晶體管文章進(jìn)入晶體管技術(shù)社區(qū)

GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/micro;msup2;時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =
關(guān)鍵字： DHBT 技術(shù) 集成電路晶體管異質(zhì) 雙極 GaAsSb

光電晶體管受光電路及其原理介紹

電路的功能在光接收電路中，如果外來(lái)光引起誤動(dòng)作，可靠性就會(huì)下降。用脈沖式發(fā)光，可作成能識(shí)別平均外來(lái)光和脈沖波的電路。輸出不僅有導(dǎo)通、截止?fàn)顟B(tài)，還有與驅(qū)動(dòng)頻率相同的脈沖串輸出。電路工作原理流過(guò)光電晶體管
關(guān)鍵字：原理介紹及其電路晶體管光電

晶體管低頻放大器詳述

各種類(lèi)型低頻放大器，主要特點(diǎn)是，工作頻率范圍寬，放大信號(hào)的中心頻率從幾十赫至幾百千赫；這類(lèi)放大器通常處于低頻多級(jí)放大器的前幾級(jí)，故稱前置放大器，它的輸入信號(hào)幅度很小，約幾到幾十毫伏或甚至更小，所以屬于
關(guān)鍵字：晶體管低頻放大器

用數(shù)字萬(wàn)用表的hFE查扣檢查單結(jié)晶體管

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單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖

單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見(jiàn)圖1-31。圖1-31中電源電壓UBB的正級(jí)接第二基極B2，負(fù)級(jí)接第一 ...
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通過(guò)外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的

通過(guò)外形標(biāo)志和標(biāo)準(zhǔn)封裝代號(hào)判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說(shuō)明或工具書(shū)中，常常只給晶體管的封 ...
關(guān)鍵字：晶體管

用萬(wàn)用表、兆歐表判斷單結(jié)晶體管觸發(fā)能力

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安森美半導(dǎo)體電源管理方案

近年來(lái)，手機(jī)等便攜設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)預(yù)計(jì)，手機(jī)出貨量將從2011年的14億部增長(zhǎng)至2014年的18億部;其中又以智能手機(jī)市場(chǎng)耀眼，受大量低成本Android手機(jī)上市推動(dòng)，同期智能手機(jī)出貨量將從4億部增長(zhǎng)至6.8億部，而且智能手機(jī)的半導(dǎo)體元件含量遠(yuǎn)高于功能型或入門(mén)型手機(jī)。與此同時(shí)，領(lǐng)先制造商更加重視用戶使用體驗(yàn)，其舉措之一是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中選擇能夠更好配合智能手機(jī)等便攜設(shè)備應(yīng)用要求及技術(shù)趨勢(shì)的產(chǎn)品及方案。
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用3DD15型晶體管改作光敏管

用3DD25型晶體管改作光敏管電子愛(ài)好者在制作光電控制儀或裝置時(shí)，經(jīng)常要用到光電三極管，簡(jiǎn)稱光敏管。這里，向大 ...
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基于專(zhuān)用晶體管的非對(duì)稱Doherty技術(shù)

引言　　通用對(duì)稱Doherty放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用?！　★w思卡爾半導(dǎo)體針對(duì)2.11GHz~2.17GHz頻段的 ...
關(guān)鍵字：晶體管非對(duì)稱 Doherty

恩智浦推出業(yè)內(nèi)首款DFN封裝的中功率晶體管

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無(wú)引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨(dú)特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝，是恩智浦中功率晶體管家族中的首位小型晶體管成員。
關(guān)鍵字：恩智浦晶體管 BC69PA

飛思卡爾新型Airfast RF功率方案重新定義晶體管性能

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：晶體管 Airfast RF功率飛思卡爾

飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開(kāi)發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案
關(guān)鍵字：重新定義晶體管性能解決方案功率使用新型 Airfast

電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

中心議題：開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的損耗開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)晶體管的電子輻照實(shí)驗(yàn) 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
功率雙極晶體管的損耗是開(kāi)關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一，采用10M eV電子輻照
關(guān)鍵字：晶體管損耗影響雙極功率輻照開(kāi)關(guān)電源電子

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晶體管介紹

【簡(jiǎn)介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開(kāi)關(guān)，和一般機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號(hào)來(lái)控制，而且開(kāi)關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個(gè)P [ 查看詳細(xì) ]