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SOCAMM 在 HBM 之后點(diǎn)燃新的內(nèi)存戰(zhàn)——三星和 SK 海力士加入競(jìng)爭(zhēng)

作者: 時(shí)間:2025-07-23 來(lái)源:TrendForce 收藏

據(jù)稱,今年計(jì)劃采購(gòu)高達(dá) 80 萬(wàn)個(gè) 單位,三大內(nèi)存巨頭之間一個(gè)新的戰(zhàn)場(chǎng)正在形成。美國(guó)美光似乎正在領(lǐng)先,據(jù)報(bào)道,美光已開(kāi)始為生產(chǎn) 模塊。與此同時(shí),和 SK 正積極加入競(jìng)爭(zhēng)。以下是他們最新的進(jìn)展。

什么是

如 Hansbiz 所述,SOCAMM(小型輪廓壓縮附加內(nèi)存模塊)是一種新型服務(wù)器內(nèi)存模塊,使用低功耗 DRAM(LPDDR),并針對(duì)現(xiàn)有 HBM 無(wú)法完全支持的負(fù)載。

韓國(guó) Herald 解釋說(shuō),SOCAMM 垂直堆疊先進(jìn)的 LPDDR5X 芯片,以提升數(shù)據(jù)處理性能,同時(shí)顯著降低能耗。據(jù) Micron 透露,SOCAMM 的帶寬比傳統(tǒng) RDIMM 高出 2.5 倍以上,功耗卻只有三分之一,并采用更小的 14x90mm 尺寸。

值得注意的是,SOCAMM 的價(jià)格僅為驅(qū)動(dòng) AI GPU 的 HBM 芯片價(jià)格的 25-33%,據(jù)報(bào)道,頂級(jí)內(nèi)存制造商正競(jìng)相爭(zhēng)奪這一新興服務(wù)器模塊市場(chǎng)的早期領(lǐng)先地位。

的 SOCAMM2 正在開(kāi)發(fā)中;SK 在英特爾 AI 活動(dòng)上展示

據(jù) Hansbiz 援引的 2025 年可持續(xù)發(fā)展報(bào)告 ,在 SOCAMM 第一代達(dá)到大規(guī)模生產(chǎn)之前,三星已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā) SOCAMM2。

據(jù) Hansbiz 稱,三星表示,從基于 DDR 的 RDIMM 轉(zhuǎn)換到 LPDDR5X 可將功耗降低約 50%。此外,通過(guò)增加 I/O 通道,SOCAMM2 在相同容量下可提供高達(dá) 90% 的性能提升——報(bào)告補(bǔ)充說(shuō),這使得它非常適合 AI 計(jì)算。

然而,三星仍在努力爭(zhēng)取該領(lǐng)域的 major 客戶。據(jù) Hansbiz 稱,雖然最近選擇了美光作為其首個(gè) SOCAMM 供應(yīng)商,但三星正積極與主要 AI 客戶協(xié)商樣品測(cè)試。

同時(shí),SK hynix 也在積極推動(dòng) SOCAMM 的商業(yè)化和推廣,在全球舞臺(tái)上積極展示這項(xiàng)技術(shù)。

據(jù) Hansbiz 報(bào)道,SK hynix 正深化與英特爾等關(guān)鍵玩家的合作,以引領(lǐng)人工智能和定制內(nèi)存市場(chǎng),SOCAMM 處于核心地位。7 月 2 日,在 2025 年英特爾人工智能首爾峰會(huì)上,該公司展示了其人工智能內(nèi)存系列——包括 12 層、36GB 的 HBM3E(目前最大容量)、12 層、每秒超過(guò) 2TB 數(shù)據(jù)速度的 HBM4,以及其 SOCAMM 模塊。

接下來(lái)的挑戰(zhàn)

然而,SOCAMM 要擴(kuò)大規(guī)模仍面臨挑戰(zhàn),因?yàn)樵缜暗?ZDNet 報(bào)道指出英偉達(dá)推遲了其 SOCAMM 技術(shù)與 GB300 的發(fā)布,促使供應(yīng)鏈調(diào)整了時(shí)間表。據(jù) ZDNet 報(bào)道,SOCAMM 現(xiàn)在預(yù)計(jì)將與英偉達(dá)的 Rubin 一同在 2026 年推出。

根據(jù) ZDNet 的報(bào)道,GB300 最初是圍繞一個(gè)名為 Cordelia 的新主板設(shè)計(jì)的,該主板結(jié)合了 SOCAMM 內(nèi)存、兩顆 Grace CPU 和四顆 Blackwell GPU。然而,據(jù)報(bào)道 Cordelia 面臨可靠性問(wèn)題,包括數(shù)據(jù)丟失,而 SOCAMM 本身也面臨著熱能和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。



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