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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 耐受性

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制

  • 　　Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers? ? ? ?作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司（德國(guó) 慕尼黑）　　摘要：通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。　　關(guān)鍵詞：IGBT; MOSFET; 柵極驅(qū)動(dòng)器；耐受性；隔離? ? &nb
  • 關(guān)鍵字： 201905  IGBT  MOSFET   柵極驅(qū)動(dòng)器  耐受性  隔離  
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耐受性介紹

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