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香港在全球半導(dǎo)體行業(yè)取得突破,設(shè)立下一代氮化鎵晶圓生產(chǎn)線

作者:EEPW 時(shí)間:2024-07-31 來(lái)源:EEPW 收藏

香港正在設(shè)立其首條氮化鎵(GaN)晶圓生產(chǎn)線,這是一種新一代材料,旨在在美中技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下,幫助香港在全球芯片行業(yè)占據(jù)一席之地。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202407/461533.htm

今年1月在香港成立的MassPhoton正在與政府資助的香港科學(xué)園(HKSTP)合作,建立一條8英寸GaN外延晶圓試驗(yàn)生產(chǎn)線,目標(biāo)是到2027年實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1萬(wàn)片的生產(chǎn)能力,MassPhoton創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官廖義森在周二的媒體簡(jiǎn)報(bào)會(huì)上表示。

該公司專注于制造紫外線-C消毒產(chǎn)品,將在香港新晶圓生產(chǎn)線投資2億港元(2560萬(wàn)美元),并在科學(xué)園內(nèi)建立GaN技術(shù)的研發(fā)中心,HKSTP周二在聲明中表示。

2024年7月30日,創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長(zhǎng)孫東在第三代GaN外延晶圓試驗(yàn)生產(chǎn)線啟動(dòng)儀式上講話。照片:手稿 2024年7月30日,創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長(zhǎng)孫東在第三代GaN外延晶圓試驗(yàn)生產(chǎn)線啟動(dòng)儀式上講話。照片:手稿 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,GaN和碳化硅(SiC)是第三代半導(dǎo)體材料,具有更高的能源效率和更小的尺寸優(yōu)勢(shì)。

計(jì)劃中的GaN生產(chǎn)線正值香港尋求在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中占據(jù)一席之地之際,這是該市在地緣政治緊張局勢(shì)加劇背景下,努力成為創(chuàng)新和技術(shù)中心的一部分。

去年10月,HKSTP還與中國(guó)大陸芯片公司J2 Semiconductor簽署了一份諒解備忘錄,目標(biāo)是在香港設(shè)立首條8英寸SiC晶圓廠和一個(gè)新的第三代半導(dǎo)體研發(fā)中心。

這家總部位于上海的芯片制造商承諾在該項(xiàng)目中投資69億港元,并計(jì)劃到2028年實(shí)現(xiàn)每年24萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)能力,該公司去年10月表示。

美國(guó)的出口限制已經(jīng)切斷了中國(guó)獲取一些最先進(jìn)芯片制造設(shè)備的途徑。

“我們對(duì)第三代半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的一致性充滿信心,”MassPhoton的廖義森在周五表示。許多大陸的SiC公司已經(jīng)在全球行業(yè)中處于領(lǐng)先地位,他補(bǔ)充道。

香港立法者在5月份批準(zhǔn)了28.4億港元的資金,用于政府建立一個(gè)半導(dǎo)體研究中心。計(jì)劃中的元朗InnoPark微電子中心預(yù)計(jì)今年開(kāi)始運(yùn)營(yíng),HKSTP周五表示。

MassPhoton的目標(biāo)是將其GaN晶圓用于顯示技術(shù)、汽車和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,廖義森表示。該公司還計(jì)劃在年底前再籌集1億港元的資金,他說(shuō)。



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