晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

中國(guó)攜手丹麥用石墨烯開發(fā)出單分子層晶體管

　　物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，丹麥哥本哈根大學(xué)化學(xué)納米科學(xué)中心和中國(guó)中科院的科學(xué)家攜手，用僅僅一個(gè)分子單層制造出一款晶體管，同時(shí)，他們創(chuàng)造性地應(yīng)用石墨烯的獨(dú)特性能，用該分子晶體管制造出了一塊石墨烯計(jì)算機(jī)芯片。這一發(fā)表在《先進(jìn)材料》雜志上的最新研究將有助于科學(xué)家們?cè)O(shè)計(jì)出體形更小、運(yùn)行速度更快且更環(huán)保的電子設(shè)備。　　該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、哥本哈根大學(xué)化學(xué)教授卡斯帕·諾亞德說(shuō)：“石墨烯擁有許多讓其他材料望塵莫及的獨(dú)特屬性，這也是科學(xué)家們首次證明，可以將一個(gè)功能性的元件集成在一塊石墨烯芯片上。新
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利用工程加工基板實(shí)現(xiàn)晶體管微縮化之途徑

晶體管的持續(xù)微縮化對(duì)我們的日常生活有著超乎尋常的影響力?；叵?997年，IBM所制造的巨型超級(jí)計(jì)算機(jī)“深藍(lán)”...
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東芝為射頻/模擬應(yīng)用推出低功耗MOSFET用全新器件結(jié)構(gòu)

東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布使用CMOS兼容工藝開發(fā)高功率增益晶體管。該晶體管可有效降低高頻射頻/模擬前端應(yīng)用的功耗。詳細(xì)信息將于6月12日在2013年超大規(guī)模集成電路技術(shù)及電路研討會(huì)(Symposia on VLSI Technology and Circuits)期間公布，此次研討會(huì)將于2013年6月11日至14日在日本京都舉行。
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聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)

聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta與聯(lián)華電子正密切合作利用DDC晶體管技術(shù)的優(yōu)勢(shì)來(lái)降低泄漏功耗，并提高SRAM的低電壓效能。
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應(yīng)用材料公司發(fā)布高性能晶體管創(chuàng)新外延技術(shù)

　　新的NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）外延沉積工藝對(duì)下一代移動(dòng)處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要　　應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù)，繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來(lái)的領(lǐng)先地位。該應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)符合行業(yè)在20納米節(jié)點(diǎn)時(shí)將外延沉積從PMOS(P型金屬氧化物半導(dǎo)體)向NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管延伸的趨勢(shì)，推動(dòng)芯片制造商打造出更快的終端，提供下一代移動(dòng)計(jì)算能力。　　NMOS外延可將晶體管速度提高半個(gè)器件節(jié)點(diǎn)，同時(shí)不增加關(guān)閉
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斯巴克Cayin230C合并式晶體管放大器設(shè)計(jì)分析

1999年8月，中航(珠海)企業(yè)集團(tuán)珠海斯巴克電子設(shè)備有限公司迎來(lái)6周年誕辰。在這喜慶的日子里，我們謹(jǐn)向斯巴克公 ...
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由單光子控制的全光晶體管問(wèn)世

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月4日?qǐng)?bào)道，美國(guó)麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實(shí)驗(yàn)室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們?cè)谧钚乱黄凇犊茖W(xué)》雜志撰文指出，他們研制出了一種由單個(gè)光子控制的全光開關(guān)，新的全光晶體管有望讓傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)和量子計(jì)算機(jī)都受益。　　新的全光開關(guān)的核心是一對(duì)高度反光的鏡子。當(dāng)開關(guān)打開時(shí)，光信號(hào)能穿過(guò)這兩面鏡子，當(dāng)開關(guān)關(guān)閉時(shí)，信號(hào)中約20%的光能穿過(guò)鏡子。如此一來(lái)，這對(duì)鏡子就構(gòu)成了所謂的光學(xué)共振器。該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、MIT物理學(xué)教授弗拉達(dá)·烏勒提解釋道，如果鏡子間的距離
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美首次制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

　　據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時(shí)代。　　幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)(音譯)表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢(shì)看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以熱的形式浪費(fèi)大量能源?！? 　　科學(xué)家們嘗試使用不同材料和半導(dǎo)體
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美首次制造出不使用半導(dǎo)體的晶體管

　　據(jù)美國(guó)每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日?qǐng)?bào)道，美國(guó)科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時(shí)代。　　幾十年來(lái)，電子設(shè)備變得越來(lái)越小，科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體集成在單個(gè)硅芯片上。該研究的領(lǐng)導(dǎo)者、密歇根理工大學(xué)的物理學(xué)家葉躍進(jìn)(音譯)表示：“以目前的技術(shù)發(fā)展形勢(shì)看，10年到20年間，這種晶體管不可能變得更小。半導(dǎo)體還有另一個(gè)先天不足，即會(huì)以熱的形式浪費(fèi)大量能源?！? 　　科學(xué)家們嘗試使用不同材料
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納米紙晶體管開啟新時(shí)代

　　便攜、低成本、可彎曲、綠色環(huán)保，這些都是當(dāng)前電子產(chǎn)品的重要發(fā)展趨勢(shì)。同濟(jì)大學(xué)與美國(guó)馬里蘭大學(xué)最近聯(lián)合研發(fā)的納米紙晶體管，以納米紙為襯底，全透明、可彎曲、可降解，向紙制電子產(chǎn)品邁出了重要一步。　　黃佳　　柔性可彎曲、可折疊是當(dāng)前新一代電子產(chǎn)品的一大重要發(fā)展方向。以手機(jī)為例，隨著科技的進(jìn)步，手機(jī)從早期“厚磚塊”的大哥大發(fā)展到了小型的掌上機(jī)，體積越來(lái)越小。　　隨著智能觸屏手機(jī)的出現(xiàn)，手機(jī)的屏幕開始逐步變大。然而，便攜化要求的小體積，與視覺效果和使用方便所需的屏幕大面積化之
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科學(xué)家研制出單光子開關(guān)的晶體管

　　晶體管在計(jì)算機(jī)內(nèi)充當(dāng)微型的電子或電流開關(guān)，而科學(xué)家正研制能利用光開關(guān)的芯片元件。上周MIT研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)報(bào)告他們創(chuàng)造出一個(gè)用單光子開關(guān)的晶體管。 MIT的Wenlan Chen和同事的光晶體管利用了懸浮在鏡子之間致冷銫原子云，在默認(rèn)情況下為“開”狀態(tài)，一束光可以不受干擾的穿過(guò)銫原子云(左圖)。借助名叫電磁感應(yīng)透明的效應(yīng)，一個(gè)光子可作為“門”令開關(guān)關(guān)閉。　　注入的光子能激發(fā)銫原子，使其反射試圖穿越原子云的光束(右圖)。一個(gè)光子可以阻擋約400
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抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析

為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測(cè)試、檢漏、內(nèi)部水汽檢測(cè)、開封檢查等試驗(yàn)完成了對(duì)晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結(jié)果表明晶體管存在工藝問(wèn)題，內(nèi)部未進(jìn)行水汽控制，加上內(nèi)部硫元素過(guò)高，長(zhǎng)期貯存后內(nèi)部發(fā)生了氧化腐蝕反應(yīng)，從而導(dǎo)致晶體管功能失效。對(duì)此建議廠家對(duì)晶體管的生產(chǎn)工藝進(jìn)行檢查，對(duì)水汽和污染物如硫元素等加以控制，及時(shí)剔除有缺陷的晶體管。
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采用雙極型晶體管的直流250mV轉(zhuǎn)換器

該轉(zhuǎn)換器描述如下：它基于一個(gè)硅雙極型晶體管(BJT)，可在低于250mV電壓下工作，這對(duì)一個(gè)不是基于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管...
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康寧Lotus XT玻璃被用于天馬LTPS生產(chǎn)線

?　　今天，康寧公司(紐約證交所代碼：GLW)和天馬微電子集團(tuán)(天馬)共同宣布，天馬低溫多晶硅(LTPS)面板生產(chǎn)線將選用Corning Lotus? XT玻璃。國(guó)際信息顯示學(xué)會(huì)(SID)主辦的顯示周展會(huì)將于5月21日-23日在加拿大溫哥華市舉行，屆時(shí)天馬和康寧將分別在各自的展臺(tái)展出這些面板。天馬的展位為206號(hào)和221號(hào)，康寧的展臺(tái)為801號(hào)。　　上周，康寧舉行了第二代Lotus XT 玻璃推介會(huì)。這種玻璃具有極高的尺寸穩(wěn)定性，可實(shí)現(xiàn)高性能顯示器的高效生產(chǎn)。　　天馬是全球領(lǐng)
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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]