意法半導(dǎo)體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉(zhuǎn)換技術(shù)1

• 合作研制先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu),并將其量產(chǎn)

  本文引用地址：http://2s4d.com/article/202206/435157.htm

• 利用IRT納電子技術(shù)研究所的研究結(jié)果，工藝技術(shù)將會(huì)從Leti的200mm研發(fā)線轉(zhuǎn)到意法半導(dǎo)體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運(yùn)營(yíng)

中國(guó) / 24 Sep 2018

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關(guān)器件制造技術(shù)。該硅基氮化鎵功率技術(shù)將讓意法半導(dǎo)體能夠滿足高能效、高功率的應(yīng)用需求，包括混動(dòng)和電動(dòng)汽車車載充電器、無線充電和服務(wù)器。

本合作項(xiàng)目的重點(diǎn)是開發(fā)和檢測(cè)在200mm晶片上制造的先進(jìn)的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構(gòu)。研究公司IHS認(rèn)為，該市場(chǎng)將在2019年至2024[1]年有超過20％的復(fù)合年增長(zhǎng)率。意法半導(dǎo)體和Leti利用IRT納電子研究所的框架計(jì)劃，在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)工藝技術(shù)，預(yù)計(jì)在2019年完成工程樣品的驗(yàn)證。同時(shí)，意法半導(dǎo)體還將建立一條高品質(zhì)生產(chǎn)線，包括GaN / 硅異質(zhì)外延工序，計(jì)劃2020年前在法國(guó)圖爾前工序晶圓廠進(jìn)行首次生產(chǎn)。

此外，鑒于硅基氮化鎵技術(shù)對(duì)功率產(chǎn)品的吸引力，Leti和意法半導(dǎo)體正在評(píng)測(cè)高密度電源模塊所需的先進(jìn)封裝技術(shù)。

意法半導(dǎo)體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示：“在認(rèn)識(shí)到寬帶隙半導(dǎo)體令人難以置信的價(jià)值后，意法半導(dǎo)體與CEA-Leti開始合作研發(fā)硅基氮化鎵功率器件制造和封裝技術(shù)。ST擁有經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的生產(chǎn)可靠的高質(zhì)量產(chǎn)品的制造能力，此次合作之后，我們將進(jìn)一步擁有業(yè)界最完整的GaN和SiC產(chǎn)品和功能組合?！?/p>

Leti首席執(zhí)行官Emmanuel Sabonnadiere表示：“Leti的團(tuán)隊(duì)利用Leti的200mm通用平臺(tái)全力支持意法半導(dǎo)體的硅基氮化鎵功率產(chǎn)品的戰(zhàn)略規(guī)劃，并準(zhǔn)備將該技術(shù)遷移到意法半導(dǎo)體圖爾工廠硅基氮化鎵專用生產(chǎn)線。這個(gè)合作開發(fā)項(xiàng)目需要雙方團(tuán)隊(duì)的共同努力，利用IRT納電子研究所的框架計(jì)劃來擴(kuò)大所需的專業(yè)知識(shí)，在設(shè)備和系統(tǒng)層面從頭開始創(chuàng)新?！?/p>

編者注：
相較于采用硅等傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的器件，更高的工作電壓、頻率和溫度是寬帶隙半導(dǎo)體材料GaN制成的器件的固有優(yōu)勢(shì)。除功率氮化鎵技術(shù)外，意法半導(dǎo)體還在開發(fā)另外兩種寬帶隙技術(shù)：碳化硅（SiC）和射頻氮化鎵（GaN）。

在GaN領(lǐng)域除了與CEA-Leti合作外，意法半導(dǎo)體不久前還宣布了與MACOM合作開發(fā)射頻硅基氮化鎵技術(shù)，用于MACOM的各種射頻產(chǎn)品和和意法半導(dǎo)體為非電信市場(chǎng)研制的產(chǎn)品。兩個(gè)研發(fā)項(xiàng)目都使用GaN，很容易引起混淆，但是，這兩種研發(fā)項(xiàng)目使用結(jié)構(gòu)不同的方法，應(yīng)用優(yōu)勢(shì)也不同。例如，功率硅基氮化鎵技術(shù)適合在200mm晶片上制造，而射頻硅基氮化鎵目前至少更適合在150mm晶片上制造。無論哪種方式，因?yàn)殚_關(guān)損耗低，GaN技術(shù)都適用于制造更高頻率的產(chǎn)品。

另一方面，碳化硅器件的工作電壓更高，阻斷電壓超過1700V，雪崩電壓額定值超過1800V，通態(tài)電阻低，使其非常適用于能效和熱性能出色的產(chǎn)品。憑借這些特性，SiC非常適合電動(dòng)汽車、太陽(yáng)能逆變器和焊接設(shè)備等應(yīng)用。

關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics; ST）是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，提供與日常生活息息相關(guān)的智能的、高能效的產(chǎn)品及解決方案。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品無處不在，致力于與客戶共同努力實(shí)現(xiàn)智能駕駛、智能工廠、智能城市和智能家居，以及下一代移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。享受科技、享受生活，意法半導(dǎo)體主張科技引領(lǐng)智能生活（life.augmented）的理念。意法半導(dǎo)體2016年凈收入69.7億美元，在全球擁有10萬余客戶。詳情請(qǐng)瀏覽意法半導(dǎo)體公司網(wǎng)站：www.st.com

關(guān)于Leti (法國(guó))

在讓工業(yè)方案變得更智能、節(jié)能和安全的小型化技術(shù)領(lǐng)域，CEA Tech的技術(shù)研究院Leti位居世界領(lǐng)先行列。成立于1967年，Leti是微米和納米技術(shù)的先驅(qū)，為國(guó)際企業(yè)、中小企業(yè)和初創(chuàng)公司提供定制化、差異化的應(yīng)用方案。Leti探索解決醫(yī)療健康、能源和數(shù)字化所面臨的重大挑戰(zhàn)。從傳感器到數(shù)據(jù)處理和計(jì)算方案，Leti的多學(xué)科團(tuán)隊(duì)為客戶提供深厚扎實(shí)的專業(yè)知識(shí)和世界一流的試制預(yù)產(chǎn)設(shè)施。該研究所擁有1,900多名員工，2,700項(xiàng)專利，91,500平方英尺的無塵室，執(zhí)行明確的知識(shí)產(chǎn)權(quán)政策，總部位于法國(guó)格勒諾布爾，并在硅谷和東京設(shè)有辦事處。 Leti已經(jīng)創(chuàng)辦了60家創(chuàng)業(yè)公司，并且是Carnot Institutes網(wǎng)絡(luò)的成員。

關(guān)注我們：www.leti.fr/en and @CEA_Leti.

CEA Tech是法國(guó)新能源和原子能委員會(huì)（CEA）的技術(shù)研究委員會(huì)，是創(chuàng)新型研發(fā)、國(guó)防安全、核能、工業(yè)和基礎(chǔ)科學(xué)技術(shù)研究領(lǐng)域的一個(gè)重要參與者，被湯森路透評(píng)為為世界第二大創(chuàng)新研究組織。CEA Tech利用其獨(dú)有的創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)型文化和無與倫比的專業(yè)知識(shí)，開發(fā)和傳播新的工業(yè)技術(shù)，幫助客戶研制高端產(chǎn)品，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

關(guān)于納電子技術(shù)研究所（IRT）
Leti旗下的納電子技術(shù)研究所（IRT）的研發(fā)活動(dòng)涉及信息和通信技術(shù)（ICT），特別是微電子和納米電子技術(shù)領(lǐng)域?？偛课挥诜▏?guó)格勒諾布爾，IRT納電子研究所利用該地區(qū)經(jīng)過檢驗(yàn)的創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)，開發(fā)能夠推動(dòng)未來納米電子發(fā)展的技術(shù)，推動(dòng)新產(chǎn)品開發(fā)，為現(xiàn)有技術(shù)開發(fā)新的應(yīng)用（例如，物聯(lián)網(wǎng)）。IRT納電子的研發(fā)活動(dòng)能夠讓世界深入了解3D集成、硅光子學(xué)和功率器件等新興技術(shù)對(duì)集成電路的影響。詳情訪問www.irtnanoelec.fr。

IRT納電子研究所是法國(guó)政府 “Program Investissements d'Avenir”計(jì)劃企業(yè)，獲得政府資金支持，備案號(hào)為ANR-10-AIRT-05。