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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶體管

IBM展示了首個針對液氮冷卻進行優(yōu)化的先進CMOS晶體管

  • IBM在2023年12月早些時候的IEEE國際電子器件會議(IEDM)上展示了首個針對液氮冷卻進行優(yōu)化的先進CMOS晶體管。納米片晶體管將通道分割成一堆薄硅片,完全被柵包圍。IBM的高級研究員鮑汝強表示:“納米片器件結(jié)構(gòu)使我們能夠在指甲大小的空間內(nèi)容納50億個晶體管?!边@些晶體管有望取代當(dāng)前的FinFET技術(shù),并被用于IBM的首個2納米原型處理器。納米片技術(shù)是邏輯器件逐步縮小的下一步,將其與液氮冷卻技術(shù)搭配可能會帶來更好的性能。研究人員發(fā)現(xiàn),在77K的溫度下運行,與在大約300K的室溫條件下運行相比,設(shè)備
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GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

  • 無論是在太空還是在地面,這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
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如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應(yīng)用?

  • 如今,越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今,越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管,無論是由硅還是氮化鎵制成,都不是理想的器件,有兩個主要因素導(dǎo)致其效率下降(在簡化模型中):一個是串聯(lián)電阻,稱為 RDS(ON),另一個是并聯(lián)電容器稱為 C
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3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

晶體管的第一個76年:變小了,卻變大了?

  • 1947年,當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時,他們未曾想到,晶體管如今會成為電子產(chǎn)品的最重要組成部分。晶體管被譽為20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一,它改進了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷,為電子設(shè)備的發(fā)展奠定了基礎(chǔ),也為人們帶來了便捷高效的數(shù)字化生活。1947年,當(dāng)John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一個能正常工作的晶體管時,他們未曾想到,
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雙極結(jié)型晶體管的電流增益

  • 如果您施加一個足夠高的電壓 V IN以正向偏置基極-發(fā)射極結(jié),電流將從輸入端流過 R B,通過 BE 結(jié),到達(dá)地。我們稱之為 I B。電流還將從 5 V 電源流經(jīng) R C,流經(jīng)晶體管的集電極到發(fā)射極部分,流到地。稱之為I C。假設(shè) I C足夠小以在集電極端留下相對較高的電壓——足夠高的電壓,即保持基極-集電極結(jié)反向偏置。假設(shè)我們正在使用一個簡單的電路,該電路由一個 npn雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和幾個電阻器組成,連接方式如下:如果您施
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意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管

  • 2023 年 5 月 24 日,中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on),優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術(shù),引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身,實現(xiàn)高效的開關(guān)性能。因此,STL120N10F8的最大導(dǎo)通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ(在 VGS = 10V 時),高效運行頻率達(dá)到6
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

  • MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少,進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小,以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少,進而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下,漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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干貨總結(jié)|晶體管的應(yīng)用知識

  • 晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實是相當(dāng)容易的。
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妙趣橫生的電子小知識 第1篇:初識晶體管

  • 本系列連載將介紹電力電子相關(guān)的基礎(chǔ)知識和各種小知識。本系列涉及到的內(nèi)容很廣泛,涵蓋從基礎(chǔ)知識到應(yīng)用部分的豐富內(nèi)容,希望能夠幫到那些“至今不好意思問別人,但又拿不準(zhǔn)自己是否已經(jīng)理解了”的人。第一個應(yīng)該了解的要數(shù)“晶體管”了?!熬w管”在電子制作領(lǐng)域是非常常用的易用器件,尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和電機時,晶體管是不可或缺的重要器件。但是,對于電子制作初學(xué)者來說,掌握晶體管的使用方法有點難。剛開始電子制作時使用的元器件,比如電池、LED、電阻器和開關(guān)等,幾乎都是兩個引腳,而晶體管卻有三個引
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基于晶體管VBE 的振蕩器測量溫度

  • 模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應(yīng)用筆記是(并將繼續(xù)是)信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計難題的喜悅的無底泉源,所有這些都包含在令人愉快的寫作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計思想源自他發(fā)表在 AN45測量和控制電路集(夜班尿布和設(shè)計)第 7 頁的電路之一。模擬 EE 世界失去了一顆明星。Jim 的數(shù)百篇文章、書籍和應(yīng)用筆記是(并將繼續(xù)是)信息、靈感和看到大師輕松解決棘手設(shè)計難題的喜悅的無底泉源,所有這些都包含在令人愉快的寫作風(fēng)格中。這里介紹的設(shè)計思想源自他發(fā)表在 AN45測量和控制電路
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)出晶圓級硅基二維互補疊層晶體管,集成度翻倍并實現(xiàn)卓越性能

  • IT之家 12 月 11 日消息,眾所周知,傳統(tǒng)集成電路技術(shù)使用平面展開的電子型和空穴型晶體管形成互補結(jié)構(gòu),從而獲得高性能計算能力,但這種晶體管密度的提高主要是靠縮小單元晶體管的尺寸來實現(xiàn)。例如,大家最常見的案例就是半導(dǎo)體行業(yè)的高精度尺寸微縮,從 14>10nm>7nm>5nm(不代表實際柵距)這樣一直按照 0.7 的倍率不斷迭代。據(jù)復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院官方公告,該學(xué)院教授周鵬、研究員包文中及信息科學(xué)與工程學(xué)院研究員萬景團隊繞過 EUV 工藝,研發(fā)出性能優(yōu)異的異質(zhì) CFET 技術(shù)
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放大器設(shè)計:晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別

  • 晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因為你可以用它來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對于放大器的設(shè)計很有用。晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有
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你不知道的半導(dǎo)體歷史故事

  •   你知道嗎?世界上第一個半導(dǎo)體晶體管并不是用硅材料做的,而是用一種叫作“鍺”的稀有元素做的。在上世紀(jì)三四十年代初,使用半導(dǎo)體制作固態(tài)放大器的想法被陸續(xù)提出,第一個實驗結(jié)果是由波歐與赫希完成的,使用的是溴化鉀晶體與鎢絲做成的閘極,雖然它的操作頻率只有一赫茲,并無實際用途,卻證明了類似真空管的固態(tài)三端子組件的實用性?! 《?zhàn)后,貝爾實驗室提出想要做出固態(tài)放大器的目標(biāo),經(jīng)過幾位科學(xué)家的實驗和改進,最終由巴丁和布萊登用涂蠟鎢絲和硅制成第一個點接觸電晶體,繼而制作出第一個語音放大器。在這之后,蕭克萊設(shè)想是否能使用
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區(qū)分

  •   晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開啟,不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開啟,也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要,小編根據(jù)所學(xué)及理解做如下總結(jié),希望能給大家一些幫助。一、晶閘管  1、別名:可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件,常用做交流開關(guān),觸發(fā)電流>50毫安  2、特點:體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率  3、主要應(yīng)用領(lǐng)域:整流、逆變、變頻、斬波(直流-
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晶體管介紹

【簡介】   晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。   半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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