晶體管文章進入晶體管技術(shù)社區(qū)

2013年我國電子器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀淺析

　　電子器件指在真空、氣體或固體中，利用和控制電子運動規(guī)律而制成的器件。如晶體管、電子管、集成電路等。由于電子器件本身能產(chǎn)生電子，對電壓、電流有控制、變換作用(如放大、開關(guān)、整流、檢波、振蕩和調(diào)制等)，所以又稱有源器件。　　2012年，我國電子器件制造行業(yè)累計完成固定資產(chǎn)投資額為2027.0億元;新增固定資產(chǎn)投資額為1457.4億元。2013年1-2月，我國電子器件制造行業(yè)累計完成固定資產(chǎn)投資額為219.6億元;新增固定資產(chǎn)投資額為109.1億元。近年來，我國電子器件行業(yè)市場規(guī)模逐年增大，到2012年
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科研人員研制出新型觸覺晶體管讓機器人也能擁有人類觸覺

　　雖然現(xiàn)在越來越的國家已經(jīng)研發(fā)出可執(zhí)行復(fù)雜任的機器人，但是來自美國和中國的科研人員并不愿意就此止步。近日，他們一起合作研發(fā)出了一種全新的3D電流陣，即機器人將具備人類手指尖那樣的靈敏觸感度。喬治亞理工學(xué)院表示，這種技術(shù)將被廣泛運用到人工/假肢皮膚、智能生物醫(yī)學(xué)治療以及智能機器人等領(lǐng)域中。　　 ? 　　據(jù)介紹，該種技術(shù)主要是通過“壓電效應(yīng)”而實現(xiàn)的?？蒲腥藛T將由氧化鋅制成的納米線穿到一種被稱為"taxels"的觸覺晶體管中。之后，他們將這些
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[組圖]用晶體管驅(qū)動的電子管放大器

電子管作為音頻功率輸出故具有極佳的音樂表現(xiàn)力，而晶體管則在增益故發(fā)揮自己的獨特作用，本文給出了一個晶體管 ...
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[組圖]45W晶體管電子管混合式功率放大器

EL34(6CA7)是飛利浦公司于1956年率先推出的音頻功率五極電子管，當年，它的出現(xiàn)給音頻放大器的聲音質(zhì)量帶來了一 ...
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生物計算機：打開細胞的遺傳晶體管

　　斯坦福大學(xué)的研究人員在本周宣布，他們已經(jīng)創(chuàng)造了基因受體，可以作為一種“生物計算機”潛在的革命性疾病如何處理。在雜志“科學(xué)”上周五發(fā)表的一篇論文中，小組描述了他們的系統(tǒng)的遺傳晶體管，可以被插入到活細胞和開啟和關(guān)閉，如果某些條件得到滿足的。　　研究人員希望，這些的晶體管可能最終建成微觀生活計算機。該計算機將能夠完成的任務(wù)，如判斷存在一定的毒素是在細胞內(nèi)，看到多少次癌細胞分裂，或如何準確地確定藥物相互作用與每個細胞。　　一旦晶體管確定的條件得到滿足，
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單片機控制閃光燈電路

該電路，可以把兩個燈循環(huán)點亮。本電路是由晶體管（NPN9014，直流放大倍數(shù)應(yīng)>200）、紅色發(fā)光二極管及R、C元件組成 ...
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英特爾以色列子公司去年出口額翻番

　　北京時間2月18日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾以色列子公司去年出口額增加一倍以上至46億美元，并尋求將英特爾下一代芯片生產(chǎn)引入以色列。　　英特爾以色列子公司2012年出口額為46億美元，相比2011年的22億美元增長109%，這主要得益于22納米工藝芯片在以色列南部水牛城(Kiryat Gat)工廠的開始生產(chǎn)，該工廠目前正維持全產(chǎn)能運營。　　作為全球第一大芯片制造商，英特爾將在未來2年至3年時間內(nèi)在愛爾蘭和美國工廠生產(chǎn)14納米工藝芯片。不過該公司也已經(jīng)考慮10納米芯片的生產(chǎn)選址。隨著制程工藝的
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計算機（1951-1960）

　　今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個時候計算機從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個全新的市場。　　1953年：晶體管計算機(計算機) 　　40年代的時候，計算機成為現(xiàn)實，但它仍然的仍然是真空管。早期的計算機，例如英國的Colossus計算機，美國賓夕法尼亞大學(xué)的ENIAC計算機，使用的都是數(shù)千個像燈泡一樣工作的玻璃圓柱體，這些真空管不僅體積巨大，而且運行速度慢，能耗高。它們還會產(chǎn)生巨大的熱量，生命周期也很短。但到1953年，英國曼徹斯特大學(xué)的
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制作50W晶體管功放電路

此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實，頻響平直，解析力高，且功率可以達到50W。具體電路如圖(只畫出一聲道)，全機用1/2W電阻，C2和C4用
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SoC已有眉目微細化至10nm無需3D晶體管

　　SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)。　　如果采用FDSOI技術(shù)，無需使晶體管立體化便可繼續(xù)推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導(dǎo)體制造技術(shù)和設(shè)計技術(shù)，因此無需很多成本即可繼續(xù)推進微細化(圖1)。對于希望今后仍長期享受SoC微細化恩惠的
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美研制出新型“4維”晶體管

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，美國普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為“4維”晶體管的新事物預(yù)告了引領(lǐng)半導(dǎo)體工業(yè)和未來計算機領(lǐng)域發(fā)展的潮流。該研究成果將于12月8日至12日在舊金山舉行的國際電子元器件會議上以兩篇論文的形式提交。　　平面結(jié)構(gòu)的硅芯片晶體管一直沿用了半個多世紀，直至去年英特爾公司研發(fā)出垂直3維結(jié)構(gòu)的晶體管，才宣告邁入了3
關(guān)鍵字：筆記本晶體管 14納米

三星、臺積電將于2013年實現(xiàn)20納米工藝量產(chǎn)

　　據(jù)DigiTimes報道，三星將于2013年采用20納米技術(shù)，同時開始建造生產(chǎn)14納米晶體管的工廠。臺積電也會在2013年下半年開始采用20納米技術(shù)生產(chǎn)晶體管。當前主流的智能手機芯片主要由高通和三星制造，高通的代工廠中，最出名的就是臺積電　　此前，臺積電采用的是28納米技術(shù),三星采用的是32納米技術(shù)。眾所周知，晶體管是越細越好，耗能也越少，芯片體積也將更小。　　可以預(yù)見，我們或?qū)⒃?013年年底或2014年年初見到采用20納米技術(shù)制造的高通芯片。另外，臺積電也是英偉達(NVIDIA)的代工廠，
關(guān)鍵字：三星晶體管 20納米

科學(xué)家首次研制成功單電子半加器

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學(xué)家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報》上。　　研究人員稱，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
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飛兆發(fā)布碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案

為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求，工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。然而，在可再生能源、工業(yè)電機驅(qū)動器、高密度電源、汽車以及井下作業(yè)等領(lǐng)域，要想增強這些關(guān)鍵設(shè)計性能，設(shè)計的復(fù)雜程度就會提高，同時還會導(dǎo)致總體系統(tǒng)成本提高。
關(guān)鍵字：飛兆 SiC 晶體管

晶體管驅(qū)動負載技巧及選擇的注意事項

在電子制作時，經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機等元件，發(fā)現(xiàn)晶體管負載的不同接法，效果差別很大，有的接法 ...
關(guān)鍵字：晶體管驅(qū)動負載注意事項

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]