間，從今年年初至今，其漲價幅度已經達到了5%-10%，相對另外一種被動元器件MLCC，MOSFET漲價幅度還算在可接受范圍之內。簡而言之，今年以來MOSFET一直處于供貨吃緊狀態(tài)，包括英飛凌、威世、意法半導體、安森美等國際IDM大廠近些年并沒有新增產能?！　∮捎谌ツ晗掳肽暌詠?，汽車電子、物聯網、云端計算等新應用加大對MOSFET的需求，導致電腦以及智能手機等3C電子產品用MOSFET供貨嚴重不足，價格已經從今年年初上漲至今持續(xù)了3個季度!據市場表示，今年上半年MOSFET
  • 關鍵字： 中興  ODM  OEM  MOSFET  

汽車級N溝道MOSFET SQJQ480E

  • 功率 MOSFET 是眾多汽車子系統(tǒng)的重要組成部分，其能夠幫助實現各種各樣的功能，包括負載切換、電機控制以及DC/DC轉換等。SQJQ480E 的意義在于它可以處
  • 關鍵字： MOSFET  DC/DC轉換  SQJQ480E  

IGBT掃盲文，IGBT基礎與運用知識學習

  • 　　IGBT基礎與運用　　IGBT， 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快 的特點(控制和響應)，又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用)，頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內?！　±硐氲刃щ娐放c實際等效電路如圖所示：　　IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到，暫時不用考慮，重點考慮動態(tài)特性(開關特性)?！　討B(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取
  • 關鍵字： IGBT，MOSFET  

宜特跨攻MOSFET晶圓后端處理集成服務

  • 　　隨著電子產品功能愈來愈多元，對于低功耗的要求也愈來愈高， MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率組件，而在目前市面上產能不足，客戶龐大需求下，電子產品驗證服務龍頭-iST宜特科技今宣布，正式跨入「MOSFET晶圓后端處理集成服務」，目前已有20多家海內外廠商，包括全球知名晶圓廠、IDM廠商、IC設計企業(yè)已于今年第一季底，前來宜特進行工程試樣，并于第二季初開始進行小量產，并在下半年正式量產?！　∫颂囟麻L 余維斌指出，在車用可靠度驗證分析本業(yè)上，已做到亞洲龍頭，然而在服務客戶的同時，發(fā)現了此
  • 關鍵字： MOSFET  晶圓  

意法半導體推出離線轉換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

  • 　　意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓，并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?！　∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內工作，可用于設計高效的5V輸出開關電源。結合內部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能，這種優(yōu)勢可簡化設計，節(jié)省空間和物料清單成本?！　IPer11高壓轉換器可實現由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
  • 關鍵字： 意法半導體，MOSFET  

工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng)，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?！　⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
  • 關鍵字： SiC，MOSFET  

計算MOSFET非線性電容

  • 　　最初為高壓器件開發(fā)的超級結MOSFET，電荷平衡現在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結電容，但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少，而且顯著減少，但計算或比較不同MOSFET參數以獲得最佳性能變得更加復雜。　　MOSFET三個相關電容不能作為VDS的函數直接測量，其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數據手冊最終測量給出的三個值定義如下：　　CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD　　三者中，輸入電容CG
  • 關鍵字： MOSFET  非線性電容  

國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行調研基本半導體

  • 　　4月9日上午，國家集成電路產業(yè)投資基金總裁丁文武一行蒞臨基本半導體考察調研?！　』景雽w董事長汪之涵博士向丁文武介紹了公司自主研發(fā)的碳化硅功率器件產品，包括性能達到國際一流水平的碳化硅JBS二極管和MOSFET三極管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圓片?！　‰S后丁文武一行聽取了基本半導體總經理和巍巍博士對公司發(fā)展情況的匯報。丁文武對基本半導體的技術創(chuàng)新和戰(zhàn)略定位予以充分肯定，并鼓勵公司團隊再接再厲，立足創(chuàng)新驅動，不斷發(fā)展壯大，成為中國第三代半導體產業(yè)的領軍企業(yè)?！　壹呻娐樊a業(yè)投資基金是為促進集
  • 關鍵字： 基本半導體  碳化硅  功率芯片  集成電路  

SiC將與IGBT或MOSFET共存

  • 雖然碳化硅有成本方面的問題，但是其眾所周知的在各個高端應用中所表現出的高性能也能夠彌補其在價格方面的短板，尤其是在電動車與再生能源越來越受到重視，將為中功率、高功率應用領域帶來大量需求。氮化鎵技術能夠降低成本，又能夠保持半導體器件的優(yōu)越性能，在中、低功率應用領域具備擁有巨大潛力。但也并不是說將來所有的功率器件都會被碳化硅替代，我們認為碳化硅和現存的IGBT或MOSFET都能在其有優(yōu)勢的領域中共同發(fā)揮所長，共生共棲。
  • 關鍵字： 瑞薩，碳化硅  

重磅消息！深圳第三代半導體研究院正式啟動

  • 　　3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業(yè)發(fā)展產生深遠影響?！　】萍疾吭辈块L、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
  • 關鍵字： 青銅劍科技  半導體  碳化硅  功率器件  

電源設計經驗之MOS管驅動電路篇

  • 　　MOSFET因導通內阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅動常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關電源的驅動電路。　　在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
  • 關鍵字： MOSFET  電源IC  
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碳化硅 mosfet介紹

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