存儲(chǔ) 文章進(jìn)入存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)

價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來擴(kuò)產(chǎn)

市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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江波龍企業(yè)級(jí)SSD再度通過OpenCloudOS兼容性認(rèn)證，產(chǎn)品力獲認(rèn)可

近日，江波龍旗下企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品FORESEE UNCIA 3836系列企業(yè)級(jí)SATA SSD產(chǎn)品完成與OpenCloudOS/TencentOS相互兼容認(rèn)證。測(cè)試認(rèn)證期間整體運(yùn)行穩(wěn)定，在功能、性能及兼容性方面表現(xiàn)良好。自研高能固件鍛造硬核產(chǎn)品力FORESEE UNCIA 3836系列SATA SSD由江波龍自主研發(fā)，產(chǎn)品經(jīng)過專業(yè)可靠性設(shè)備驗(yàn)證，打造高可靠、高穩(wěn)定的企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)方案。該款產(chǎn)品采用128層3D eTLC NAND Flash，支持SATA 6.0Gbps接口，容量覆蓋480GB至3.84TB，耐
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首顆自研2D MLC NAND Flash 江波龍構(gòu)建完整的存儲(chǔ)芯片垂直整合能力

江波龍研發(fā)布局突破藩籬進(jìn)入到集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，產(chǎn)品及服務(wù)獲得客戶高度認(rèn)可。繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲(chǔ)產(chǎn)品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競(jìng)爭(zhēng)力。越過高門檻NA
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FORESEE全新工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，高可靠性助力工業(yè)自動(dòng)化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

在智能制造與工業(yè)自動(dòng)化日益精密的今天，數(shù)據(jù)處理的實(shí)時(shí)性、穩(wěn)定性和耐久性成為衡量系統(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)，內(nèi)存條作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的核心部件，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效果，尤其是在工業(yè)控制、電力應(yīng)用、電信設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域，對(duì)內(nèi)存條的穩(wěn)定性和耐用性要求更為嚴(yán)苛。近日，江波龍推出全新的FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM，為嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境下的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供強(qiáng)大而可靠的“穩(wěn)定內(nèi)核”。FORESEE工規(guī)級(jí)DDR4 SODIMM覆蓋4GB、8GB、16GB、32GB多種容量選擇，擁有1R×8、2R×8、1R×16
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消息稱三星 Galaxy Watch 7 存儲(chǔ)空間增加到 32GB，共有三個(gè)版本

3 月 25 日消息，據(jù)外媒 SamMobile 報(bào)道，Galaxy Unpacked 活動(dòng)將于2024 年 7 月舉行，比以往要提前幾周?，F(xiàn)在，關(guān)于 Galaxy Watch 7 的更多消息被曝光?！鳪alaxy Watch 6根據(jù)爆料，三星 Galaxy Watch 7 系列有望推出三個(gè)版本，比以往多一個(gè)，但仍然不知道被命名為什么。三星還升級(jí)新品的存儲(chǔ)空間，將從Galaxy Watch 6的 16GB 增加到 Galaxy Watch 7 的 32GB，用來存儲(chǔ)戶外鍛煉的離線音樂、應(yīng)用程序以及
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美光表示24年和25年大部分時(shí)間的高帶寬內(nèi)存已售罄

美光目前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)上處于劣勢(shì)，但看起來情況正在迅速變化，因?yàn)樵摴颈硎酒?nbsp;HBM3E 內(nèi)存供應(yīng)已售罄，并分配到 2025 年的大部分時(shí)間。目前，美光表示其HBM3E將出現(xiàn)在英偉達(dá)的H200 GPU中，用于人工智能和高性能計(jì)算，因此美光似乎準(zhǔn)備搶占相當(dāng)大的HBM市場(chǎng)份額。圖片來源：美光“我們的 HBM 在 2024 日歷上已經(jīng)售罄，我們 2025 年的絕大部分供應(yīng)已經(jīng)分配完畢，”美光首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 在本周為公司財(cái)報(bào)電話會(huì)議準(zhǔn)備的講話中表示?！拔覀兝^續(xù)預(yù)計(jì) HBM
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CFMS2024 | 江波龍：突破存儲(chǔ)模組經(jīng)營(yíng)魔咒

3月20日，2024中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“CFMS2024”）在深圳成功舉行，本屆CFMS2024以“存儲(chǔ)周期激發(fā)潛能”為主題，匯聚了全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)，共同探討新的市場(chǎng)形勢(shì)下的機(jī)遇。在CFMS2024峰會(huì)上，江波龍董事長(zhǎng)、總經(jīng)理蔡華波發(fā)表了題為《突破存儲(chǔ)模組經(jīng)營(yíng)魔咒》的演講，分享公司從“存儲(chǔ)模組廠”向“半導(dǎo)體存儲(chǔ)品牌企業(yè)”全面轉(zhuǎn)型升級(jí)的戰(zhàn)略布局，以及如何實(shí)現(xiàn)從銷售模式到用芯服務(wù)的模式跨越。（江波龍董事長(zhǎng)、總經(jīng)理蔡華波）蔡華波深入剖析了存儲(chǔ)模組廠當(dāng)前面臨的經(jīng)營(yíng)痛點(diǎn)。隨著市場(chǎng)競(jìng)
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SK海力士超高性能AI存儲(chǔ)器‘HBM3E’，全球首次投入量產(chǎn)并開始向客戶供貨

· 繼HBM3，其擴(kuò)展版HBM3E也率先進(jìn)入量產(chǎn)階段· 研發(fā)完成后僅隔7個(gè)月開始向客戶供貨，期待能實(shí)現(xiàn)最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲(chǔ)技術(shù)全球領(lǐng)先地位，并鞏固業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲(chǔ)器新產(chǎn)品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個(gè)月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實(shí)現(xiàn)了全球首次向客戶供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
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集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場(chǎng)起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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CFMS2024：江波龍解碼如何打破存儲(chǔ)模組廠的經(jīng)營(yíng)魔咒

備受矚目的2024中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)（簡(jiǎn)稱“CFMS2024”）將于3月20日在深圳盛大開幕。本屆峰會(huì)以“存儲(chǔ)周期激發(fā)潛能”為主題，旨在探討存儲(chǔ)行業(yè)在新市場(chǎng)形勢(shì)下的機(jī)遇與挑戰(zhàn)，匯聚全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈及終端應(yīng)用企業(yè)的智慧與力量，共謀行業(yè)發(fā)展。作為本次大會(huì)的重要參展企業(yè)之一，江波龍董事長(zhǎng)、總經(jīng)理蔡華波將發(fā)表題為《突破存儲(chǔ)模組經(jīng)營(yíng)魔咒》的演講，深入探討存儲(chǔ)模組領(lǐng)域的經(jīng)營(yíng)挑戰(zhàn)與突破之道，分享江波龍的創(chuàng)新與發(fā)展動(dòng)向。值得一提的是，江波龍?jiān)诮衲?月份公告中披露，2023年預(yù)估營(yíng)業(yè)收入同比增長(zhǎng)約20%~26%，
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存儲(chǔ)大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝

SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國(guó)投資超過10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
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HBM：屬于大廠的游戲，而非全部存儲(chǔ)廠商的狂歡？

近期，存儲(chǔ)廠商南亞科總經(jīng)理李培瑛對(duì)外表示，HBM目前產(chǎn)品溢價(jià)較高，確實(shí)會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器廠商營(yíng)收有所貢獻(xiàn)，但其占全球DRAM位元數(shù)僅約2%。因此，以當(dāng)前南亞科在DRAM市場(chǎng)的市占率而言，現(xiàn)階段不適合公司投入大量資源爭(zhēng)奪HBM市場(chǎng)。存儲(chǔ)市場(chǎng)正掀起AI狂歡熱潮，HBM技術(shù)也從幕后走向臺(tái)前，并成為推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展的強(qiáng)勁動(dòng)能。不過，HBM技術(shù)含量高、在DRAM占比小，因此決定了該技術(shù)是屬于三星、SK海力士、美光等大廠的“游戲”，而非全部存儲(chǔ)廠商的“狂歡”。如今，存儲(chǔ)大廠的HBM戰(zhàn)局已然打響，并瞄準(zhǔn)了最新的HBM3E技術(shù)
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2023Q4 NAND 閃存行業(yè)產(chǎn)值環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%：三星增長(zhǎng) 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布市場(chǎng)研究報(bào)告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產(chǎn)值 114.9 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產(chǎn)值將繼續(xù)保持上漲，預(yù)估環(huán)比會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)兩成。三星第四季營(yíng)收以三星（Samsung）增長(zhǎng)幅度最高，主要是服務(wù)器、筆記本電腦與智能手機(jī)需求均大幅增長(zhǎng)。三星該季度出貨量環(huán)比增加 35%，平均銷售價(jià)格環(huán)比增加 12%，帶動(dòng)營(yíng)收上升至 42 億美元，環(huán)比增加 44.8%。SK 集團(tuán)SK 集團(tuán)（SK Group）受惠于價(jià)
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戴爾2024財(cái)年?duì)I收884億美元，AI服務(wù)器訂單激增40%

戴爾公布了2024財(cái)年第四財(cái)季及全年業(yè)績(jī)報(bào)告，第四財(cái)季營(yíng)收為223億美元，全年?duì)I收為884億美元。并且透露在AI服務(wù)器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，計(jì)劃在5月的戴爾科技世界大會(huì)上推出一系列新的AI產(chǎn)品和解決方案。在AI服務(wù)器領(lǐng)域，戴爾表示經(jīng)過AI優(yōu)化的產(chǎn)品訂單環(huán)比增長(zhǎng)了40%，實(shí)現(xiàn)8億美元的銷售額，積壓訂單翻倍至29億美元。盡管供應(yīng)仍面臨挑戰(zhàn)，但H100交付周期有所改善，客戶對(duì)H200和MI300X產(chǎn)品表現(xiàn)出濃厚興趣。傳統(tǒng)服務(wù)器業(yè)務(wù)方面，報(bào)告稱Q4業(yè)務(wù)同比增長(zhǎng)，連續(xù)三個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)，結(jié)束了歷史上最長(zhǎng)的消化期。戴
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又一存儲(chǔ)大廠DRAM考慮采用MUF技術(shù)

韓國(guó)媒體 TheElec報(bào)道，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來。而經(jīng)過測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RD
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存儲(chǔ)介紹

存儲(chǔ) 　　cún chǔ 　?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ)）　　1.把錢或物等積存起來?！肚鍟?huì)典事例·戶部·庫(kù)藏》：“戶部奏部庫(kù)空虛，應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)。”《清會(huì)典·戶部倉(cāng)場(chǎng)衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉(cāng)，倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ)，將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目，造冊(cè)先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時(shí)代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ)，作孩子讀書之用?！?　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]