存儲(chǔ) 文章進(jìn)入存儲(chǔ)技術(shù)社區(qū)

經(jīng)典芯片，存儲(chǔ)領(lǐng)域的可靠選擇，智微科技JMS576詳解與方案推薦

在科技飛速迭代的今天，存儲(chǔ)設(shè)備的性能與可靠性始終是用戶的核心訴求。盡管芯片領(lǐng)域不斷涌現(xiàn)新技術(shù)，但一些歷經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)的成熟方案依然憑借穩(wěn)定表現(xiàn)占據(jù)一席之地。智微科技推出的JMS576芯片作為USB 3.1 Gen1至SATA 6Gb/s的橋接主控，它不僅兼容Type-C接口的現(xiàn)代需求，更通過高度集成化的設(shè)計(jì)、低功耗優(yōu)化與安全算法，成為移動(dòng)硬盤盒、NAS設(shè)備等存儲(chǔ)產(chǎn)品的可靠選擇。充電頭網(wǎng)也將將深入解析JMS576的核心特性與應(yīng)用場(chǎng)景，并帶來(lái)這款芯片的方案推薦。智微 JMS576 介紹JMS576 是一款由智微科
關(guān)鍵字：智微科技存儲(chǔ)

連接性十字路口：對(duì)V2X存儲(chǔ)的需求飆升

汽車創(chuàng)新正在推動(dòng)前所未有的連接和自動(dòng)化水平，生成大量數(shù)據(jù)來(lái)監(jiān)控外部環(huán)境并感知車內(nèi)狀況。它們還允許車輛不僅相互通信，還允許車輛與其環(huán)境通信。這種變革性技術(shù)稱為車聯(lián)網(wǎng) （V2X）。它包括車輛對(duì)車輛（V2V）、車輛對(duì)基礎(chǔ)設(shè)施（V2I）、車輛對(duì)行人（V2P）和車輛對(duì)網(wǎng)絡(luò) （V2N）通信。通過最大限度地減少（并在可能的情況下消除）人為錯(cuò)誤、緩解交通擁堵和促進(jìn)自動(dòng)駕駛的發(fā)展，V2X 提高了道路安全，減少了道路事故和死亡人數(shù)。為了確保安全，幾乎沒有人工干預(yù)，汽車必須根據(jù)態(tài)勢(shì)感知做出快速判斷，這使得實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)共享
關(guān)鍵字：車聯(lián)網(wǎng) V2X 連接性存儲(chǔ)

Embedded World 2025：邊緣 AI、存儲(chǔ)革新與 1X nm 工藝重塑嵌入式未來(lái)

Embedded World 2025于3月11-13日在德國(guó)紐倫堡舉辦，作為全球嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域頂級(jí)盛會(huì)，匯聚超千家展商與3萬(wàn)專業(yè)觀眾，聚焦嵌入式智能、安全管理及行業(yè)解決方案。展會(huì)呈現(xiàn)邊緣AI、低功耗MCU、5G RedCap、新型存儲(chǔ)及車規(guī)級(jí)技術(shù)等前沿方向，中外廠商匯聚，展示工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子全棧方案，凸顯1X nm工藝、無(wú)線融合及RISC-V生態(tài)布局，推動(dòng)工業(yè)4.0與智能化轉(zhuǎn)型。中國(guó)廠商米爾電子（Mier Electronics）??? - 展示全系列嵌入式核心板
關(guān)鍵字： Embedded World 2025 邊緣AI 存儲(chǔ) 嵌入式 MCU

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款PCIe 5.0企業(yè)級(jí)SSD PE511：首次32TB、性能提升100％

3月13日消息，除了首款商用級(jí)PCIe 5.0 SSD PC450，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還披露了首款企業(yè)級(jí)PCIe 5.0 SSD，型號(hào)為“PE511”。它采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)新一代晶棧4.0閃存，相比于現(xiàn)有的PE321首次增加了16TB、32TB的大容量版本，同時(shí)保留3.84他、7.68TB，而最小的1.92TB直接淘汰。接口形態(tài)在U.2之外，還新增加了E3.S。由于采用了PCIe 5.0接口，整體性能可提升多達(dá)100％，直接翻番，但暫未公開具體數(shù)據(jù)。在耐久度方面也提升了20％，支持每天4次全盤寫入。發(fā)布時(shí)間暫時(shí)不詳，估計(jì)
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) PCIe5.0 SSD 存儲(chǔ)

透過DeepSeek，聊聊存儲(chǔ)是如何給AI加速的

從AI服務(wù)器到AI PC，如何快速的用上DeepSeek成為熱門問題。無(wú)論DeepSeek Janus-Pro把多模態(tài)提升到了一個(gè)新層次，還是媲美主流的DeepSeek-V3，或者應(yīng)用于本地的DeepSeek-V3，對(duì)存儲(chǔ)都提出了新的需求。以完整未蒸餾的DeepSeek R1模型為例，這是一個(gè)擁有6710億參數(shù)的混合專家（MoE）模型，未量化版本的文件體積高達(dá)720GB，而動(dòng)態(tài)量化版本也達(dá)到150GB到400GB之間。DeepSeek讓GPU算力一下子得到了空前的釋放，允許廠商將更多的資源集中到其它關(guān)鍵硬
關(guān)鍵字： DeepSeek 存儲(chǔ) AI加速鎧俠

歷史首次！三星將使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利技術(shù)

據(jù)韓國(guó)媒體ZDNet Korea 2月24日?qǐng)?bào)道稱，三星電子近期已與中國(guó)存儲(chǔ)芯片廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署了開發(fā)堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術(shù)的專利許可協(xié)議，以便從其第10代（V10）NAND Flash產(chǎn)品（430層）開始使用該專利技術(shù)來(lái)進(jìn)行制造。報(bào)道稱，三星之所以選擇向長(zhǎng)江存儲(chǔ)獲取“混合鍵合”專利授權(quán)，主要由于目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)在“混合鍵合”技術(shù)方面處于全球領(lǐng)先地位。并且三星經(jīng)過評(píng)估認(rèn)為，從下一代V10 NAND開始，其已經(jīng)無(wú)法再避免長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利的影
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化

縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級(jí)UFS4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM 和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH? QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的技術(shù)可行性。1? ?更大容量的存儲(chǔ)AI計(jì)算對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)提出了更為嚴(yán)苛的要求，Tera級(jí)別參數(shù)的大模型可以輕松裝滿一塊30TB 的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬
關(guān)鍵字： 202501 存儲(chǔ) SSD

全何推出世界首款可超頻 256GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存條，支持 6000MT/s

1 月 13 日消息，臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)模組品牌全何 V-Color 本月 9 日宣布面向高性能工作站 / HEDT 平臺(tái)推出系列大容量超頻 DDR5 RDIMM（注：即俗稱的 RECC）內(nèi)存條，在業(yè)界率先將超頻 RDIMM 的單條容量擴(kuò)展到 256GB。由于 RDIMM 設(shè)計(jì)和大容量的雙重限制，全何的此批產(chǎn)品在絕對(duì)參數(shù)方面遠(yuǎn)不如常見的 UDIMM 超頻內(nèi)存條（傳輸速率至高可達(dá) 6000MT/s，時(shí)序低至 CL38），但仍能在內(nèi)存密集型工作負(fù)載中展現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存的效能。全何表示其大容量超頻 RD
關(guān)鍵字：內(nèi)存條 RECC 存儲(chǔ)

存儲(chǔ)市場(chǎng)迎三大挑戰(zhàn)！

剛剛過去的2024年，存儲(chǔ)市場(chǎng)上演了一出“冰與火之歌”：終端市場(chǎng)消費(fèi)電子復(fù)蘇遲緩，AI應(yīng)用則繼續(xù)強(qiáng)勢(shì)突圍。存儲(chǔ)產(chǎn)品因而開啟兩極化發(fā)展：消費(fèi)類存儲(chǔ)需求平淡，高性能、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)產(chǎn)品市場(chǎng)反響熱鬧。存儲(chǔ)原廠于2023年下半年依據(jù)市況調(diào)整產(chǎn)能，以圖改善供需關(guān)系，到2024年產(chǎn)能調(diào)整逐漸奏效，多家存儲(chǔ)廠商在2024年重新回到獲利模式。不過存儲(chǔ)器市場(chǎng)合約價(jià)走勢(shì)則沒有那么“一帆風(fēng)順”，整體來(lái)看，2024年上半年存儲(chǔ)器市場(chǎng)合約價(jià)保持上漲，而到了下半年由于市場(chǎng)需求變化，存儲(chǔ)器合約價(jià)遇到下行壓力，到了第四季度，DRAM出現(xiàn)漲幅
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)

用存儲(chǔ)加速AI，高性能SSD普適化

縱觀2024年，存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，從年初鎧俠首款量產(chǎn)車規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到RM、PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，再到推出容量高達(dá)2Tb的第八代BiCS FLASH??QLC，展示下一代前瞻性的光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，不僅滿足了時(shí)下的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的技術(shù)可行性。更大容量的存儲(chǔ)AI計(jì)算對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)提出了更為嚴(yán)苛的要求，Tera級(jí)別參數(shù)的大模型可以輕松裝滿一塊30TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，更大容量的存儲(chǔ)解決
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) SSD 鎧俠

國(guó)產(chǎn)品牌康盈半導(dǎo)體自研存儲(chǔ)產(chǎn)品獲國(guó)際認(rèn)可，斬獲兩大國(guó)際獎(jiǎng)項(xiàng)

據(jù)悉，近日由國(guó)際獎(jiǎng)項(xiàng)協(xié)會(huì)（IAA）主辦的美國(guó)好設(shè)計(jì)獎(jiǎng)和美國(guó)MUSE設(shè)計(jì)獎(jiǎng)公布了2024年度獲獎(jiǎng)名單，KOWIN康盈半導(dǎo)體旗下子品牌DIGIERA產(chǎn)品——隨存之芯小金剛便攜式磁吸移動(dòng)固態(tài)硬盤憑借新穎的設(shè)計(jì)、獨(dú)特的功能、極速的性能備受關(guān)注及收獲了業(yè)內(nèi)的高度認(rèn)可，斬獲美國(guó)好設(shè)計(jì)獎(jiǎng)鉑金獎(jiǎng)項(xiàng)和美國(guó)MUSE設(shè)計(jì)獎(jiǎng)金獎(jiǎng)。這款硬盤完美融合了前沿科技與現(xiàn)代美學(xué)，為用戶帶來(lái)了全新的使用體驗(yàn)，成為設(shè)計(jì)與功能并重的典范。深受海內(nèi)外消費(fèi)者喜愛：便攜式磁吸移動(dòng)固態(tài)硬盤此次獲獎(jiǎng)的隨存之芯小金剛磁吸PSSD，目前已成為深受海內(nèi)外消費(fèi)者喜
關(guān)鍵字：康盈存儲(chǔ)

Blueshift宣布內(nèi)存技術(shù)重大突破

2024年12月，科技公司Blueshift正式發(fā)布了一項(xiàng)突破性的內(nèi)存技術(shù)，聲稱能夠?qū)PU計(jì)算速度提升高達(dá)50倍，同時(shí)將能耗降低65%。這一創(chuàng)新技術(shù)有望徹底改變數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用領(lǐng)域。Blueshift的這項(xiàng)技術(shù)突破主要依托于先進(jìn)的內(nèi)存架構(gòu)和優(yōu)化的數(shù)據(jù)處理機(jī)制。與傳統(tǒng)的計(jì)算架構(gòu)不同，新技術(shù)通過更高效的數(shù)據(jù)傳輸和存儲(chǔ)管理，顯著減少了延遲并提升了處理性能。此外，該技術(shù)的節(jié)能特性使其在滿足高性能計(jì)算需求的同時(shí)，大幅降低了功耗，契合了當(dāng)前綠色計(jì)算的發(fā)展趨勢(shì)。Blueshift公司表示，這一技術(shù)突破將為云計(jì)算、人工智
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)

基于 HAMR 熱輔助磁記錄平臺(tái)，希捷推出 30/32TB 容量 Exos M 機(jī)械硬盤

12 月 17 日消息，希捷 Seagate 品牌官網(wǎng)現(xiàn)已上線了 Exos M 系列企業(yè)級(jí)機(jī)械硬盤。目前該系列 HDD 包含兩款產(chǎn)品，分別為 30TB CMR 的 ST30000NM004K 和 32TB SMR 的 ST32000NM003K，每盤片容量不小于 3TB。?Exos M 系列機(jī)械硬盤產(chǎn)品頁(yè)面顯示其將 Mozaic 3+（IT之家備注：即“魔彩盒 3+”) 尖端技術(shù)同 90% 的可靠成熟技術(shù)相結(jié)合，這意味著該系列產(chǎn)品基于希捷的 HAMR 熱輔助磁記錄平臺(tái)。目前暫不清楚這兩款 Exo
關(guān)鍵字：希捷機(jī)械硬盤存儲(chǔ)

三星大規(guī)模人事調(diào)整，代工、存儲(chǔ)等部門負(fù)責(zé)人變更

11月27日，三星電子宣布了2025屆總裁級(jí)別人事變動(dòng)，以增強(qiáng)未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)力，主要變動(dòng)包括制度、部門管理、人員職務(wù)等層面方面。制度和部門管理變化主要包括，存儲(chǔ)業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)變?yōu)镃EO直接領(lǐng)導(dǎo)制度；更換代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，重組業(yè)務(wù)線；在Foundry部門設(shè)立總裁級(jí)CTO職位；在DS部門設(shè)立總裁級(jí)管理戰(zhàn)略職位；任命DS業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人為CEO，建立各事業(yè)部CEO業(yè)務(wù)責(zé)任制；成立DX事業(yè)部負(fù)責(zé)人領(lǐng)導(dǎo)的質(zhì)量創(chuàng)新委員會(huì)，推動(dòng)質(zhì)量領(lǐng)域的根本性創(chuàng)新。具體的人員職務(wù)調(diào)整則如下：全永鉉（Young Hyun Jun），原三星電子副社長(zhǎng)兼半導(dǎo)體
關(guān)鍵字：三星代工存儲(chǔ)

消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
關(guān)鍵字：三星存儲(chǔ) V-NAND

共774條 1/52 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

存儲(chǔ)介紹

存儲(chǔ) 　　cún chǔ 　?。ù娲鎯?chǔ)儲(chǔ)）　　1.把錢或物等積存起來(lái)。《清會(huì)典事例·戶部·庫(kù)藏》：“戶部奏部庫(kù)空虛，應(yīng)行存儲(chǔ)款項(xiàng)?！薄肚鍟?huì)典·戶部倉(cāng)場(chǎng)衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進(jìn)倉(cāng)，倉(cāng)場(chǎng)酌量舊存各色米多寡勻派分儲(chǔ)，將某倉(cāng)存儲(chǔ)某年米色數(shù)目，造冊(cè)先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時(shí)代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個(gè)友人為之集款存儲(chǔ)，作孩子讀書之用?！?　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細(xì) ]