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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 硅基氮化鎵

硅基氮化鎵晶圓搭配半導體技術，ALLOS將掀起Micro LED產(chǎn)業(yè)革命｜LEDinside訪談

  • 能達到高分辨率、高對比度、高亮度顯示效果的Micro  LED顯示器，早在2012年就已經(jīng)出現(xiàn)初代樣品，但受限于超高難度的制造過程，至今仍被業(yè)界視為「夢幻級產(chǎn)品」。近年來，在大廠領軍推動下，雖然已經(jīng)有愈來愈多的樣品持續(xù)現(xiàn)蹤，不過要真正進入到市場消費端，根據(jù)業(yè)內人士推估，還要至少3年以上的時間。為突破Micro LED顯示技術發(fā)展，勢必得解決巨量轉移制程這個大難關。目前已經(jīng)有許多技術單位開發(fā)出不同取向的轉移方式，包括轉印、流體組裝、噴墨打印等等，但這些方法在后續(xù)的Micro LED芯片處理過程中，
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  Micro LED  

意法半導體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成

  • 意法半導體（STMicroelectronics）和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供貨商MACOM技術解決方案控股有限公司（那斯達克股票代碼：MTSI」）宣布，已成功制造出射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型芯片。有鑒于此佳績，意法半導體與MACOM將繼續(xù)合作，并加強雙方的合作關系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ缙谑来纳漕l功率放大器（Power Amplifier，PA）主要采用橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally-Diffused Metal
  • 關鍵字： 意法半導體  MACOM  射頻  硅基氮化鎵  

意法半導體與MACOM成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵原型

  •  5月13日，意法半導體和MACOM宣布宣布成功生產(chǎn)射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si）原型。RF GaN-on-Si為5G和6G基礎設施提供了巨大潛力。長期存在的射頻功率技術橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)主導了早期射頻功率放大器(PA)。對于這些射頻功率放大器，GaN可以提供比LDMOS更高的射頻特性和顯著更高的輸出功率。此外，它可以在硅或碳化硅(SiC)芯片上制造。由于高功率應用對SiC晶圓的競爭以及其非主流半導體加工，RF GaN-on-SiC可能會更昂貴。目前，意法半導體和
  • 關鍵字： 意法半導體  硅基氮化鎵  

意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術1

  • 合作研制先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構,并將其量產(chǎn)利用IRT納電子技術研究所的研究結果，工藝技術將會從Leti的200mm研發(fā)線轉到意法半導體的200mm晶圓試產(chǎn)線，2020年前投入運營中國 / 24 Sep 2018橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓意法半導體能
  • 關鍵字： 意法半導體  硅基氮化鎵  

意法半導體和MACOM成功開發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片，取得技術與性能階段突破

  • 產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現(xiàn)進入認證測試階段實現(xiàn)彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進展服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續(xù)攜手，深化合作。射頻硅基氮化鎵可為5G和
  • 關鍵字： 意法半導體  硅基氮化鎵  

技術：硅基氮化鎵，5G時代的倚天劍

  • 硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規(guī)模應用的發(fā)展歷程無疑是一次最具顛覆性的技術革新過程，為射頻半導體行業(yè)開創(chuàng)了一個新時代。
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  5G  

中國首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)

  • 　　英諾賽科(珠海)科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產(chǎn)儀式。據(jù)悉，這是中國首條實現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線。由于高溫環(huán)境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時受熱錯配應力的驅動下，容易發(fā)生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙，英諾賽科采取獨有技術解決了這一挑戰(zhàn)，將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進到8英寸。 　　英諾賽科董事長駱薇薇表示：“經(jīng)過2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產(chǎn)線，并成功量產(chǎn)，添補了我國在這一領域的空白。這既是一個里程碑也是一個新的起點。公司將繼續(xù)在技術前沿
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  

MACOM：用LDMOS的成本架構提供硅基氮化鎵的性能

  • 　　近日，MACOM通過收購AMCC(Applied?Micro?Circuits?Corporation)，進一步拓展了其在混合電路(ADC/DAC)及數(shù)字電路(DSP)方面的能力，使得MACOM成為一家可以從數(shù)字芯片技術到光的封裝整套解決方案的供應商。此次收購除了拓展了MACOM的產(chǎn)品和技術外，也進一步拓展了其服務的市場和客戶群，并使MACOM進入云和數(shù)據(jù)中心前端的應用數(shù)據(jù)支持。　　MACOM是一家高性能模擬射頻、微博、毫米波和光學半導體產(chǎn)品領域的供應商做射頻和微波領域。
  • 關鍵字： MACOM  硅基氮化鎵  

HIS：硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額

  • 　　據(jù)外媒EETasia報道，統(tǒng)計機構HIS預測稱2020年硅基氮化鎵LED市場占有率將達到40%，目前該種LED市場占有率僅為1% 　　硅基氮化鎵LED 2020年將占40%市場份額 　　據(jù)HIS的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)晶片在LED市場2013-2020年間復合年滲透增長率將會達到69%，屆時40%的氮化鎵LED將會以此工藝制造。今年95%的氮化鎵LED由藍寶石晶片制造，僅1%采用硅晶。硅基氮化鎵在2013-2020年間的增長將會攫取藍寶石及碳化硅晶片的市場份額。
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  LED   

硅基氮化鎵在大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化

  • 日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與...
  • 關鍵字： 硅基氮化鎵  LED  
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硅基氮化鎵介紹

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