晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

晶體管分類(lèi)測(cè)試儀電路圖

晶體管分類(lèi)測(cè)試儀電路圖
關(guān)鍵字：晶體管測(cè)試儀

晶體管恒流偏置電路

晶體管恒流偏置電路通常，當(dāng)RL?R時(shí)，流過(guò)光敏電阻的電流基本不變，此時(shí)的偏置電路稱(chēng)為恒流電路。然而，光敏電阻自身的阻值已經(jīng)很高，再滿足恒流偏置的條件就難以滿足電路輸出阻抗的要求，為此，可引入如圖2-13所示的晶體管恒...
關(guān)鍵字：晶體管恒流偏置

晶體管放大電路的頻率特性

晶體管放大電路的頻率特性一：頻率特性簡(jiǎn)述（1）：由于放大電路中存在電抗元件C，因此它對(duì)不同頻率呈現(xiàn)的阻抗不同，所以放大電路對(duì)不同頻率成分的放大倍數(shù)和相位移不同。放大倍數(shù)與頻率的關(guān)系稱(chēng)為幅頻關(guān)系；相位與頻率的關(guān)系稱(chēng)為...
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晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進(jìn)電路圖

晶體管水平掃描電路的掃描電壓線性改進(jìn)電路圖
關(guān)鍵字：晶體管水平掃描電路掃描電壓

晶體管與LC回路構(gòu)成的晶頻電路圖

晶體管與LC回路構(gòu)成的晶頻電路圖
關(guān)鍵字：晶體管 LC回路晶頻電路

晶體管溫度補(bǔ)償電路圖

溫度升高，電流增大，NTC熱敏電阻阻值下降，Ub下降，Ib減小，穩(wěn)定晶體管靜態(tài)工作點(diǎn)。
關(guān)鍵字：晶體管溫度補(bǔ)償

晶體管輸出驅(qū)動(dòng)電路

晶體管輸出驅(qū)動(dòng)電路
關(guān)鍵字：晶體管驅(qū)動(dòng)電路

氮化鎵（GaN）晶體管設(shè)備越薄越冷

　　伊利諾伊大學(xué)研究人員開(kāi)發(fā)出新的氮化鎵(GaN)熱控制方法　　GaN晶體管比傳統(tǒng)的硅晶體管具有更高的功率密度，可以在較高溫度下運(yùn)行(500℃以下)，但像所有半導(dǎo)體那樣，GaN晶體管也產(chǎn)生過(guò)多的熱量，這會(huì)限制他們的性能。　　基于散熱器和風(fēng)扇的冷卻方法增加成本和體積?，F(xiàn)在，一個(gè)來(lái)自伊利諾伊大學(xué)微納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了一種新的方法，他們聲稱(chēng)該方法簡(jiǎn)單而且低成本。　　采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)，坎·拜拉姆的團(tuán)隊(duì)已經(jīng)證明，GaN層的厚度在過(guò)熱中起很大作用，影響設(shè)備的熱預(yù)期和最終性能。
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晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器

引言雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來(lái)像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問(wèn)題。我們可以發(fā)現(xiàn)過(guò)去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小
關(guān)鍵字：晶體管穩(wěn)壓器

1nm晶體管現(xiàn)身！

　　以物理學(xué)規(guī)則來(lái)看，電晶體的最小尺寸被認(rèn)為是5奈米，但透過(guò)采用碳奈米管制作電晶體閘極，這個(gè)極限已經(jīng)被突破… 　　碳奈米管從過(guò)去幾十年就已經(jīng)用于制作實(shí)驗(yàn)性電晶體，但大多是當(dāng)做電晶體通道(channel);美國(guó)勞倫斯柏克萊國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(Lawrence Berkeley National Laboratory)的研究人員則是以奈米碳管制作閘極(gate)，并因此實(shí)現(xiàn)了號(hào)稱(chēng)全世界最小的電晶體。　　　　采用二硫化鉬(molybdenum disulfide)通道與單奈米
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1nm晶體管能否改寫(xiě)摩爾定律的命運(yùn)？

隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，摩爾定律所預(yù)言的發(fā)展軌跡似乎已逼近終點(diǎn)。這意味著，固守傳統(tǒng)思路的芯片制造商將舉步維艱。
關(guān)鍵字： 1nm 晶體管

計(jì)算技術(shù)界的重大突破：1nm晶體管誕生

晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來(lái)處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。
關(guān)鍵字： 1nm 晶體管

研究人員開(kāi)發(fā)出全球最小晶體管摩爾定律仍將長(zhǎng)期生效

　　北京時(shí)間10月7日晚間消息，美國(guó)勞倫斯伯克力國(guó)家實(shí)驗(yàn)室(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“伯克力實(shí)驗(yàn)室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究小組日前利用碳納米管和一種稱(chēng)為二硫化鉬的化合物開(kāi)發(fā)出了全球最小的晶體管。　　晶體管由三個(gè)終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從源極流到漏極，由柵極來(lái)控制，后者會(huì)根據(jù)所施加的電壓打開(kāi)和關(guān)閉。　　伯克力實(shí)驗(yàn)室研究人員蘇杰伊-德賽(Sujay Desai)稱(chēng)：“長(zhǎng)期以來(lái)，半導(dǎo)體行業(yè)一直認(rèn)為，任何小
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指針式萬(wàn)用電表中晶體管直流電流放大倍數(shù)的測(cè)量原理和誤差分析

在指針式萬(wàn)用電表中，測(cè)量晶體管直流電流放大倍數(shù)是通過(guò)直流電流表(通常在1.5V標(biāo)稱(chēng)電壓下，標(biāo)準(zhǔn)量程為5mA)測(cè)量的。隨著電池電壓的減小，通過(guò)調(diào)節(jié)電阻檔的零歐姆電位器以使電流表達(dá)到滿度，由于電流表偏離標(biāo)準(zhǔn)量程，也就造成了測(cè)量誤差。文中分析了當(dāng)電池電壓從1.65V降至1.35V過(guò)程中所產(chǎn)生的誤差值。取其中的最大值作為技術(shù)指標(biāo)中的誤差值。而一般廠家在技術(shù)指標(biāo)中，沒(méi)有給出該誤差值或精度等級(jí)。
關(guān)鍵字：萬(wàn)用電表晶體管電流放大倍數(shù) 誤差分析 201609

【E問(wèn)E答】晶體管工作原理是什么?

　　利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書(shū)看　　下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。　　　　源極和漏極之間是溝道(Channel)，當(dāng)沒(méi)有對(duì)柵極(G)施加電壓的時(shí)候，溝道中不會(huì)聚集有效的電荷，源極(S)和漏極(S)之間不會(huì)有有效電流產(chǎn)生，晶體管處于關(guān)閉狀態(tài)。可以把這種關(guān)閉的狀態(tài)解釋為&l
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]