晶體管 文章 進入晶體管技術(shù)社區(qū)
氮化鎵(GaN)晶體管設(shè)備越薄越冷
- 伊利諾伊大學(xué)研究人員開發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法 GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度,可以在較高溫度下運行(500℃以下),但像所有半導(dǎo)體那樣,GaN晶體管也產(chǎn)生過多的熱量,這會限制他們的性能。 基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?,F(xiàn)在,一個來自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實驗室的研究團隊創(chuàng)造了一種新的方法,他們聲稱該方法簡單而且低成本。 采用計算機輔助設(shè)計,坎·拜拉姆的團隊已經(jīng)證明,GaN層的厚度在過熱中起很大作用,影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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指針式萬用電表中晶體管直流電流放大倍數(shù)的測量原理和誤差分析

- 在指針式萬用電表中,測量晶體管直流電流放大倍數(shù)是通過直流電流表(通常在1.5V標稱電壓下,標準量程為5mA)測量的。隨著電池電壓的減小,通過調(diào)節(jié)電阻檔的零歐姆電位器以使電流表達到滿度,由于電流表偏離標準量程,也就造成了測量誤差。文中分析了當電池電壓從1.65V降至1.35V過程中所產(chǎn)生的誤差值。取其中的最大值作為技術(shù)指標中的誤差值。而一般廠家在技術(shù)指標中,沒有給出該誤差值或精度等級。
- 關(guān)鍵字: 萬用電表 晶體管 電流放大倍數(shù) 誤差分析 201609
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]
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