存儲(chǔ) 文章最新資訊

內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 價(jià)格下滑放緩，韓國(guó)內(nèi)存制造商引發(fā)大幅漲價(jià)

根據(jù) TrendForce 最新內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DDR4，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了顯著的月度價(jià)格上調(diào)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產(chǎn)品受到買(mǎi)方和賣(mài)方預(yù)期價(jià)格差異的限制，實(shí)際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：關(guān)于 DDR4 產(chǎn)品的現(xiàn)貨價(jià)格，由于兩家主要韓國(guó)供應(yīng)商對(duì)消費(fèi)級(jí) DRAM 芯片實(shí)施了大幅度的月度漲價(jià)，之前的價(jià)格下跌趨勢(shì)有所緩和。目前，DDR4 市場(chǎng)顯示現(xiàn)貨價(jià)格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉(zhuǎn)向 DDR5 產(chǎn)品，隨著合約價(jià)
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DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年大規(guī)模應(yīng)用，據(jù)報(bào)道內(nèi)存巨頭已最終完成原型設(shè)計(jì)

隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)存巨頭正競(jìng)相滿足來(lái)自移動(dòng)和 AI 設(shè)備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引商業(yè)時(shí)報(bào) 的報(bào)道，DDR6 預(yù)計(jì)將于 2027 年進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用。領(lǐng)先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動(dòng)了 DDR6 開(kāi)發(fā)，重點(diǎn)關(guān)注芯片設(shè)計(jì)、控制器驗(yàn)證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時(shí)報(bào)所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，現(xiàn)在正與內(nèi)存控制器和平臺(tái)參與者如英特爾和 AMD 合作進(jìn)行接口測(cè)試。在
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SOCAMM 在 HBM 之后點(diǎn)燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競(jìng)爭(zhēng)

據(jù)稱(chēng)，英偉達(dá)今年計(jì)劃采購(gòu)高達(dá) 80 萬(wàn)個(gè) SOCAMM 單位，三大內(nèi)存巨頭之間一個(gè)新的戰(zhàn)場(chǎng)正在形成。美國(guó)美光似乎正在領(lǐng)先，據(jù)報(bào)道，美光已開(kāi)始為英偉達(dá)生產(chǎn) SOCAMM 模塊。與此同時(shí)，三星和 SK 海力士正積極加入競(jìng)爭(zhēng)。以下是他們最新的進(jìn)展。什么是 SOCAMM？如 Hansbiz 所述，SOCAMM（小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊）是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊，使用低功耗 DRAM（LPDDR），并針對(duì)現(xiàn)有 HBM 無(wú)法完全支持的負(fù)載。韓國(guó) Herald 解釋說(shuō)，SOCAMM 垂直堆
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SK 海力士據(jù)報(bào)道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價(jià)格上調(diào) 20%，因 Q3 需求保持強(qiáng)勁

隨著內(nèi)存制造商逐步淘汰 DDR4，預(yù)計(jì)出貨將在 2026 年初結(jié)束，合同價(jià)格持續(xù)上漲。據(jù)中國(guó)的華爾街見(jiàn)聞報(bào)道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內(nèi)存的合同價(jià)格上調(diào)約 20%，標(biāo)志著新一輪價(jià)格上漲。這種趨勢(shì)與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應(yīng)，該機(jī)構(gòu)指出，三大主要 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能重新分配給高端產(chǎn)品，并逐步淘汰 PC、服務(wù)器級(jí) DDR4 和移動(dòng) LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預(yù)測(cè)，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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主要內(nèi)存制造商的 DDR4 退出時(shí)間表逐漸明朗：三星、SK 海力士和美光計(jì)劃

隨著主要內(nèi)存制造商將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 DDR5 和 HBM，他們的 DDR4 淘汰時(shí)間表逐漸清晰。根據(jù)商業(yè)時(shí)報(bào)的報(bào)道，三星、SK 海力士和美光計(jì)劃在 2025 年末至 2026 年初停止 DDR4 出貨。TrendForce 的最新調(diào)查也顯示，三大 DRAM 供應(yīng)商正在將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高端產(chǎn)品，并已開(kāi)始宣布 PC 和服務(wù)器級(jí) DDR4 以及移動(dòng) LPDDR4X 的停產(chǎn)計(jì)劃。因此，預(yù)計(jì) 2025 年第三季度的傳統(tǒng) DRAM 合同價(jià)格將上漲 10%至 15%。包括 HBM 在內(nèi)，整體 DRAM 價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 15%至 2
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美光是AI存儲(chǔ)領(lǐng)域下一個(gè)大贏家嗎？分析師認(rèn)為是的，但風(fēng)險(xiǎn)仍然存在

人工智能（AI）基礎(chǔ)設(shè)施的主導(dǎo)地位將 Micron Technology （MU）推到了聚光燈下。該公司 2025 年第三季度的銷(xiāo)售額達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 93 億美元，同比增長(zhǎng) 37%，凸顯了其在為 AI 系統(tǒng)供應(yīng)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片方面的關(guān)鍵作用。分析師認(rèn)為，美光在 AI 內(nèi)存熱潮中的戰(zhàn)略地位，加上被低估的倍數(shù)，使其成為一個(gè)引人注目的游戲。但與所有半導(dǎo)體股一樣，周期性風(fēng)險(xiǎn)和估值障礙也迫在眉睫。以下是投資者應(yīng)該注意的原因，以及為什么謹(jǐn)慎仍然很重要。AI Memory 淘金熱美光
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新型單分子磁體技術(shù)或可解鎖容量提升 100 倍的硬盤(pán)

（圖片來(lái)源：Getty / Comezora）科學(xué)家們工程化的一種突破性新型分子，可能為存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)啟100倍于當(dāng)前容量的新大門(mén)，這得益于一種能在所需低溫下用常見(jiàn)冷卻劑保持的單分子磁體，這是單分子磁體技術(shù)上的重大突破。曼徹斯特大學(xué)和澳大利亞國(guó)立大學(xué)（ANU）的化學(xué)家在《自然》上發(fā)表了研究結(jié)果。正如 Phys 所解釋的那樣，現(xiàn)代硬盤(pán)通過(guò)磁化由許多原子共同組成的小區(qū)域來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而單分子磁體可以單獨(dú)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)需鄰近分子的幫助，為超高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)鋪平了道路。技術(shù)挑戰(zhàn)在
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DDR4 模塊價(jià)格超過(guò) DDR5；關(guān)稅擔(dān)憂可能引發(fā)恐慌性購(gòu)買(mǎi)

根據(jù) TrendForce 最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于 DRAM，DDR4 模塊的價(jià)格已經(jīng)超過(guò)了 DDR5 模塊的價(jià)格。展望未來(lái)，短期內(nèi)一個(gè)關(guān)鍵的關(guān)注點(diǎn)是新的美國(guó)關(guān)稅是否會(huì)被實(shí)施——這可能會(huì)引發(fā)又一波恐慌性購(gòu)買(mǎi)。至于 NAND 閃存，由于國(guó)家補(bǔ)貼驅(qū)動(dòng)的早期需求拉動(dòng)，618 購(gòu)物節(jié)對(duì) NAND 閃存現(xiàn)貨價(jià)格和交易的影響弱于預(yù)期。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格：現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格顯著上漲。此外，DDR4 模塊價(jià)格已超過(guò) DDR5 模塊價(jià)格，從而本周需求略有放緩。然而，DDR4 產(chǎn)品的供應(yīng)緊張程度遠(yuǎn)比 DDR5
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歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格飆升，據(jù)報(bào)道使 DDR5 翻倍，推動(dòng)南亞科技的庫(kù)存暴利

上周，臺(tái)灣地區(qū)頂級(jí) DRAM 制造商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報(bào)價(jià)，因?yàn)閮r(jià)格飆升?，F(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價(jià)格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫(kù)存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個(gè)趨勢(shì)力旗下的 DRAM 定價(jià)平臺(tái)。隨著三星、美光和中國(guó)芯片制造商縮減 DDR4 生產(chǎn)，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應(yīng)商。據(jù)報(bào)告稱(chēng)，南亞科技第一季度庫(kù)存飆升至創(chuàng)紀(jì)錄的 37.59 億新
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據(jù)報(bào)道三星 1c DRAM 良率高達(dá) 70%，為年底推出 HBM4 鋪平道路

隨著將 HBM4 時(shí)代的希望寄托在其 1c DRAM 的進(jìn)展上，據(jù)報(bào)道三星在良率方面取得了重大突破。據(jù) sedaily 報(bào)道，該公司最近在其第六代 10nm 級(jí) DRAM（1c DRAM）晶圓測(cè)試中實(shí)現(xiàn)了 50-70%的良率——這一數(shù)字較去年的 30%以下水平有了顯著提升。值得注意的是，與 SK 海力士和美光等堅(jiān)持使用更成熟的 1b DRAM 生產(chǎn) HBM4 不同，三星正大膽押注下一代 1c DRAM。隨著良率穩(wěn)步提高，該公司計(jì)劃在其華城和平澤工廠加大 1c DRAM 的生產(chǎn)規(guī)模，根據(jù)
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臺(tái)灣地區(qū)的 DRAM 供應(yīng)商南亞科技據(jù)報(bào)道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價(jià)格報(bào)價(jià)，庫(kù)存緊張

隨著三星和美光等主要內(nèi)存制造商減少 DDR4 生產(chǎn)并價(jià)格上漲，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)的主要供應(yīng)商南亞科技已暫停報(bào)價(jià)，這表明供應(yīng)緊張和需求增長(zhǎng)，據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道。行業(yè)消息人士進(jìn)一步解釋說(shuō)，報(bào)價(jià)暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場(chǎng)，而在合同市場(chǎng)，供應(yīng)商正在囤積庫(kù)存并穩(wěn)步推高價(jià)格。TrendForce 的最新調(diào)查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應(yīng)商減少 DDR4 生產(chǎn)以及買(mǎi)家在美國(guó)關(guān)稅變化前加速采購(gòu)，服務(wù)器和 PC 的 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務(wù)器 DDR4 合同價(jià)格預(yù)計(jì)環(huán)比將上漲
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Solidigm：大容量、高性能存儲(chǔ)，AI時(shí)代數(shù)據(jù)中心加速器

當(dāng)AI的浪潮席卷而來(lái)，存力與算力密切“配合”，為充分釋放AI潛能提供強(qiáng)大支撐。在今日開(kāi)幕的2025中國(guó)智算中心全棧技術(shù)大會(huì)上，Solidigm（思得）亞太區(qū)應(yīng)用工程部總監(jiān)翁昀以《加速存儲(chǔ)創(chuàng)新，擁抱AI時(shí)代》為主題的演講，向與會(huì)者介紹了以Solidigm大容量、高性能SSD為核心的存儲(chǔ)系統(tǒng)，如何在AI時(shí)代不斷提升效率、降低能耗，成為支撐人工智能發(fā)展支柱的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。隨著AI對(duì)存力需求的不斷提升，傳統(tǒng)存儲(chǔ)往往會(huì)制約數(shù)據(jù)處理速度的提升，其高能耗也給數(shù)據(jù)中心的資源帶來(lái)壓力。Solidigm大容量SSD能夠在更小的空
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DDR 的 PCB布局及走線要求

1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。A、DDR*1 片，一般采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局方式，靠近主控，相對(duì)飛線 Bank 對(duì)稱(chēng)。間距可以按照是實(shí)際要求進(jìn)行調(diào)整，推薦間距為 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相對(duì)主控飛線 Bank 對(duì)稱(chēng)，常采用 T 型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，推薦間距如下：等長(zhǎng)要求
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完爆SSD/HDD！新型玻璃硬盤(pán)壽命可達(dá)5000年：放入鹽水中煮沸、烤箱烘烤完好無(wú)損

快科技5月4日消息，Cerabyte表示，其新型玻璃存儲(chǔ)器的使用壽命可達(dá)5000年。據(jù)TH報(bào)道，近日，存儲(chǔ)初創(chuàng)公司Cerabyte分享了一段視頻，對(duì)其玻璃存儲(chǔ)介質(zhì)進(jìn)行了嚴(yán)苛測(cè)試。該公司取下其玻璃存儲(chǔ)介質(zhì)的薄片，放入裝滿鹽水的水壺中煮沸（100°C）。然后，為了進(jìn)一步測(cè)試，又將其放入披薩烤箱中烤制（250°C）。這段耐久性演示就是為了證明，在極端環(huán)境下，Cerabyte玻璃存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)依然“100%完好無(wú)損”。Cerabyte成立于2022年，總部位于德國(guó)，致力于通過(guò)將一種“像象形文字一樣耐用”的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
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AI帶動(dòng)存儲(chǔ)需求擴(kuò)大：希捷Q3營(yíng)收猛增30%！

快科技4月30日消息，隨著AI應(yīng)用的快速普及，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求也在快速增長(zhǎng)，Windows 10停止更新也推動(dòng)了PC換機(jī)潮，使得知名存儲(chǔ)大廠希捷在2025財(cái)年第三季度交出了一份亮眼的成績(jī)單。根據(jù)希捷最新發(fā)布的財(cái)報(bào)，2025會(huì)計(jì)年度第三季度（截至2025年3月28日），希捷營(yíng)收強(qiáng)勁增長(zhǎng)30.5%，達(dá)到21.6億美元，超出分析師預(yù)期的21.2億美元。凈利潤(rùn)為3.4億美元，即每股盈余1.57美元，遠(yuǎn)高于去年同期的2500萬(wàn)美元（每股盈余0.12美元），調(diào)整后每股盈余1.90美元。希捷首席執(zhí)行官Dave Mosley
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存儲(chǔ)介紹

存儲(chǔ) 　　cún chǔ 　?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ)）　　1.把錢(qián)或物等積存起來(lái)?！肚鍟?huì)典事例·戶部·庫(kù)藏》：“戶部奏部庫(kù)空虛，應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)?！薄肚鍟?huì)典·戶部倉(cāng)場(chǎng)衙門(mén)·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉(cāng)，倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ)，將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目，造冊(cè)先期咨部存案?！?魯迅《書(shū)信集·致李小峰》：“《舊時(shí)代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ)，作孩子讀書(shū)之用?！?　　2.指積存的錢(qián)或物等 [ 查看詳細(xì) ]