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曾經是硅谷領導者的英特爾，如何跌落至此？

  • 英特爾公司股票正在暴跌，原因是該公司將在其芯片代工業(yè)務中損失數(shù)十億美元并宣布裁員15%。這是該公司半個世紀以來最大的一次跌幅。截至周五收盤，英特爾的股價為21.48美元，這是自2013年以來未見的低價。該公司正在通過裁員和暫停股息等措施努力鞏固資金儲備。但即使這些舉措也可能不足以讓這個老牌科技公司重返曾經的行業(yè)領導地位，尤其是在面對來自競爭對手芯片制造商英偉達（Nvidia）的激烈競爭時。英特爾的糟糕境遇其實已經持續(xù)了一個季度。早在今年4月，該公司在投資者展示會上透露，由于一系列決策失誤，其芯片制造部門在
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英特爾公司在美國亞利桑那州的擴張計劃遇到挑戰(zhàn)：臺灣模式不完全適用

  • 2024年8月8日，臺灣半導體制造公司（TSMC），全球最大的先進計算機芯片制造商之一，于2020年5月宣布計劃在美國鳳凰城郊區(qū)建設一座工廠。四年過去了，該公司在亞利桑那州的芯片生產仍未開始銷售。當時，TSMC在亞利桑那州的存在被視為一場雙贏局面：它將促進美國先進芯片制造的發(fā)展，并幫助TSMC將其制造業(yè)務從臺灣（一個受到中國日益增強的地緣政治威脅的民主國家）多元化。TSMC已承諾向該項目投資650億美元，而拜登政府在今年4月宣布，該公司將獲得66億美元的《芯片與科學法案》資助。美國官員一直對該國對TSMC
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英飛凌在馬來西亞開設全球最大功率半導體工廠，助力東南亞半導體產業(yè)升級

  • 2024年8月8日，歐洲頂級芯片制造商英飛凌宣布其位于馬來西亞古來的全球最大功率芯片工廠正式投產。這座工廠不僅是英飛凌歷史上規(guī)模最大的功率半導體生產設施，也標志著馬來西亞在全球半導體供應鏈中的地位進一步提升。根據(jù)英飛凌的規(guī)劃，這座新工廠將在未來五年內逐步提升產能，最終成為全球最大的碳化硅（SiC）生產基地。碳化硅材料具有高效率、高耐壓的特點，廣泛應用于可再生能源、電動汽車和人工智能數(shù)據(jù)中心等領域，市場需求前景廣闊。此次投產不僅是英飛凌在東南亞的重要布局，也為馬來西亞吸引了創(chuàng)紀錄的芯片和數(shù)據(jù)中心投資。隨著全
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半導體IP市場規(guī)模分析與未來展望

  • 2023年，全球半導體知識產權（IP）市場的規(guī)模估值為70.4億美元，預計到2032年，這一數(shù)字將增長至156.8億美元，年均復合增長率（CAGR）為9.77%。該市場的主要應用領域包括汽車、消費電子（如手機和平板電腦）以及企業(yè)存儲設備。市場的增長主要受全球消費電子產品采用的增加、系統(tǒng)級芯片（SOC）設計復雜性提升以及對連接設備需求增加的推動。根據(jù)SEMI的最新季度《世界晶圓廠預測》報告，預計到2023年底，將有超過40家晶圓廠開始安裝，總支出將超過半萬億美元。此外，2022年全球半導體材料市場帶來了72
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德國芯片制造商英飛凌將裁員1400人

  • 英飛凌表示，其目標市場的復蘇進展緩慢。由于市場環(huán)境艱難，德國芯片制造商英飛凌周一宣布將裁員1400人，并重新安置另外1400人，同時宣布利潤下降并下調了前景預期。這次裁員是從全球約58,600名員工中進行的，是該公司于5月啟動的公司重組的一部分。首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck在發(fā)布集團第三季度財報的同時在一份聲明中表示，這一計劃旨在“增強我們的競爭力”。一位發(fā)言人向法新社證實，將裁員并將職位轉移到成本較低的地點，但未提供進一步的細節(jié)。這一消息是在美國芯片巨頭英特爾上周宣布將裁員超過15%并尋求今
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半導體晶圓代工“神仙打架”！

  • 近期，半導體晶圓代工市場可謂是“喜事連連”。一方面，英特爾、三星、聯(lián)電等廠商紛紛公布財報顯示，晶圓代工業(yè)務迎來利好；另一方面，臺積電、世界先進的對外增資案也獲得批準。多家廠商代工業(yè)績表現(xiàn)亮眼當?shù)貢r間8月1日，英特爾公布2024年第二季度財務業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，當季英特爾實現(xiàn)營收128億美元，同比下降1%，低于市場分析師普遍預期的129.4億美元。盡管總體營收不盡如人意，但在晶圓代工業(yè)務方面的表現(xiàn)卻較好，數(shù)據(jù)顯示，2024年第二季度，英特爾晶圓代工業(yè)務實現(xiàn)營收43億美元，較2023年同期增長4%。圖片來源：英特
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香港在全球半導體行業(yè)取得突破，設立下一代氮化鎵晶圓生產線

  • 香港正在設立其首條氮化鎵（GaN）晶圓生產線，這是一種新一代半導體材料，旨在在美中技術競爭加劇的背景下，幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學園（HKSTP）合作，建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗生產線，目標是到2027年實現(xiàn)年產1萬片的生產能力，MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡報會上表示。該公司專注于制造紫外線-C消毒產品，將在香港新晶圓生產線投資2億港元（2560萬美元），并在科學園內建立GaN技術的研發(fā)中心，HK
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新加坡淡馬錫將在美國AI、半導體和數(shù)據(jù)中心投資300億美元

  • 新加坡國有投資公司淡馬錫控股將大幅增加其在美國的投資，承諾在未來五年內投資300億美元。該公司的戰(zhàn)略將優(yōu)先考慮與AI相關的公司、半導體制造商和基礎設施企業(yè)，包括數(shù)據(jù)中心及其支持技術。隨著地緣政治緊張局勢升級，淡馬錫對在中國投資越來越謹慎，這一戰(zhàn)略轉變正在發(fā)生。今年，美國已超過中國成為淡馬錫資本的最大接受者，占其投資組合的22%。淡馬錫北美負責人簡·阿瑟頓（Jane Atherton）強調了公司對推動技術進步和經濟增長的領域的關注。她表示，美國在AI發(fā)展方面處于領先地位，他們在這一領域看到了巨大的潛力。此外
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莫迪150億美元的芯片賭注能否將印度變成半導體強國？

  • 印度總理納倫德拉·莫迪正在“全力以赴”，努力將印度轉變?yōu)槿蛐酒傎愔械母偁幷?，但專家警告說，印度在建立自給自足的半導體生態(tài)系統(tǒng)之前還有很長的路要走。莫迪政府在2月份批準了價值150億美元的國內半導體制造廠投資，包括印度本地財團塔塔集團（Tata Group）提出的建設該國首個主要芯片制造廠的提案。該工廠將設在莫迪的家鄉(xiāng)古吉拉特邦，預計到2026年底每月生產5萬片晶圓。這項投資還包括與日本、臺灣和泰國公司合作開發(fā)的組裝單元和包裝廠。塔塔集團表示，其目標是到2030年推動印度半導體產業(yè)達到1100億美元，占
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創(chuàng)新的極紫外光刻技術極大地造福了半導體制造

  • 沖繩科學技術研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導體制造標準的極紫外（EUV）光刻技術?；诖嗽O計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機的十分之一，有助于半導體行業(yè)變得更加環(huán)?？沙掷m(xù)。通過解決兩個以前被認為在該領域不可克服的問題，這項技術得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學路徑。E
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美國的半導體賭博：對逐漸消逝的主導地位的絕望抓取

  • 美國在技術領域的影響力逐漸減弱，為了維持對中國的技術優(yōu)勢，不得不采取越來越絕望的措施。拜登政府最近推動的嚴格的半導體出口管制不僅揭示了以往政策的失敗，也有可能疏遠重要盟友，進而瓦解西方技術霸權的結構。華盛頓最近試圖通過更嚴格的出口管制來加強對全球半導體貿易的控制，這表明其過去的戰(zhàn)略已告失敗。政府現(xiàn)在正在利用外國直接產品規(guī)則（FDPR）作為嚴厲威脅，試圖通過脅迫讓不情愿的盟友屈服。這一極端措施允許美國對使用了哪怕是最少量美國技術的外國制造產品實施管制，旨在迫使像日本的東京電子有限公司和荷蘭的ASML控股公司
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YMTC芯片制造商的首席執(zhí)行官表示，中國將在3到5年內迎來“爆炸性”半導體增長

  • 一位中國半導體行業(yè)高管預測，在封裝應用和技術方面的優(yōu)勢支持下，中國將在未來三到五年內迎來“爆炸性增長”，為國家克服美國技術限制開辟道路。據(jù)中國國家電視臺報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會（CSIA）會長、中國最大的存儲芯片制造商長江存儲技術有限公司（YMTC）負責人陳南翔表示，國家正在探索一種新的市場導向型行業(yè)模式，放棄依賴大學和研究機構的舊模式。陳南翔在接受中國中央電視臺英語頻道CGTN采訪時表示：“[今天的重點]是產業(yè)、產品、服務和商業(yè)模式的創(chuàng)新，這些最終必須帶來價值。” 他在接受CGTN采訪時說，“中國的芯片
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Onsemi推出新一代碳化硅半導體

  • 美國半導體制造商Onsemi推出了最新一代碳化硅技術平臺，用于電動汽車和其他應用。與前幾代相比，該平臺可減少30%的導通損耗和高達50%的關斷損耗。據(jù)Onsemi稱，所謂的EliteSiC M3e MOSFETs還提供了業(yè)界最低的特定導通電阻，并具有短路能力，這對牽引逆變器市場至關重要。在電動汽車中，逆變器將電池的直流電轉換為電動機所需的交流電。轉換損耗和冷卻需求越低，車輛在相同電池容量下的續(xù)航里程就越大。具體示例：封裝在Onsemi的功率模塊中，“1200V M3e芯片比以前的EliteSiC技術提供了
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歐盟和韓國合作推進半導體技術

  • 歐盟與韓國簽署協(xié)議，合作開發(fā)半導體技術。這一合作將作為歐盟和韓國數(shù)字伙伴關系的成果，共同資助四個半導體項目。根據(jù)歐盟和韓國數(shù)字伙伴關系的安排，這些項目將共同籌集1200萬歐元資金。其中一半來自歐盟的“Horizon Europe”計劃下的芯片聯(lián)合企業(yè)，另一半來自韓國國家研究基金會（NRF）。所選項目包括：ENERGIZENEHILHAETAEViTFOX這些項目將持續(xù)三年，旨在推進異構集成技術（將多個組件集成到一個半導體中）以及優(yōu)化仿生神經技術（模仿人腦功能）。加強歐盟與韓國的合作將結合歐洲和韓國研究與創(chuàng)
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中國團隊研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關鍵障礙

  • 中國科學家們研發(fā)出一種超薄半導體材料，這一進展可能會帶來更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學的劉開輝、人民大學的劉燦和中國科學院物理研究所的張光宇領導的團隊，開發(fā)了一種制造方法，可以生產厚度僅為0.7納米的半導體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關鍵障礙——隨著設備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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