存儲文章最新資訊

美光開始量產行業(yè)領先的HBM3E解決方案，加速人工智能發(fā)展

全球內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬內存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續(xù)保持行業(yè)領先地位，并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能（AI）解決方案賦能。HBM3E：推動人工智能革命隨著人工智能需求的持續(xù)激增，內存解決方案對于滿足工作負載需求
關鍵字：美光存儲內存

春日有禮，西部數(shù)據(jù)和“她”一起開啟存儲煥新計劃

每一個女孩都是獨特而美麗的存在，享受生活的同時不忘記錄那些難忘的瞬間。3.8春季大促，西部數(shù)據(jù)帶來了令人怦然心動的存儲購物清單，助力每一位“她”記錄生活亮點，高效應對職場與學習。還不快拿上小本本，選擇適合自己的存儲好物！廣闊世界“她”記錄自媒體盛行的時代下，女性憑借在內容創(chuàng)作領域獨特的天賦與細膩，盡情展現(xiàn)著自由且多元的力量。西部數(shù)據(jù)的WD Blue? SN580 NVMe? SSD順序讀取速度高達4,150 MB/s[i] （1TB和2TB型號[ii]），提供高達2TBii容量規(guī)格，同時搭載的nCache
關鍵字：西部數(shù)據(jù) 存儲

美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品

2月28日，存儲大廠美光科技宣布已開始提供升級版UFS4.0樣品，采用232層3D NAND技術，可提供256GB、512GB和1TB三種容量。自去年6月推出11mm x 13mm封裝規(guī)格的UFS4.0解決方案后，美光進一步縮小UFS4.0的外形規(guī)格以實現(xiàn)更緊湊的9mm x 13mm托管型NAND封裝。性能上，美光UFS4.0的順序讀取速度和順序寫入速度分別高達4300MBps和4000MBps，較前代產品相比性能提升一倍，據(jù)悉，生成式AI應用中的大語言模型加載速度可提高40%。此次增強版UFS4.0基于
關鍵字：美光 UFS 存儲

美光高性能內存和存儲助力榮耀 Magic6 Pro 智能手機提升邊緣 AI 體驗

2024 年 3 月 1 日，中國上海 —— Micron Technology，Inc. （美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布美光低功耗 LPDDR5X 內存和 UFS 4.0 移動閃存助力榮耀最新款旗艦智能手機榮耀 Magic6 Pro 提供端側人工智能體驗。該手機支持 70 億參數(shù)的大語言模型（LLM）——“魔法大模型”（MagicLM），開創(chuàng)了端側生成式人工智能新時代。榮耀 Magic6 Pro 以MagicLM 大語言模型為核心，在美光內存和存儲的加持下，實現(xiàn)了升級版預測性和
關鍵字：美光內存存儲榮耀 Magic6 Pro 智能手機 LPDDR5X UFS 4.0

美光發(fā)布最小尺寸 UFS 4.0 手機存儲芯片：容量最高 1TB，為電池留出空間

IT之家 2 月 27 日消息，美光科技在 MWC 2024 上宣布了其最新手機存儲解決方案。該公司推出了迄今為止最緊湊的 UFS 4.0 封裝，尺寸僅為 9 x 13 毫米，仍然提供最高 1 TB 的容量和 4300 MB/s 順序讀取速度、4000 MB/s 順序寫入速度。美光表示，推出較小解決方案的主要原因是智能手機原始設備制造商的反饋。制造商們希望為更大的電池留出更多手機內部空間。美光在其位于美國、中國和韓國的聯(lián)合客戶實驗室開發(fā)了該產品，并基于其 232 層
關鍵字：美光 MWC 2024 存儲手機

兩家存儲大廠：今年HBM售罄

近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
關鍵字：存儲 HBM SK海力士美光科技

江波龍車規(guī)級存儲解決方案

江波龍電子在設計、資源、測試、驗證全方位布局以保證汽車存儲產品在高低溫變化、復雜電磁環(huán)境、物理沖擊、振動等嚴苛環(huán)境下始終可靠穩(wěn)定運行。SPI NAND Flash該存儲采用WSON8封裝，可節(jié)約PCB空間，除此之外，其優(yōu)勢還有支持通用SPI接口，包括雙I/O或四I/O，帶有內部ECC，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，保證數(shù)據(jù)可靠性，并支持OTP，為客戶提供更多存儲安全信息的區(qū)域。該產品閃存介質為SLC NAND，容量從512MB到4GB，工作溫度最大范圍為-40~85℃。該產品的應用范圍較廣，可在Wifi
關鍵字：江波龍存儲

千億美元蛋糕！3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業(yè)界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業(yè)技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
關鍵字： 3D DRAM 存儲

江波龍企業(yè)級存儲正式量產一周年，交出亮眼“成績單”

自2023年1月江波龍首次發(fā)布企業(yè)級存儲產品FORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD以來，企業(yè)級存儲產品于過去的一年中，在技術研發(fā)和市場應用中取得了顯著成果。拓疆企業(yè)級存儲屢獲市場認可江波龍企業(yè)級存儲產品憑借其卓越的技術實力和性能表現(xiàn)，為企業(yè)級存儲市場注入新鮮活力。截至2024年2月，F(xiàn)ORESEE ORCA 4836系列NVMe SSD與FORESEE UNCIA 3836系列SATA 3.2 SSD兩大產品已順利完成鯤鵬
關鍵字：江波龍存儲元器件

首顆自研2D MLC NAND Flash！江波龍構建完整的存儲芯片垂直整合能力

江波龍研發(fā)布局突破藩籬進入到集成電路設計領域，產品及服務獲得客戶高度認可。繼自研SLC NAND Flash系列產品實現(xiàn)規(guī)模化量產后，首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash也于近日問世。該產品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產品上，為公司存儲產品組合帶來更多可能性。隨著自研2D MLC NAND Flash的推出，江波龍將在半導體存儲品牌企業(yè)的定位和布局上持續(xù)深耕，不斷提升核心競爭力。越
關鍵字：江波龍存儲元器件

1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀今年業(yè)績回暖：存儲漲價是開始

2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
關鍵字：存儲三星鎂光海力士 NAND

江波龍亮相CES2024，前沿存儲技術備受矚目

近日，CES2024以其獨特的視角和前瞻性的技術，吸引了全球的目光。作為全球最大的消費電子展，CES一直是各大科技公司展示最新技術和產品的舞臺。作為國內知名的半導體存儲品牌企業(yè)，江波龍在CES期間展示了其最新的存儲技術和產品。在本次CES展會期間，江波龍展出了其最新的嵌入式存儲、固態(tài)硬盤（SSD）、內存條以及存儲卡等產品。這些產品采用了先進的制程和存儲技術，具備更高的容量、更快的讀寫速度以及更可靠的數(shù)據(jù)保護等特點，得到了現(xiàn)場觀眾和媒體的一致好評。（圖：FORESEE產品全家福）以ChatGPT
關鍵字：江波龍存儲元器件 CES

詳解RAID流程、I/O性能和容量

RAID（Redundant Array of Independent Disks）是將多塊物理硬盤通過RAID控制卡組合成虛擬的單塊大容量硬盤使用，從而提供比單個硬盤更高的存儲性能、更高的I/O性能及可靠性。1 硬盤組和虛擬磁盤由于現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心業(yè)務量的與日俱增，單臺服務器上需要運行的數(shù)據(jù)也日益增多。當單個物理硬盤在容量和安全性上不足以支持系統(tǒng)業(yè)務時，就需要將多個硬盤以某種特定方式組合起來，對外作為一個可見的硬盤來使用，才可滿足實際需要。硬盤組，就是將一組物理硬盤組合起來，作為一個整體對外體現(xiàn)，是虛擬磁盤
關鍵字：存儲硬盤 RAID

生成式AI大火引爆存儲產業(yè)新增長引擎

2022年ChatGPT的出現(xiàn)，掀起了全球再一次的AI應用熱潮，憑借強大的功能和杰出的用戶體驗，生成式AI（AIGC）成為2022年開始最引人關注的技術新浪潮。生成式AI使用深度學習模型，利用現(xiàn)有文本、圖像、音頻等內容生成全新內容、解決方案或新概念的人工智能技術，可以通過學習輸入數(shù)據(jù)的統(tǒng)計規(guī)律，來創(chuàng)造新的數(shù)據(jù)，因此它可以形成創(chuàng)造性的表達，極大地拓展了人工智能在各個領域的應用前景。并且可以通過AI大模型的經(jīng)驗分析，以極有想象力的方式生成眾多滿足用戶創(chuàng)意需求的原創(chuàng)內容，并通過包括文本、圖像、音頻、視頻甚至各類
關鍵字：生成式AI 存儲

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

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存儲介紹

存儲　　cún chǔ 　?。ù娲鎯Γ?　　1.把錢或物等積存起來?！肚鍟涫吕舨俊觳亍罚骸皯舨孔嗖繋炜仗?，應行存儲款項?！薄肚鍟洹舨總}場衙門·侍郎職掌》：“每年新漕進倉，倉場酌量舊存各色米多寡勻派分儲，將某倉存儲某年米色數(shù)目，造冊先期咨部存案?！?魯迅《書信集·致李小峰》：“《舊時代之死》之作者之家族，現(xiàn)頗窘，幾個友人為之集款存儲，作孩子讀書之用?！?　　2.指積存的錢或物等 [ 查看詳細 ]