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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 意法半導(dǎo)體（st）

意法半導(dǎo)體（st） 文章 進入意法半導(dǎo)體（st）技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

  •  5月13日，意法半導(dǎo)體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎(chǔ)設(shè)施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術(shù)橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)主導(dǎo)了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應(yīng)用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導(dǎo)體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。目前，意法半導(dǎo)體和
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意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1

  • 合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能
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意法半導(dǎo)體為什么看好硅基氮化鎵技術(shù)?

  • 日前，意法半導(dǎo)體和CEATech旗下之研究所Leti宣布合作研發(fā)硅基氮化鎵(GaN)功率切換元件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體滿足高效能、高功率的應(yīng)用需求，包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器。　　本合作計劃之重點是在200mm晶圓上開發(fā)和驗證制造先進硅基氮化鎵架構(gòu)的功率二極體和電晶體。研究公司HIS預(yù)測，該市場將在2024年前將保持超過20%的年復(fù)合成長率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT奈米電子研究所的框架計劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)制程技術(shù)，預(yù)計在2019年完成可供
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意法半導(dǎo)體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術(shù)與性能階段突破

  • 產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標(biāo)，現(xiàn)進入認證測試階段實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導(dǎo)體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
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基于ST主動鉗位反馳式控制器：ST-ONE與MasterGaN2的65W高效能數(shù)位智能充電器方案

  • ST-ONE 簡介ST-ONE 是一款具有二次側(cè)數(shù)位控制的離線數(shù)位控制器，專門用于采用包括 USB-PD 在內(nèi)的智慧充電解決方案的主動鉗位反馳式轉(zhuǎn)換器，獨特的完整 SiP(System in Package)、高壓能力、跨電流隔離的數(shù)字電源控制，可實現(xiàn)極高的性能和功率密度，允許接口協(xié)議、電源控制算法和故障系統(tǒng)管理的演進和定制。該器件在初級側(cè)包括一個主動鉗位反激式控制器及其啟動，在次級側(cè)包括一個微控制器以及控制轉(zhuǎn)換和通信所需的所有周邊設(shè)備。兩側(cè)通過嵌入式電氣隔離通信通道連接，出廠時已載入固件，該固件可處理
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基于ST意法半導(dǎo)體SPC560P34的EPS轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)方案

  • 一款基于ST PowerPC SPC560P34L1以及predriver L9907, 低壓MOSFET STP120N4F6等的EPS電機驅(qū)動板設(shè)計方案。
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基于ST STNRG011+MASTERGAN1的120W PD電源方案

  • 如今人們的生產(chǎn)生活一刻也離不開電子產(chǎn)品，電子產(chǎn)品儼然已經(jīng)成了一種剛需，比如手機、電腦、智能家電等。特別是手機，幾乎是每個人的標(biāo)配，衣食住行樣樣都離不開手機的輔助。而這種高頻次的使用背后定然也離不開充電器的加持，因為手機是電子產(chǎn)品，而電子產(chǎn)品需要電能才能使用。說起手機充電器，人們最關(guān)心的是充電速度，以前的5V1A/2A普通充電器充電很慢，充滿一部手機往往需要一個多小時甚至更久，而現(xiàn)在的快充充電器能把充電時間縮短至半個小時以內(nèi)，這大大節(jié)省了人們寶貴的時間。充電五分鐘，通話兩小時，這就是PD電源的真實寫照。我們
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下一個自動化時代的新網(wǎng)宇實體系統(tǒng)影響

  • 工業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力為何？決策者應(yīng)該注意些什么？當(dāng)許多人開始揣測時，意法半導(dǎo)體（ST）以創(chuàng)新的網(wǎng)宇實體系統(tǒng)如何開啟下一個自動化時代為依據(jù)推導(dǎo)結(jié)論。在2022年國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2022）上，意法半導(dǎo)體模擬、MEMS和傳感器產(chǎn)品部總裁Marco Cassis發(fā)表ST在傳感器、人工智能、通訊等領(lǐng)域取得的技術(shù)突破。同時，ST正思考以「下一個自動化時代」為背景探討的新趨勢。何謂下一個自動化時代？第一個自動化時代自動化時代的概念非常廣泛，并涉及許多基礎(chǔ)性的問題。作為信息時代的產(chǎn)物，自動化時代指的是機器開始執(zhí)
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意法半導(dǎo)體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術(shù)

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術(shù)。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術(shù)合作開發(fā)成果。采用意法半導(dǎo)體先進的 SiC 功率半導(dǎo)體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標(biāo)桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅(qū)動的電源技術(shù)，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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基于ST25DV04K的NFC功能血壓計改造方案，可與手機快速配對

  • 本文以智能設(shè)備中的血壓計為例子，來一起探究加入NFC功能的血壓計對比傳統(tǒng)的藍牙連接血壓計可以在使用過程中實現(xiàn)怎樣的便利，以及在傳統(tǒng)的血壓計如何快速加入NFC功能，硬件設(shè)計該如何做。
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
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意法半導(dǎo)體和亞馬遜云科技合作開發(fā)安全的物聯(lián)網(wǎng)AWS云連接方案

  • 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)?與ST授權(quán)合作伙伴亞馬遜云科技(Amazon Web Services，簡稱AWS)?合作開發(fā)出一款獲得AWS FreeRTOS?認證的基于?TF-M?的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備上云參考設(shè)計，讓物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備輕松、安全地連接到?AWS?云端。AWS?物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備總經(jīng)理?Dave Kranzler表示：“
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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效

  • 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機的開關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
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意法半導(dǎo)體單片數(shù)字電源控制器簡化LED照明應(yīng)用設(shè)計,提高設(shè)計靈活性

  • 意法半導(dǎo)體的STNRG012是一款高集成度且節(jié)省空間的數(shù)字電源控制器，具有先進的失真抑制功能，是開發(fā)LED 照明應(yīng)用的理想解決方案。該器件集成一個多模功率因數(shù)校正(PFC)控制器、諧振半橋控制器、800V啟動電路，以及管理這三個模塊的數(shù)字引擎。PFC 控制器可以在過渡模式、非連續(xù)電流模式(DCM) 和谷底跳躍之間動態(tài)切換，以實現(xiàn)最佳能效。半橋控制器執(zhí)行意法半導(dǎo)體的時移控制 (TSC)專利技術(shù)，以實現(xiàn)精確的軟開關(guān)操作。STNRG012的最高輸入電壓為305VAC，還支持直流工作電源，目標(biāo)應(yīng)用是最高300W的
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意法半導(dǎo)體推出新全局快門圖像傳感器，讓駕駛員監(jiān)控安全系統(tǒng)經(jīng)濟又可靠

  • 2022年5月16日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 發(fā)布了新一代駕駛員監(jiān)控系統(tǒng)(DMS)全局快門圖像傳感器，助力車企提高汽車安全性。
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意法半導(dǎo)體（st）介紹

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