存儲文章最新資訊

SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強勁

隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的華爾街見聞報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計劃

隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時報的報道，三星、SK 海力士和美光計劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開始宣布 PC 和服務(wù)器級 DDR4 以及移動 LPDDR4X 的停產(chǎn)計劃。因此，預(yù)計 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價格預(yù)計將上漲 15%至 2
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美光是AI存儲領(lǐng)域下一個大贏家嗎？分析師認(rèn)為是的，但風(fēng)險仍然存在

人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)地位將 Micron Technology （MU）推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 93 億美元，同比增長 37%，凸顯了其在為 AI 系統(tǒng)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片方面的關(guān)鍵作用。分析師認(rèn)為，美光在 AI 內(nèi)存熱潮中的戰(zhàn)略地位，加上被低估的倍數(shù)，使其成為一個引人注目的游戲。但與所有半導(dǎo)體股一樣，周期性風(fēng)險和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應(yīng)該注意的原因，以及為什么謹(jǐn)慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤

（圖片來源：Getty / Comezora）科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲技術(shù)開啟100倍于當(dāng)前容量的新大門，這得益于一種能在所需低溫下用常見冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國立大學(xué)（ANU）的化學(xué)家在《自然》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣，現(xiàn)代硬盤通過磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來存儲數(shù)據(jù)，而單分子磁體可以單獨存儲數(shù)據(jù)，無需鄰近分子的幫助，為超高密度數(shù)據(jù)存儲鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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內(nèi)存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 模塊價格超過 DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購買

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價格已經(jīng)超過了 DDR5 模塊的價格。展望未來，短期內(nèi)一個關(guān)鍵的關(guān)注點是新的美國關(guān)稅是否會被實施——這可能會引發(fā)又一波恐慌性購買。至于 NAND 閃存，由于國家補貼驅(qū)動的早期需求拉動，618 購物節(jié)對 NAND 閃存現(xiàn)貨價格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：現(xiàn)貨市場價格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價格已超過 DDR5 模塊價格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利

上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升?，F(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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據(jù)報道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報道，該公司最近在其第六代 10nm 級 DRAM（1c DRAM）晶圓測試中實現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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臺灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張

隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報價，這表明供應(yīng)緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應(yīng)商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買家在美國關(guān)稅變化前加速采購，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價格預(yù)計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價格預(yù)計環(huán)比將上漲
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Solidigm：大容量、高性能存儲，AI時代數(shù)據(jù)中心加速器

當(dāng)AI的浪潮席卷而來，存力與算力密切“配合”，為充分釋放AI潛能提供強大支撐。在今日開幕的2025中國智算中心全棧技術(shù)大會上，Solidigm（思得）亞太區(qū)應(yīng)用工程部總監(jiān)翁昀以《加速存儲創(chuàng)新，擁抱AI時代》為主題的演講，向與會者介紹了以Solidigm大容量、高性能SSD為核心的存儲系統(tǒng)，如何在AI時代不斷提升效率、降低能耗，成為支撐人工智能發(fā)展支柱的實踐經(jīng)驗。隨著AI對存力需求的不斷提升，傳統(tǒng)存儲往往會制約數(shù)據(jù)處理速度的提升，其高能耗也給數(shù)據(jù)中心的資源帶來壓力。Solidigm大容量SSD能夠在更小的空
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DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。A、DDR*1 片，一般采用點對點的布局方式，靠近主控，相對飛線 Bank 對稱。間距可以按照是實際要求進(jìn)行調(diào)整，推薦間距為 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相對主控飛線 Bank 對稱，常采用 T 型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，推薦間距如下：等長要求
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完爆SSD/HDD！新型玻璃硬盤壽命可達(dá)5000年：放入鹽水中煮沸、烤箱烘烤完好無損

快科技5月4日消息，Cerabyte表示，其新型玻璃存儲器的使用壽命可達(dá)5000年。據(jù)TH報道，近日，存儲初創(chuàng)公司Cerabyte分享了一段視頻，對其玻璃存儲介質(zhì)進(jìn)行了嚴(yán)苛測試。該公司取下其玻璃存儲介質(zhì)的薄片，放入裝滿鹽水的水壺中煮沸（100°C）。然后，為了進(jìn)一步測試，又將其放入披薩烤箱中烤制（250°C）。這段耐久性演示就是為了證明，在極端環(huán)境下，Cerabyte玻璃存儲器上的數(shù)據(jù)依然“100%完好無損”。Cerabyte成立于2022年，總部位于德國，致力于通過將一種“像象形文字一樣耐用”的數(shù)據(jù)存儲
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AI帶動存儲需求擴大：希捷Q3營收猛增30%！

快科技4月30日消息，隨著AI應(yīng)用的快速普及，數(shù)據(jù)存儲需求也在快速增長，Windows 10停止更新也推動了PC換機潮，使得知名存儲大廠希捷在2025財年第三季度交出了一份亮眼的成績單。根據(jù)希捷最新發(fā)布的財報，2025會計年度第三季度（截至2025年3月28日），希捷營收強勁增長30.5%，達(dá)到21.6億美元，超出分析師預(yù)期的21.2億美元。凈利潤為3.4億美元，即每股盈余1.57美元，遠(yuǎn)高于去年同期的2500萬美元（每股盈余0.12美元），調(diào)整后每股盈余1.90美元。希捷首席執(zhí)行官Dave Mosley
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瀾起科技Q1利潤翻倍！DDR5市占全球第一

4月23日晚間，瀾起科技披露一季報，2025年第一季度實現(xiàn)營業(yè)收入12.22億元，同比增長65.78%；凈利潤5.25億元，同比增幅達(dá)135.14%；扣非后凈利潤為5.03億元，同比增長128.83%。瀾起科技目前擁有互連類芯片和津逮?服務(wù)器平臺兩大產(chǎn)品線。該季度，瀾起科技互連類芯片產(chǎn)品線銷售收入為11.39億元，同比增長63.92%；津逮?服務(wù)器平臺產(chǎn)品線銷售收入為0.8億元，同比增長107.38%。對于業(yè)績大幅增長原因，瀾起科技指出，主要得益于2024年第4季人工智能（AI）市場成長強勁，高效運算（H
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閃迪創(chuàng)作者系列重磅上市，創(chuàng)新存儲解決方案助力提升內(nèi)容創(chuàng)作體驗

Sandisk閃迪公司旗下閃迪創(chuàng)作者系列存儲解決方案現(xiàn)已全面上市，助力當(dāng)代內(nèi)容創(chuàng)作者專注于高質(zhì)量內(nèi)容呈現(xiàn)，賦能不斷增長的創(chuàng)作者經(jīng)濟。該系列包括全新可兼容MagSafe的閃迪創(chuàng)作者系列磁吸手機移動固態(tài)硬盤在內(nèi)的多款專業(yè)級存儲產(chǎn)品，旨在進(jìn)一步完善創(chuàng)作者的數(shù)據(jù)管理工作流，顯著提升其創(chuàng)作體驗。<閃迪創(chuàng)作者系列存儲解決方案>生成式人工智能、高碼率視頻等技術(shù)應(yīng)用加速推動了創(chuàng)作者市場的發(fā)展。預(yù)計至2027年，創(chuàng)作者經(jīng)濟規(guī)模將增長至4,800億美元*，而爆炸式增長的數(shù)字內(nèi)容也為各領(lǐng)域的內(nèi)容創(chuàng)作者帶來嚴(yán)峻的數(shù)據(jù)
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經(jīng)典芯片，存儲領(lǐng)域的可靠選擇，智微科技JMS576詳解與方案推薦

在科技飛速迭代的今天，存儲設(shè)備的性能與可靠性始終是用戶的核心訴求。盡管芯片領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)新技術(shù)，但一些歷經(jīng)市場考驗的成熟方案依然憑借穩(wěn)定表現(xiàn)占據(jù)一席之地。智微科技推出的JMS576芯片作為USB 3.1 Gen1至SATA 6Gb/s的橋接主控，它不僅兼容Type-C接口的現(xiàn)代需求，更通過高度集成化的設(shè)計、低功耗優(yōu)化與安全算法，成為移動硬盤盒、NAS設(shè)備等存儲產(chǎn)品的可靠選擇。充電頭網(wǎng)也將將深入解析JMS576的核心特性與應(yīng)用場景，并帶來這款芯片的方案推薦。智微 JMS576 介紹JMS576 是一款由智微科
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存儲介紹

存儲　　cún chǔ 　?。ù娲鎯Γ?　　1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應(yīng)行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用。” 　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]