晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

Applied Materials公布適用于3nm與GAA晶體管制造的下一代工具

上月，三星代工（Samsung Foundry）部門悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度開始使用 3GAE 技術(shù)工藝來生產(chǎn)芯片。作為業(yè)內(nèi)首個采用 GAA 晶體管的 3nm 制程工藝，可知這一術(shù)語特指“3nm”、“環(huán)柵晶體管”、以及“早期”。不過想要高效地制造 GAA 晶體管，晶圓廠還必須裝備全新的生產(chǎn)工具。而來自應(yīng)用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就將為包括三星在內(nèi)的晶圓廠提供 GAA 芯片的制造支持。（來自：Applied Materials 官網(wǎng) ，via
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應(yīng)用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過渡的過程將是困難且昂貴的。
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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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臺積電披露3nm工藝更多細(xì)節(jié)信息晶體管密度是5nm工藝1.7倍

據(jù)國外媒體報道，正如外媒此前所預(yù)期的一樣，芯片代工商臺積電在今日開始的全球技術(shù)論壇上，披露了下一代先進(jìn)工藝3nm的更多細(xì)節(jié)信息。2020年的臺積電全球技術(shù)論壇，是他們舉行的第二十六屆全球技術(shù)論壇，論壇上分享了第一代5nm、第二代5nm、4nm等先進(jìn)工藝方面的信息，但在5nm工藝已經(jīng)投產(chǎn)的情況下，外界最期待的還是5nm之后的下一個全新工藝節(jié)點3nm工藝。在今天的論壇上，臺積電也披露了3nm工藝的相關(guān)信息。他們的3nm工藝，仍將繼續(xù)使用鰭式場效應(yīng)（FinFET)晶體管，不會采用三星計劃在3nm工藝節(jié)點上使用的
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Intel 5年內(nèi)量產(chǎn)納米線/納米帶晶體管！搭檔3nm？

Intel這幾年雖然在制造工藝上步伐慢了很多，但是說起半導(dǎo)體前沿技術(shù)研究和儲備，Intel的實力仍是行業(yè)數(shù)一數(shù)二的。在近日的國際超大規(guī)模集成電路會議上，Intel首席技術(shù)官、Intel實驗室總監(jiān)Mike Mayberry就暢談了未來的晶體管結(jié)構(gòu)研究，包括GAA環(huán)繞柵極、2D MBCFET多橋-通道場效應(yīng)管納米片結(jié)構(gòu)，乃至最終擺脫CMOS。FinFET立體晶體管是Intel 22nm、臺積電16nm、三星14nm工藝節(jié)點上引入的，仍在持續(xù)推進(jìn)，而接下來最有希望的變革就是GAA環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)，重新設(shè)計晶體管底層
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臺積電3nm細(xì)節(jié)公布：2.5億晶體管/mm2 能耗性能大提升

近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2．5億／mm2！
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比官方宣傳還猛！臺積電5nm晶體管密度比7nm提高88％

一般來說,官方宣傳數(shù)據(jù)都是最理想的狀態(tài),有時候還會摻雜一些水分,但是你見過實測比官方數(shù)字更漂亮的嗎?臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn),蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4等處理器都會使用它,而且消息稱初期產(chǎn)能已經(jīng)被客戶完全包圓,尤其是蘋果占了最大頭。臺積電尚未公布5nm工藝的具體指標(biāo),只知道會大規(guī)模集成EUV極紫外光刻技術(shù),不過在一篇論文中披露了一張晶體管結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。WikiChips經(jīng)過分析后估計,臺積電5nm的柵極間距為48nm,金屬間距則是30nm,鰭片間距25
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全球進(jìn)入存量競爭半導(dǎo)體行業(yè)迎來國產(chǎn)替代機遇期

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入存量競爭的時代，受益于5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢，中國半導(dǎo)體行業(yè)將繼續(xù)保持較高增速。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2022年中國半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到12925億人民幣。在半導(dǎo)體第三次轉(zhuǎn)移的趨勢和國家的大力支持下，國產(chǎn)半導(dǎo)體公司將在未來10年迎來發(fā)展的黃金時期，值得投資者密切關(guān)注　　國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司10月22日注冊成立，注冊資本2041.5億元，略超此前市場預(yù)期的2000億元。根據(jù)《關(guān)于征集浙江省數(shù)字經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)投資基金項目的通知》顯示，大基金二期主要聚焦集成電
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“馴服”鋰離子創(chuàng)造一個“超長待機”的世界

2019年，諾貝爾化學(xué)獎頒發(fā)給了研發(fā)鋰離子電池的科學(xué)家?！　『檬露嗄?，眾望所歸?！　∪豢茖W(xué)家，他們“馴服”了鋰離子，為所有人創(chuàng)造了一個可重復(fù)充電“超長待機”的世界。時至今日，鋰離子電池這種輕巧、可充電且功能強大的發(fā)明，出現(xiàn)在每個人都熟悉不已的手機、筆記本電腦、電動汽車等幾乎所有電子類產(chǎn)品中。它還可以存儲來自太陽能和風(fēng)能的巨大能量，從而使無化石燃料社會成為可能?！　∪巳硕紣垆囯x子電池　　現(xiàn)在，于全球范圍內(nèi)，你都能看到鋰離子電池正在為人類的日?；顒犹峁﹦恿?。其中最常見的方式就是為便攜式電子設(shè)備供電?！　∥覀?/li>
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賽靈思發(fā)布世界最大FPGA芯片：350億晶體管

賽靈思(Xilinx)今天宣布推出世界最大的FPGA芯片“Virtex UltraScale+ VU19P”，擁有多達(dá)350億個晶體管，密度在同類產(chǎn)品中也是最大的，相比上代Virtex UltraScale VU440增大了1.6倍，而功耗降低了60％。雖然具體面積沒有公布，和日前那個1.2萬億晶體管、46225平方毫米、AI計算專用的世界最大芯片不在一個數(shù)量級，但在FPGA的世界里，絕對是個超級龐然大物，從官方圖看已經(jīng)可以蓋住一個馬克杯的杯口。相比之下，AMD 64核心的二代霄龍為320億個晶體管，NV
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關(guān)于羅姆受讓Panasonic公司半導(dǎo)體元器件業(yè)務(wù)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（董事長藤原忠信、總部位于日本京都）近日決定從Panasonic公司（董事長津賀一宏、總部位于日本大阪府門真市，以下簡稱“Panasonic”）受讓半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門（Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.）經(jīng)營的二極管及部分晶體管業(yè)務(wù)。預(yù)計受讓時間為2019年10月，之后將由羅姆對Panasonic的客戶進(jìn)行相應(yīng)產(chǎn)品的銷售。1.業(yè)務(wù)受讓的背景和目標(biāo)羅姆將半導(dǎo)體元件業(yè)務(wù)定位為羅姆集團(tuán)的核心業(yè)務(wù)，自20世紀(jì)60年代以來不斷地開展開發(fā)、生產(chǎn)與
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德國開發(fā)單原子量子晶體管計算機能耗或降低1萬倍

　　德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院一個研究團(tuán)隊開發(fā)了僅有一個原子組成的量子晶體管，而且能夠在室溫下運行。這一研究開啟了計算能力和效率的新篇章?？刂齐娮有盘杺鬏?shù)木w管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)。在逾半個世紀(jì)以來，晶體管尺寸和能耗的穩(wěn)步降低，一直是推動計算能力增長的基本動力?！　⌒滦途w管依靠移動一個銀原子開啟或關(guān)閉電路。材料科學(xué)新聞Nanowerk稱這種晶體管是世界上最小的晶體管。更重要的是，新型晶體管被描述為“量子開關(guān)”，這意味著它可以比目前的晶體管攜帶更復(fù)雜的信息。　　德國研究團(tuán)隊最值得關(guān)注的聲明是，新型晶體管可以
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采用氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計的包絡(luò)跟蹤電源支持20 MHz LTE帶寬

本篇文章將進(jìn)一步闡述面向使用第四代移動通信技術(shù)(4G)LTE頻帶的無線通信基站基礎(chǔ)設(shè)施并采用EPC8004高頻氮化鎵場效應(yīng)晶體管設(shè)計的包絡(luò)跟蹤電源。包絡(luò)跟
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要成為模擬電路的設(shè)計者必須掌握以下四個組成部分

模擬電路再怎么說，關(guān)鍵的是多學(xué)多做，做出片子就自然懂得哪些知識點需要掌握了。這里就主要談?wù)剬W(xué)習(xí)模擬電路要求的四個知識部分，要成為模擬電路的設(shè)
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]