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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 晶圓制造

世界級(jí)300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開(kāi)出售

  •   高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問(wèn)。該高度開(kāi)放的生產(chǎn)園位于撒克遜州,擁有一個(gè)一流的 300mm 半導(dǎo)體晶圓制造廠,包括281種先進(jìn)的前端半導(dǎo)體生產(chǎn)工具、一個(gè)先進(jìn)的 300mm 研發(fā)中心和一座360,000平方英尺的辦公樓。該生產(chǎn)園還有一些剩余土地,可用于建造與現(xiàn)有 300mm 晶圓廠一模一樣的工廠,從而可能使產(chǎn)能翻番。   ATREG 將致力于尋找一個(gè)能夠運(yùn)營(yíng)該工廠的買家。作為原先
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臺(tái)積電繞開(kāi)英特爾工藝標(biāo)準(zhǔn)意在差異化競(jìng)爭(zhēng)力

  •   在半導(dǎo)體晶圓制造工藝度過(guò)60納米平臺(tái)后,世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電就選擇不再跟隨英特爾的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。對(duì)此,臺(tái)積電研發(fā)負(fù)責(zé)人、研發(fā)發(fā)展資深副經(jīng)歷蔣尚義認(rèn)為,半導(dǎo)體行業(yè)的每一個(gè)工藝制造都需要近十年的時(shí)間不斷優(yōu)化,而臺(tái)積電選擇比英特爾更快的研究更先進(jìn)的制造工藝,意在提高自己的長(zhǎng)期競(jìng)爭(zhēng)力。   “我們現(xiàn)在最成熟的工藝是0.13微米,這已經(jīng)是10年前的技術(shù)了,但依然有得改進(jìn)。同理,如果我們第一步領(lǐng)先,就會(huì)在接下去的十年都領(lǐng)先。”蔣尚義昨日在北京向媒體表示。他此行的目的是在27日召開(kāi)的20
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德儀進(jìn)一步提高模擬產(chǎn)能 購(gòu)買設(shè)備啟動(dòng)第二階段RFAB擴(kuò)產(chǎn)

  •   德州儀器 (TI) 宣布,近期從奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda) 北美公司與奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)德國(guó)德累斯頓公司成功購(gòu)買100 多套工具,為滿足客戶需求TI再次擴(kuò)展模擬制造產(chǎn)能。   這是啟動(dòng)TI總部附近德克薩斯州 Richardson 晶圓制造廠(RFAB)第二階段擴(kuò)大產(chǎn)能的第一步,該廠是業(yè)界第一個(gè) 300 mm模擬晶圓廠。   RFAB 第二階段完工后,德克薩斯北部制造廠的模擬制造產(chǎn)能將提高一倍,創(chuàng)造營(yíng)收將達(dá)約20億美元。TI 即將開(kāi)始第二階段的工廠設(shè)備安裝,以便根據(jù)市場(chǎng)需求投入運(yùn)營(yíng)。第一階段與第
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臺(tái)積電 2010年第一季每股盈余新臺(tái)幣1.30元

  •   TSMC 27日公布2010年第一季財(cái)務(wù)報(bào)告,合并營(yíng)收為新臺(tái)幣921.9億元,稅后純益為新臺(tái)幣336.6億元,每股盈余為新臺(tái)幣1.30元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.20美元)。   與2009年同期相較,2010年第一季營(yíng)收增加133.4%,稅后純益增加2059.5%,每股盈余則增加了2059.8%。與前一季相較,2010年第一季營(yíng)收增加了0.1%,稅后純益及每股盈余皆增加了3.1%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字,并依照中國(guó)臺(tái)灣一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。   2010年第一季毛利率為47.9
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Intersil向美國(guó)中佛羅里達(dá)大學(xué)捐贈(zèng)一座晶圓制造工廠

  •   全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司今天非常高興的宣布,將把一個(gè)高技術(shù)半導(dǎo)體晶圓制造工廠連同土地捐贈(zèng)給美國(guó)中佛羅里達(dá)大學(xué)(UCF)并承擔(dān)初期的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用。   捐贈(zèng)清單中的100494平方英尺(約合9336平方米) 包括辦公樓、制造設(shè)施和潔凈室,以及5英畝(2公頃)的土地,可折合為大約1300萬(wàn)美元。此外,Intersil還將提供公用設(shè)施,并還額外承擔(dān)該工廠在轉(zhuǎn)交給美國(guó)中佛羅里達(dá)大學(xué)(UCF)后的最初三年的運(yùn)營(yíng)費(fèi)用,使該大學(xué)拿到手的是一個(gè)“交鑰匙“方案。
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VLSI:IC缺貨狀況持續(xù)但庫(kù)存水位略有上升

  •   IC產(chǎn)業(yè)正在復(fù)蘇,不過(guò)近來(lái)也出現(xiàn)芯片通路庫(kù)存水位上升的跡象;根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSIResearch的調(diào)查,2月份全球IC庫(kù)存金額達(dá)到243.8億美元,較2009年同月份增加46%。   「該金額數(shù)字也幾乎超越08年10月產(chǎn)業(yè)高峰期時(shí)候的水平;」不過(guò)VLSIResearch 執(zhí)行長(zhǎng)G.DanHutcheson也表示:「我們雖然發(fā)出警告,但目前半導(dǎo)體市場(chǎng)的庫(kù)存出貨比(inventory-to- billingsratios)仍在健康的范圍內(nèi)?!?   在另一方面,有廣泛的報(bào)導(dǎo)指出,供應(yīng)鏈中有一些特定零
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傳中芯國(guó)際將向德儀出售業(yè)務(wù)致股價(jià)下滑

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,中芯國(guó)際周三股價(jià)下跌,原因是此前有報(bào)道稱,中芯國(guó)際將把成都晶圓制造廠出售給德州儀器。   據(jù)國(guó)外媒體周二援引匿名消息人士的言論稱,中芯國(guó)際將把成都晶圓制造廠出售給德州儀器,該廠的所有權(quán)歸當(dāng)?shù)卣?,目前正按照中芯?guó)際與當(dāng)?shù)卣_(dá)成的一項(xiàng)協(xié)議進(jìn)行運(yùn)營(yíng)。報(bào)道并未具體說(shuō)明德州儀器是將從當(dāng)?shù)卣种惺召?gòu)這家制造廠,還是從中芯國(guó)際手中接管其業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng),并與政府達(dá)成類似的運(yùn)營(yíng)協(xié)議。中芯國(guó)際和德州儀器均拒絕就此報(bào)道置評(píng)。   截至周三午盤為止,中芯國(guó)際在紐交所的美國(guó)存托憑證成交量已經(jīng)超過(guò)了100
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臺(tái)積電2010年2月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告

  •   臺(tái)積電10日公布2010年2月?tīng)I(yíng)收?qǐng)?bào)告,就非合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,營(yíng)收約為新臺(tái)幣291億9,500萬(wàn)元,較今年1月增加了0.1%,較去年同期則增加了153.8%。累計(jì)2010年1至2月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣583億5,200萬(wàn)元,較去年同期增加了143.7%。   就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,2010年2月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣301億3,200萬(wàn)元,與今年1月的營(yíng)收水準(zhǔn)相當(dāng),較去年同期則增加了147.5%。累計(jì)2010年1至2月?tīng)I(yíng)收約為新臺(tái)幣602億6,800萬(wàn)元,較去年同期增加了138.2%。
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晶圓制造業(yè)投資力度加大 比拼高端工藝

  •   國(guó)際金融危機(jī)的陰霾逐漸散去,2009年集體“貓冬”的半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)未來(lái)的市場(chǎng)行情普遍看好,而業(yè)內(nèi)的市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)也開(kāi)始合唱“春天的故事”,甚至有分析師預(yù)測(cè)2010年全球半導(dǎo)體業(yè)銷售收入增幅將在30%以上?;蛟S是受到這些情緒的影響,IC制造企業(yè)也紛紛宣布將在2010年大幅提升資本支出的額度,并在擴(kuò)充產(chǎn)能的同時(shí)邁向更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。   產(chǎn)能擴(kuò)張?zhí)崴俅I(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇   ●資本支出大幅反彈   ●晶圓代工“軍備競(jìng)賽”大幕開(kāi)啟   根
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3月4日高雄地震對(duì)TSMC生產(chǎn)進(jìn)度的影響約為1.5天

  •   TSMC昨(4)日表示,昨(4)日晨八時(shí)十八分,在中國(guó)臺(tái)灣高雄縣甲仙鄉(xiāng)發(fā)生芮氏規(guī)模6.4級(jí)的地震,而TSMC臺(tái)南廠區(qū)和新竹廠區(qū)所測(cè)得的震度分別為5級(jí)與2級(jí)。   目前根據(jù)各單位的檢查回報(bào),此次地震對(duì)新竹廠區(qū)的營(yíng)運(yùn)影響極微,但臺(tái)南廠區(qū)相對(duì)受到較大影響,然而該廠區(qū)已經(jīng)陸續(xù)恢復(fù)生產(chǎn)。初步估計(jì),此次地震對(duì)TSMC總體生產(chǎn)進(jìn)度(wafer movement)的影響約為1.5天。
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三星:450mm制造技術(shù)2015年將取代300mm技術(shù)

  •   三星公司高級(jí)副總裁Joo-Tai Moon近日表示,18英寸(450mm)晶圓制造技術(shù)將于2015年取代現(xiàn)有的12英寸(300mm)晶圓制造技術(shù),他同時(shí)還表示亞洲地區(qū)將是全球半導(dǎo) 體市場(chǎng)成長(zhǎng)速度最快的地區(qū),到2011年底,該地區(qū)的IC產(chǎn)量將占全球總量的70%左右。目前Intel,三星和臺(tái)積電是三家公開(kāi)表態(tài)愿意支持450mm制造技術(shù)的廠商。   同時(shí)他還表示相變內(nèi)存技術(shù)(PRAM),STT-MRAM以及氧化物記錄介質(zhì)存儲(chǔ)技術(shù)(OXRAM)將是未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的主要發(fā)展方向,其理由是這三種下一代技術(shù)在效能和
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華人控股半導(dǎo)體設(shè)備公司投資中國(guó)1億美元

  •   由華人控股的美國(guó)半導(dǎo)體公司優(yōu)納集團(tuán)近日對(duì)計(jì)世網(wǎng)表示,將要加大進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)的力度,未來(lái)5年內(nèi)將在華投資1億美元,同時(shí)其全球戰(zhàn)略核心也將向中國(guó)轉(zhuǎn)移。   北京優(yōu)納科技有限公司的發(fā)言人王琳瑄稱,2010年該集團(tuán)將加大在中國(guó)大陸地區(qū)的投資額度,并重點(diǎn)發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)備制造上游段的晶圓制造部分和下游段的電路板制造部分的技術(shù)研發(fā)。王琳瑄還透露稱,得益于中國(guó)經(jīng)濟(jì)的復(fù)蘇和半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的巨大空間,優(yōu)納集團(tuán)全球的戰(zhàn)略重點(diǎn)將會(huì)向中國(guó)偏移,并在未來(lái)五年內(nèi)逐步加大其在華投資額度。而計(jì)世網(wǎng)從相關(guān)知情人士處獲悉,該集團(tuán)未來(lái)5年的總
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英飛凌CEO看好未來(lái)三年半導(dǎo)體業(yè)

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,德國(guó)晶圓制造商英飛凌首席執(zhí)行官彼得·鮑爾(Peter Bauer)上周五稱,隨著半導(dǎo)體行業(yè)步出深度低迷,未來(lái)數(shù)年前景預(yù)計(jì)頗為良好。   鮑爾在接受德國(guó)商報(bào)(Handelsblatt)采訪時(shí)表示,“若全球經(jīng)濟(jì)不再遭遇嚴(yán)重?cái)_亂,半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)三到四年的景況應(yīng)該很好。”   他并稱該行業(yè)已出現(xiàn)三個(gè)趨勢(shì):合同組裝商變得更加重要,晶圓制造企業(yè)分工更細(xì)化,以及部分領(lǐng)域的合并將促成關(guān)鍵的重量級(jí)企業(yè)出現(xiàn)。
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英飛凌稱半導(dǎo)體業(yè)未來(lái)數(shù)年前景良好

  •   德國(guó)晶圓制造企業(yè)英飛凌首席執(zhí)行官Peter Bauer近日稱,隨著半導(dǎo)體行業(yè)步出深度低迷,未來(lái)數(shù)年前景料頗為良好。   Bauer在接受德國(guó)商報(bào)采訪時(shí)表示,“若全球經(jīng)濟(jì)不再遭遇嚴(yán)重?cái)_亂,半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)三到四年的景況應(yīng)該很好。”   他并稱該行業(yè)已出現(xiàn)三個(gè)趨勢(shì):合同組裝商變得更加重要,晶圓制造企業(yè)分工更細(xì)化,以及部分領(lǐng)域的合并將促成關(guān)鍵的重量級(jí)企業(yè)出現(xiàn)。
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分析稱中芯臺(tái)積電合作空間不大

  •   11月11日消息,據(jù)路透社報(bào)道,繼上周美國(guó)加州一法院判決中芯敗訴后,針對(duì)與臺(tái)積電之間幾項(xiàng)纏訴多年的侵權(quán)官司,中芯周二公告稱,已取得和解,將向臺(tái)積電支付合共2億美元,并將約8%的股份拱手相讓,但臺(tái)積電不會(huì)派員進(jìn)入董事會(huì),亦不會(huì)參與中芯國(guó)際日常營(yíng)運(yùn)。   中芯國(guó)際的聲明稱,將會(huì)分四年向臺(tái)積電支付2億美元,并將以公司的現(xiàn)有現(xiàn)金結(jié)余撥付。此外,公司亦會(huì)向臺(tái)積電發(fā)行約17.9億股中芯國(guó)際新股,相當(dāng)于公司已發(fā)行股本約8%,或經(jīng)擴(kuò)大后已發(fā)行股本約7.2%。   此外,臺(tái)積電還獲授予認(rèn)股權(quán)證,后者可按每股1.3港
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晶圓制造介紹

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